動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-04-30 18:21

  碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

  

  在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？——溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻

  SiC MOSFET 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-04-26 08:33

  機(jī)器人和自動化的未來(2)

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自西南交通大學(xué)黃雯珂的投稿。3機(jī)器人與自動化的未來展望隨著機(jī)器人和自動化技術(shù)的不斷進(jìn)步，未來的世界將會是一個高度自動化的世界。智能工廠、智慧家庭、無人駕駛等概念，正在逐步成為現(xiàn)實。與此同時，機(jī)器人和自動化技術(shù)的廣泛應(yīng)用，也帶來了倫理和法律方面的新挑戰(zhàn)。3.1智慧工廠與工業(yè)4.0智慧工廠是未來制造業(yè)的發(fā)展方向之一。

  智慧工廠 機(jī)器人 自動化

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• 發(fā)布了文章 2025-04-25 17:05

  新品 | 驅(qū)動無刷直流 (BLDC) 電機(jī)用三相柵極驅(qū)動器評估板

  

  新品驅(qū)動無刷直流(BLDC)電機(jī)用三相柵極驅(qū)動器評估板評估板EVAL-6EDL04I065PR采用英飛凌最新的采SOI技術(shù)的EiceDRVIER柵極驅(qū)動器6EDL04I065PR和TRENCHSTOP逆導(dǎo)型IGBT，IKD06N60RC2，適用于驅(qū)動無刷直流(BLDC)電機(jī)等。該電路板用于評估緊湊的TSSOP-25封裝的6EDL04I065PR的功能，如集成

  BLDC 評估板 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-23 17:05

  碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

  

  全社會都在積極推動低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會帶來一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。SiC正是功率半導(dǎo)體的能效提升技術(shù)，它的出現(xiàn)滿足了低碳化時代兩大全新的市場需求：1能效創(chuàng)新：SiC技術(shù)在光伏、儲

  碳化硅 能源轉(zhuǎn)換 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-04-19 08:34

  機(jī)器人和自動化的未來(1)

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自西南交通大學(xué)黃雯珂的投稿。1機(jī)器人時代的到來在現(xiàn)代科技的發(fā)展浪潮中，機(jī)器人不再是科幻電影中的產(chǎn)物，而是成為了現(xiàn)實生活中不可或缺的助手和工作伙伴。機(jī)器人時代的到來，不僅標(biāo)志著技術(shù)的飛躍，也預(yù)示著社會結(jié)構(gòu)和生活方式的巨大變革。1.1機(jī)器人簡史：從幻想到現(xiàn)實談到機(jī)器人，人們很容易

  機(jī)器人 自動化

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• 發(fā)布了文章 2025-04-17 17:05

  新品 | 半橋1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3模塊

  

  新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFETM1H增強(qiáng)型1代、集成NTC溫度傳感器和PressFIT針腳。還可提供預(yù)涂熱界面材料版本（FF1MR12MM1HP_B11）或基板背面的Wave波浪結(jié)構(gòu)，用于直接液體冷卻（FF1MR12MM1HW_B11）

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-04-15 17:03

  新品 | 6.5A，5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動器評估板——SiC MOSFET半橋電路

  

  新品6.5A，5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅(qū)動器評估板——SiCMOSFET半橋電路該評估板用于評估半橋電路中的1ED314xMC12H隔離柵極驅(qū)動器IC。該電路板包括兩個1ED314xMC12H隔離柵極驅(qū)動器，兩個IMZA120R020M1HCoolSiC1200VSiC溝槽SiCMOSFET。評估板由采用EiceDRIVERPower2EP13

  MOSFET 評估板 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-14 17:04

  驅(qū)動電路設(shè)計（十）——柵極電荷和應(yīng)用

  

  驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點，涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護(hù)，實踐性很強(qiáng)。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將以雜談的形式講述技術(shù)背景，然后詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用驅(qū)動器的相關(guān)功能。MOSFET功率半導(dǎo)體是電壓型驅(qū)動，驅(qū)動的本質(zhì)是對柵極端口的電容充電，驅(qū)動峰值電流是受功率器件驅(qū)動電阻和驅(qū)動器內(nèi)

  功率半導(dǎo)體 柵極電荷 驅(qū)動電路設(shè)計

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• 發(fā)布了文章 2025-04-11 17:00

  2EP1XXR系列全橋變壓器驅(qū)動器工作原理（二）——多種方式靈活調(diào)節(jié)峰值整流應(yīng)用下的輸出電壓

  

  在2EP1XXR系列全橋變壓器驅(qū)動器工作原理(一)—如何通過占空比調(diào)節(jié)峰值整流應(yīng)用下的輸出電壓中，我們帶大家從輸入到輸出逐級了解了如何使用2EP1XXR系列來構(gòu)建一款隔離電源，并詳細(xì)介紹了2EP130R在峰值整流應(yīng)用下占空比調(diào)壓的工作原理，掌握了其核心串聯(lián)電容Cesr的作用以及Vcesr和隔離輸出電壓的關(guān)系。如果有哪位細(xì)心的讀者也試著動動手推導(dǎo)公式，將串聯(lián)電

  變壓器 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-10 10:04

  英飛凌與科士達(dá)深入合作，全棧方案樹立UPS高效可靠新標(biāo)桿

  

  在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場需求持續(xù)攀升，對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。近日，英飛凌宣布與深圳科士達(dá)科技股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌1200VCoolSiCMOSFET和CoolSiC二極管、650VCoolSiCMOSFET器件以及EiceDRIVER系列單通道磁隔離驅(qū)動器等全套功

  UPS 科士達(dá) 英飛凌

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