動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-06-19 11:13

  用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率

  

  從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該技術與硅的不同之處，以及如何優(yōu)化電路技術(例如軟開關)，超越硅的實際應用，就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比，SiC的帶隙更寬，因此擊穿電壓和電子遷移率更高，從而降低了導通電阻。與硅相比，SiC的開關速度

  MOSFET SiC 電阻 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-06-18 11:13

  深圳集成電路進口額穩(wěn)健增長，前五月增幅達21.1%

  

  在全球集成電路市場持續(xù)發(fā)展的背景下，深圳作為中國重要的經(jīng)濟特區(qū)，其集成電路進口額展現(xiàn)出強勁的增長勢頭。據(jù)深圳海關最新數(shù)據(jù)，今年前五月，深圳集成電路進口額同比增長了21.1%，這一顯著增長不僅凸顯了深圳在全球集成電路貿(mào)易中的重要地位，也反映了深圳在電子信息產(chǎn)業(yè)領域的持續(xù)繁榮。從數(shù)據(jù)上看，今年前五個月，深圳集成電路進口額達到2668.5億元，同比增長21.1%。

  電子信息 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-06-18 11:12

  氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星

  

  超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領域的未來應用潛力。本文總結(jié)了氧化鎵材料的一些固有特性，并展示了近期在高壓器件方面的一些進展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評估UWBG材料選擇的關鍵候選。多個因素促成了這一點。表1列出了

  SiC 半導體 電力器件

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• 發(fā)布了文章 2024-06-17 11:34

  全球芯片產(chǎn)業(yè)競速，汽車芯片產(chǎn)業(yè)迎發(fā)展風口

  

  在全球科技浪潮的推動下，人工智能技術的飛速發(fā)展正為芯片產(chǎn)業(yè)帶來前所未有的挑戰(zhàn)與機遇。特別是在汽車芯片市場，供不應求的局面已成為行業(yè)共識，全球目光紛紛聚焦于此。汽車芯片近日，在重慶舉辦的一場由大聯(lián)大商貿(mào)主辦的峰會上，業(yè)內(nèi)專家與業(yè)界領袖共同探討了新能源汽車芯片產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展趨勢。大聯(lián)大商貿(mào)中國區(qū)總裁沈維中表示，重慶憑借其獨特的地理位置、豐富的資源和政策支持，在新

  人工智能 汽車芯片 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-06-17 11:32

  GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機驅(qū)動

  

  氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應用中的優(yōu)勢為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅(qū)動。在本文中，我們將重點介紹基于GaN的IPM，目標應用包括家用電器和供暖、通風和空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)。寬禁帶半導體提高電器和HVAC系統(tǒng)的效率標準家用電器占全球能源消耗的相當大一部分。早在2024年4月，美國就引入了更嚴格的能

  GaN IPM 智能功率模塊 電機驅(qū)動

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• 發(fā)布了文章 2024-06-14 11:36

  SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

  

  近日，半導體器件領域企業(yè)SemiQ宣布，其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動汽車(EV)充電站在內(nèi)的多種高要求應用場景在尺寸和功率上的嚴格標準。這款新推出的SiC肖特基二極管技術亮點在于其無反向恢復電流的特性，這意味著開關過程中的損耗極低

  SiC 二極管 肖特基二極管

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• 發(fā)布了文章 2024-06-14 11:35

  使用快速恢復二極管MOSFET在電源中的應用

  

  “超級結(jié)”技術由于其優(yōu)越的品質(zhì)因數(shù)，已經(jīng)在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據(jù)主導地位。在設計基于超級結(jié)的功率器件時，工程師必須考慮一些因素，以提高電源應用中的效率、功率密度和可靠性。工程考慮因素如圖1所示，首先需要考慮的是P列從基區(qū)延伸，形成漂移區(qū)的“電荷平衡”，以實現(xiàn)更高的摻雜濃度，即相應區(qū)域的更低電阻。延伸的結(jié)區(qū)域帶來了過多反向恢復電荷的缺

  MOSFET 二極管 電源

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• 發(fā)布了文章 2024-06-13 11:40

  電子元件市場展望樂觀，下半年將迎來強勁增長?

  

  根據(jù)最新的ECST(電子元件狀態(tài)調(diào)查)報告，2024年下半年電子元件銷售前景樂觀，預計將實現(xiàn)強勁增長。盡管5月份的調(diào)查顯示半導體、被動元件和機電元件的銷售信心受到一定打擊，但6月的展望顯示市場將迎來積極反彈。在5月份的調(diào)查中，半導體領域的銷售信心得分下滑明顯，跌幅超過18點。被動元件和機電元件雖然跌幅較小，但也呈現(xiàn)出市場下滑的趨勢。然而，這種短暫的低迷并未持

  半導體 機電產(chǎn)品 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2024-06-13 11:38

  一文讀懂MOSFET開關損耗介紹

  

  MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道的電流都很大，導致晶體管內(nèi)的功耗很高。在開關模式下，柵源電壓要么低到足以阻止電流流動，要么高到足以使FET進入“完全增強”狀態(tài)，此時通道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管像一個閉合開關：即使有大電流通過通道，

  MOSFET 開關損耗 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-06-12 11:04

  全球掀起8英寸SiC投資熱潮，半導體產(chǎn)業(yè)迎來新一輪技術升級

  

  隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。8英寸SiC晶圓相較于傳統(tǒng)的6英寸晶圓，具有更高的生產(chǎn)效率和更低的成本。據(jù)行業(yè)專家分析，從6英寸升級到8英寸，雖然單片晶圓成本有所增加，但由于每片晶圓中可用的裸片數(shù)量大幅增加，產(chǎn)量更高，最終

  SiC 半導體 晶圓

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