動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麥格理集團出售亞利桑那州晶圓廠二號

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(MacquarieGroup)，負責其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號的市場推廣與出售。這標志著Microchip在調(diào)整其制造規(guī)模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領(lǐng)先的半導體解決方案提供商，專注于微控制器、模擬半導體、閃存等領(lǐng)域。公司在技術(shù)

  microchip 半導體 晶圓

  456瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計中的優(yōu)勢

  

  使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復(fù)電荷，使設(shè)計師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統(tǒng)。然而，盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優(yōu)勢，這些開關(guān)類型與經(jīng)過驗證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni

  LLC變換器 SiC MOSFET 電源開關(guān)

  369瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:18

  Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD)封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1

  MOSFET Nexperia SiC

  442瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:16

  SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合，提升電力轉(zhuǎn)換性能

  

  使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC肖特基二極管SiC肖特基二極管相較于標準的硅p/n二極管提供了許多優(yōu)勢。一個關(guān)鍵優(yōu)勢是缺乏反向恢復(fù)損失，這種損失在p/n二極管中尤為顯著，特別是在高溫、快速切換和高電

  MOSFET SiC 肖特基勢壘二極管

  399瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:15

  Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC

  

  近日，納維塔斯半導體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會上，宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)，此舉被業(yè)界譽為在可再生能源和電動汽車等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的“范式轉(zhuǎn)變”。納維塔斯首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人基恩·謝里丹在新聞發(fā)布會上指出，這款新型雙向GaNIC在效率、體積、重量和成本等多個方面都達到了行業(yè)頂尖水平。納維塔斯在大會上推出的雙向Ga

  GaN Navitas 功率IC

  706瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:10

  DSA技術(shù)：突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案

  

  為了補償光子不足，制造商可能會增加曝光劑量，這又會延長光刻過程中停留的時間。然而，這種做法直接影響了生產(chǎn)效率，使得整個過程變得更慢，經(jīng)濟性降低。此外，隨著幾何尺寸的縮小以適應(yīng)更小的技術(shù)節(jié)點，對更高劑量的需求也加劇，從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù)：一種革命性的方法DSA技術(shù)通過利用嵌段共聚物的分子行為來解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個或多個化學性

  DSA EUV 半導體

  544瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:34

  onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本

  

  近日，半導體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業(yè)內(nèi)的一項重大技術(shù)進步。新一代EliteSiCSPM31IPM在體積上保持了最緊湊的設(shè)計，相較于傳統(tǒng)的場停7IGBT技術(shù)，具有更顯著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶體管

  464瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:33

  突破200 kHz：電力電子硬件在環(huán)(HIL)測試的創(chuàng)新解決方案

  

  “萬物電氣化”影響著社會和工業(yè)的各個領(lǐng)域。為了實現(xiàn)可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟轉(zhuǎn)型，需要低成本且高效的電力電子技術(shù)來滿足各種應(yīng)用需求。這不僅要求為每個特定應(yīng)用開發(fā)拓撲結(jié)構(gòu)，還需要高效率的新型半導體技術(shù)，例如基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的器件。電動化是能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵支柱之一。在此領(lǐng)域，除了成本外，轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和功率(例如用于電池充電)也至關(guān)重要。為此，上

  HIL 寬帶隙器件 測試 電動化

  340瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:41

  LEM(萊姆電子)適用于800V三相牽引逆變器的電流傳感器

  

  目前，越來越多的汽車牽引逆變器開發(fā)者開始采用三相功率模塊，LEM(萊姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一個備受青睞且經(jīng)過廣泛驗證的例子。這些模塊的興起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的應(yīng)用，能夠支持800V電池系統(tǒng)的實現(xiàn)，從而為車輛提供更長的續(xù)航里程和更短的充電時間。HAH3DRS07/SP42，這是一款專為800V三相功率模塊設(shè)計的緊湊

  lem 電流傳感器 逆變器

  553瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:40

  高級技術(shù)推動電動車電池制造的變革與可持續(xù)發(fā)展

  

  隨著電動車(EV)市場的快速增長，預(yù)計到2033年將達到5375.3億美元，汽車制造商面臨的最緊迫挑戰(zhàn)之一是確保電動車電池的安全性、可靠性和經(jīng)濟性。電池技術(shù)的進步在滿足這些需求和確保電動車成功實現(xiàn)大規(guī)模推廣方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。為此，人工智能(AI)、數(shù)字雙胞胎和先進電池化學等新興技術(shù)正在幫助塑造電動車電池制造的未來，改變生產(chǎn)過程，提升電池性能，并確?？?

  人工智能 電動汽車 電動車電池

  712瀏覽量