根據(jù)世界半導體貿易協(xié)會(WSTS)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導體市場銷售額達4,687.78億美元，同比增長13.7%，相對2017年的21.6%的大幅增長有所放緩。從目前半導體行業(yè)主流國際機構的預測來看，2019年全球半導體市場增速將進一步放緩。

Source: Gartner

據(jù)Gartner 2018 Q4預測，2019年、2020年、2021年、2022年，全球半導體市場銷售分別為4,890億美元、5,280億美元、5,190億美元、5,390億美元，分別增長2.5%、8.1%、-1.8%、3.8%。

全球半導體市場風云變幻，產業(yè)增長始終離不開市場應用的驅動。由上可知，2017年是半導體產業(yè)增速放緩的拐點，同樣是從2017年開始，智能手機增速放緩，開始進入存量市場，而后將在2021年出現(xiàn)比較大的衰退，整個半導體產業(yè)持續(xù)上揚的動能略顯疲態(tài)。

“繼智能手機之后，能夠擔任多技術融合載體、拉動半導體快速上揚重任的就是未來的智慧汽車。” 華虹宏力戰(zhàn)略、市場與發(fā)展部科長李健在中國電子ICT媒體論壇暨2019產業(yè)和技術展望研討會上表示，汽車電子化是大勢所趨。首先，從汽車的成本結構來看，未來芯片成本有望占汽車總成本的50%以上，這會給整個半導體帶來巨大的市場需求；其次，汽車是個傳統(tǒng)的制造業(yè)，但是個能讓人熱血沸騰的制造業(yè)。

李健指出：“當傳統(tǒng)的汽車制造業(yè)遇到當今的半導體，將會變成下一個引領浪潮的應用載體。”半導體能為電動汽車帶來更強大的“心臟”，如自動駕駛處理器、ADAS芯片等，同時也帶來更強大的性能，讓電動汽車帶來更好的體驗，這就需要采用大量的功率器件，比如MOSFET、IGBT等，這也正是電動汽車中對半導體產業(yè)而言所蘊含的新機遇。

數(shù)據(jù)顯示，2020年，國內新能源車的銷售目標是200萬臺，全球是700萬臺，這是一個非常大的市場。有別于傳統(tǒng)車，新能源車里面有電機、電池、車載充電機、電機逆變器和空調壓縮機，這些都需要大量的功率器件芯片。電動化除了車輛本身的變化之外，還給后裝的零部件市場也帶來新的需求，同時配套用電設施，比如充電樁，也帶來大量的功率器件需求。

李健表示，電動汽車中功率芯片的用途非常廣泛，啟停系統(tǒng)、DC/DC變壓器、DC/AC主逆變器+DC/DC升壓，包括發(fā)電機，還有車載充電機等。以時下很熱的IGBT來說，電動汽車前后雙電機各需要18顆IGBT，車載充電機需要4顆，電動空調8顆，總共一臺電動汽車需要48顆IGBT芯片。如果2020年國內電動汽車銷量達到200萬臺，后裝維修零配件市場按1：1配套計的話，粗略估算國內市場大概需要10萬片/月的8英寸車規(guī)級IGBT晶圓產能（按120顆IGBT芯片/枚折算）。

基于國內電動汽車市場占全球市場的1/3，2020年全球汽車市場可能需要30萬片/月的8英寸IGBT晶圓產能。李健分享說：“除了汽車市場，IGBT在其它應用市場中也廣受歡迎，業(yè)內有看法認為還需要新建十座IGBT晶圓廠?！?/p>

在汽車電子化大潮涌動之時，長期持續(xù)動態(tài)追蹤市場變化的華虹宏力敏銳地洞察業(yè)界動向并及時布局：華虹集團旗下華虹宏力早在2002年已開始功率半導體的自主創(chuàng)“芯”路，是業(yè)內首個擁有深溝槽超級結（Deep Trench Super Junction，DT-SJ）及場截止型IGBT（Field Stop，F(xiàn)S IGBT）工藝平臺的8英寸代工廠；產品線上，華虹宏力的功率半導體產品全面涵蓋從200V以下低壓段、300V到800V的中高壓、以及600V到3300V甚至高達6500V的高壓段等應用，聚焦于Trench MOS/ Split-Gate Trench（SGT）、DT-SJ和IGBT等，并密切關注GaN/SiC等新型寬禁帶材料的發(fā)展。

華虹宏力功率器件領域核“芯”技術

據(jù)李健介紹，硅基MOSFET是華虹宏力功率器件工藝的基礎。通過不斷縮小間距、提升元胞密度、降低導通電阻，華虹宏力用持續(xù)領先的優(yōu)異品質，以及穩(wěn)定的良率贏得廣大客戶的贊譽。值得一提的是，在可靠性要求極為嚴格的汽車領域，華虹宏力MOSFET產品已配合客戶完成核心關鍵部件如汽車油泵、轉向助力系統(tǒng)等的應用，為業(yè)界領先。

深溝槽超級結MOSFET(DT-SJ)是中流砥柱。超級結MOSFET適用于500V到900V電壓段，其電阻更小、效率更高、散熱相對低，在要求嚴苛的開關電源等產品中有大量應用。深溝槽型超級結MOSFET是華虹宏力自主開發(fā)、擁有完全知識產權的創(chuàng)“芯”技術，相關專利超過20項。其第三代深溝槽超級結工藝流程緊湊且成功開發(fā)溝槽柵的新型結構，有效降低結電阻，進一步縮小了元胞面積，技術參數(shù)達業(yè)界一流水平，可提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。為了持續(xù)為客戶創(chuàng)造更多價值，華虹宏力的深溝槽超級結MOSFET工藝不斷升級，每次單位面積導通電阻的技術特性優(yōu)化都在25%以上。

硅基IGBT芯片是未來。IGBT是電動汽車核“芯”中的核心，對晶圓制造的能力和經驗要求非常高，其難點和性能優(yōu)勢主要在于背面加工工藝。目前國內能加工IGBT的產線還比較少，華虹宏力是國內為數(shù)不多可用8英寸晶圓產線為客戶提供高品質代工服務的廠商之一，擁有背面薄片、背面高能離子注入、背面激光退火以及背面金屬化等一整套完整的FS IGBT的背面加工處理能力，可助力客戶產品比肩業(yè)界主流的國際IDM產品，在市場競爭中取得更大優(yōu)勢。

SiC和GaN等寬禁帶材料自身優(yōu)勢非常明顯，未來10到15年的市場空間很大。細分來看，SiC的市場應用前景明確，而GaN瞄準的無人駕駛LiDAR等創(chuàng)新型應用仍存在變數(shù)；從技術成熟度來講，SiC二級管技術已成熟，MOS管也已小批量供貨，而GaN來說，SiC基GaN相對成熟但成本高，Si基GaN則仍不夠成熟；從性價比來講，SiC量產后有望快速拉低成本，而GaN的新型應用如不能如期上量，成本下降會比較緩慢；不過Si基GaN最大的優(yōu)勢在于可以和傳統(tǒng)CMOS產線兼容，而SiC則做不到這點。華虹宏力將保持對寬禁帶材料的密切關注，以期適時切入，為客戶提供更高附加值的相應服務。

事實上，華虹宏力從2002年開始自主創(chuàng)“芯”路，是全球第一家關注功率器件的8英寸純晶圓廠。2002年到2010年，陸續(xù)完成先進的溝槽型中低壓MOSFET/SGT/TBO等功率器件技術開發(fā)并量產；2010年，高壓600V到700V溝槽型、平面型MOSFET工藝開發(fā)完成，并進入量產階段；2011年第一代深溝槽超級結工藝進入量產階段，同年，1200V溝槽型NPT IGBT工藝也完成研發(fā)進入量產階段；2013年，第2代深溝槽超級結工藝推向市場，同時600V到1200V溝槽場截止型IGBT（FDB工藝）也成功量產……經過多年研發(fā)創(chuàng)新和持續(xù)積累，華虹宏力得以有節(jié)奏地逐步推進自主創(chuàng)芯進程。

2018年華虹宏力特色工藝累計獲得中國/美國有效授權專利超過3000件，打破了中國半導體產業(yè)過分依賴技術引進的局面，大大降低特色工藝技術成本，為國內外客戶提供了更加經濟有效的造芯平臺。作為全球最大的功率分立器件8英寸純晶圓代工廠，華虹宏力8英寸MOSFET累計出貨目前已超過700萬片晶圓。

不過，在外部環(huán)境的推動下和行業(yè)周期性調整，整個半導體產業(yè)將難免遭遇衰退期。由上可知，據(jù)Gartner預測，2021年全球半導體市場銷售增長率為-1.8%，全球半導體產業(yè)將會有一輪新的較大的衰退。屆時需求端有比較大的下滑，供給端卻有大幅增長，這樣就容易產生危機。

面對這樣的產業(yè)趨勢，華虹宏力有何應對之策？李健表示，公司的整體戰(zhàn)略依然是堅持走特色工藝之路，也就是堅持“8+12”的戰(zhàn)略布局。8英寸的戰(zhàn)略定位是“廣積糧”，重點是在“積”這個字上。華虹宏力有超過20年的特色工藝技術積累，包括功率器件、Flash技術等等；同時這20余年來積累了很多戰(zhàn)略客戶合作的情誼；連續(xù)32個季度盈利的赫赫成績，也為華虹宏力積累了大量的資本。

正因為有這些積累，華虹宏力可以開始布局12英寸特色工藝生產線。12英寸的戰(zhàn)略定位是“高筑墻”，重點是在“高”字上。華虹宏力將通過12英寸先進特色工藝技術，延伸8英寸特色工藝優(yōu)勢，拓寬護城河，提高技術壁壘，拉開與身后競爭者的差距。

目前，華虹宏力正通過技術研發(fā)，將特色工藝從8英寸逐步推進到12英寸，技術節(jié)點也進一步推進到90納米以下，至65/55納米，以便給客戶提供更大的產能和先進工藝支持，攜手再上新臺階。