一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

電子工程師 ? 來(lái)源:郭婷 ? 作者:新浪科技 ? 2019-09-02 16:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

程衛(wèi)華還指出,通過(guò)將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展,同時(shí)借著5G網(wǎng)絡(luò),長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。

按照之前公布的消息看,在3D閃存上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己研發(fā)了Xtacking 3D堆棧技術(shù),今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。

到了2020年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將會(huì)推出128層堆棧的3D閃存,在技術(shù)上縮短甚至追上與國(guó)際一流廠商的差距——今年三星東芝、美光等公司量產(chǎn)了96層的3D閃存,部分廠商甚至開(kāi)始量產(chǎn)128層堆棧的閃存。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1719

    瀏覽量

    137964
  • 存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    4518

    瀏覽量

    87256
  • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

    關(guān)注

    5

    文章

    325

    瀏覽量

    38304
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000堆疊,而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000
    的頭像 發(fā)表于 06-29 00:03 ?5326次閱讀

    TechWiz LCD 3D應(yīng)用:局部液晶配向

    ,并增加Condition為局部摩擦的,所以要注意區(qū)域的設(shè)置; 設(shè)置完成后要生成mesh文件 2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
    發(fā)表于 06-16 08:46

    3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

    3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì),本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 04-08 14:38 ?903次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>的制造工藝與挑戰(zhàn)

    鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

    兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù),為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)——鎧俠株式會(huì)社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項(xiàng)尖端3D閃存技術(shù),憑借4.8Gb/sNAND接
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:31 ?472次閱讀
    鎧俠與閃迪發(fā)布下一代<b class='flag-5'>3D</b><b class='flag-5'>閃存</b>技術(shù),<b class='flag-5'>實(shí)現(xiàn)</b>4.8Gb/s <b class='flag-5'>NAND</b>接口速度

    TechWiz LCD 3D應(yīng)用:局部液晶配向

    ,并增加Condition為局部摩擦的,所以要注意區(qū)域的設(shè)置; 設(shè)置完成后要生成mesh文件 2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
    發(fā)表于 02-08 08:52

    TechWiz LCD 3D應(yīng)用:局部液晶配向

    ,并增加Condition為局部摩擦的,所以要注意區(qū)域的設(shè)置; 設(shè)置完成后要生成mesh文件 2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
    發(fā)表于 01-03 08:58

    3D NAND的發(fā)展方向是500到1000

    芯片行業(yè)正在努力在未來(lái)幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 增加到 800 或更多,利用額外的容量將有助于滿足對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:00 ?730次閱讀
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>的發(fā)展方向是500到1000<b class='flag-5'>層</b>

    【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)

    NAND只需要提高堆棧層數(shù),目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-NAND,到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)
    發(fā)表于 12-17 17:34

    3D-NAND浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

    傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴(kuò)展性已達(dá)到極限。為了解決這一問(wèn)題,3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,通過(guò)在垂直方向上堆疊存儲(chǔ)單元,大幅提升了存儲(chǔ)密度。本文將簡(jiǎn)要介紹
    的頭像 發(fā)表于 11-06 18:09 ?2262次閱讀
    <b class='flag-5'>3D-NAND</b>浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)解析

    鎧俠量產(chǎn)單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:22 ?2961次閱讀

    格科微:5000萬(wàn)像素圖像傳感器實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨

    格科微于10月13日發(fā)布公告,宣布其5,000萬(wàn)像素圖像傳感器產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。該產(chǎn)品建立在格科微量產(chǎn)3,200萬(wàn)像素圖像傳感器技術(shù)基礎(chǔ)上,采用了先進(jìn)的單芯片高像素CIS
    的頭像 發(fā)表于 10-14 16:09 ?1059次閱讀

    NAND閃存是什么意思

    NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND
    的頭像 發(fā)表于 08-10 15:57 ?8140次閱讀

    SK海力士加速NAND研發(fā),400+閃存量產(chǎn)在即

    韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報(bào)道,該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+堆疊NAND閃存
    的頭像 發(fā)表于 08-02 16:56 ?1403次閱讀

    美光第九代3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開(kāi)始出貨

    知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已然問(wèn)世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:11 ?1043次閱讀

    鎧俠瞄準(zhǔn)2027年:挑戰(zhàn)1000堆疊的3D NAND閃存新高度

    在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,日本知名存儲(chǔ)芯片制造商鎧俠(Kioxia)展現(xiàn)了其雄心壯志和堅(jiān)定決心。在結(jié)束了長(zhǎng)達(dá)20個(gè)月的NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃后,鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開(kāi)工率已提升至100%,同時(shí)上周還公布了其令人矚目的3D
    的頭像 發(fā)表于 06-29 09:29 ?938次閱讀