動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-05-31 08:37

  探索吉他音色與效果器的奇妙世界（1）- 缺陷創(chuàng)造的美

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來(lái)自上?？萍即髮W(xué)李晨曦的投稿。如果你是一位音樂(lè)愛好者，當(dāng)你戴上耳機(jī)，聆聽著美妙的音樂(lè)時(shí)，吉他那多變的音色一定能夠吸引你的注意。它時(shí)而清脆明亮，仿佛陽(yáng)光燦爛；時(shí)而沉穩(wěn)厚重，帶著歲月的厚重感；時(shí)而又尖銳狂放，如同沖破束縛的熱情。而這些獨(dú)特的音色，如今大多數(shù)都是由數(shù)字芯片經(jīng)特定算法采樣處理所生成的。為什么音樂(lè)人們要用數(shù)字

  效果器 數(shù)字芯片 電吉他

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• 發(fā)布了文章 2025-05-29 17:04

  新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、太陽(yáng)能，SSCB，人工智能，不間斷電源和CAV等。頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-27 17:03

  新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

  

  新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、太陽(yáng)能和不間斷電源等。頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-05-26 18:07

  柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

  

  碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動(dòng)汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來(lái)看，仍存在一個(gè)難題：即如何實(shí)現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計(jì)。比導(dǎo)通電阻是衡量SiCMOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對(duì)于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-05-24 08:32

  一枚葉片的獨(dú)白

  

  我是一枚發(fā)電機(jī)上的葉片。出生不久，我就開始審視自己的身體：身上滿是絕妙飄逸的曲線，身材完美豐盈，真是美的不可方物。我開始無(wú)限自戀起來(lái)。如果看一下自己的體重，說(shuō)實(shí)話愛上自己的身體不免有些讓人害羞，然而我迷戀的不僅是自己的美，還有各種大小不一的自己。世界上還有更大或者更小的各種葉片，從超過(guò)35米長(zhǎng)的風(fēng)力發(fā)

  發(fā)電機(jī) 葉片

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• 發(fā)布了文章 2025-05-22 17:03

  新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板

  

  新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源設(shè)計(jì)中需要采用先進(jìn)的功率因數(shù)校正（PFC）電路。PFC通過(guò)同步輸入電流和電壓波形來(lái)確保高功率因數(shù)。通過(guò)使用PFC，電源系統(tǒng)可以減少失真，保持穩(wěn)定高效的供電。EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交

  SiC MOSFET 碳化硅 評(píng)估板 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-21 17:07

  新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 1ED21x7 系列

  

  新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動(dòng)器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流的高速柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于Si/SiCMOSFET和IGBT開關(guān)。設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，1ED

  EiceDRIVER 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-20 10:35

  英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破

  

  在全國(guó)兩會(huì)聚焦新能源汽車充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來(lái)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過(guò)提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS和TRENCHSTOPIGBT，CoolSiCMOSFET和EiceDRIVER驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一

  新能源汽車 電能轉(zhuǎn)換 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-05-19 17:32

  英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

  

  本文是作者2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿第二部分，第一部分請(qǐng)見《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）》。英飛凌SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四大支柱SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個(gè)支柱簡(jiǎn)單講，就是技術(shù)，質(zhì)量，產(chǎn)量和產(chǎn)品。技術(shù)優(yōu)勢(shì)要做好碳化硅MOSFET，在技術(shù)上需要做好兩件事情：性能穩(wěn)定的體二極管垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFE

  半導(dǎo)體 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-05-17 08:33

  電力電子中的“摩爾定律”(2)

  

  04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上，平面磁集成技術(shù)開始廣泛應(yīng)用于高功率密度場(chǎng)景，通過(guò)將變壓器的繞組(winding)設(shè)計(jì)在pcb電路板上從而代替利茲線，從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大，一般不會(huì)超過(guò)4oz（140μm）,因此想要通過(guò)pcb傳輸大電流會(huì)有極大的損耗。為

  電力電子 電流 磁集成技術(shù)

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