動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-25 11:23

  智能功率模塊在電動機(jī)驅(qū)動逆變器中的應(yīng)用與優(yōu)勢分析

  

  在消費類和通用工業(yè)應(yīng)用中，針對小型交流電動機(jī)的逆變器設(shè)計師面臨著日益嚴(yán)格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)上，許多小型逆變器設(shè)計采用離散功率器件封裝，并結(jié)合實現(xiàn)接口、驅(qū)動和保護(hù)功能所需的輔助組件。這種方法需要較大的復(fù)雜PCB設(shè)計，以滿足驅(qū)動器和離散功率器件組合的所有間距和布局要求。另一個同樣令人困惑的問題是，當(dāng)驅(qū)動器和功率器件的特性未能正確匹配時，如何保

  電動機(jī) 逆變器 驅(qū)動

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• 發(fā)布了文章 2025-03-24 11:38

  Vicor在臺灣推廣48V電源模塊：模塊化設(shè)計的市場競爭優(yōu)勢

  

  近日，美系功率半導(dǎo)體模塊廠商Vicor在中國臺灣舉辦了一場媒體活動，重點宣傳其最新的48V電源模塊平臺。此次活動吸引了眾多媒體及行業(yè)專家的關(guān)注，凸顯了Vicor在電源管理領(lǐng)域的創(chuàng)新實力和市場策略。Vicor在活動中強(qiáng)調(diào)，其模塊化設(shè)計在市場上的競爭優(yōu)勢與眾不同。與許多傳統(tǒng)的美系電源管理IC廠商和IDM(集成設(shè)備制造商)不同，Vicor并不將所有功能整合在一塊電

  Vicor 電源模塊

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• 發(fā)布了文章 2025-03-24 11:36

  浮思特 | 創(chuàng)新互補(bǔ)模型：提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計與仿真的新方法

  

  功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下，我們將電子設(shè)備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件，盡管這可能是一個不太精確的術(shù)語。在許多實際情況下，電子設(shè)備可以建模為一個可變電阻，其在導(dǎo)通狀態(tài)下的值非常低，而在阻斷狀態(tài)下的

  仿真 功率電子 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麥格理集團(tuán)出售亞利桑那州晶圓廠二號

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(tuán)(MacquarieGroup)，負(fù)責(zé)其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號的市場推廣與出售。這標(biāo)志著Microchip在調(diào)整其制造規(guī)模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，專注于微控制器、模擬半導(dǎo)體、閃存等領(lǐng)域。公司在技術(shù)

  microchip 半導(dǎo)體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計中的優(yōu)勢

  

  使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復(fù)電荷，使設(shè)計師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統(tǒng)。然而，盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優(yōu)勢，這些開關(guān)類型與經(jīng)過驗證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni

  LLC變換器 SiC MOSFET 電源開關(guān)

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• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:18

  Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD)封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1

  MOSFET Nexperia SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:16

  SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合，提升電力轉(zhuǎn)換性能

  

  使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC肖特基二極管SiC肖特基二極管相較于標(biāo)準(zhǔn)的硅p/n二極管提供了許多優(yōu)勢。一個關(guān)鍵優(yōu)勢是缺乏反向恢復(fù)損失，這種損失在p/n二極管中尤為顯著，特別是在高溫、快速切換和高電

  MOSFET SiC 肖特基勢壘二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:15

  Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC

  

  近日，納維塔斯半導(dǎo)體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會上，宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)，此舉被業(yè)界譽(yù)為在可再生能源和電動汽車等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的“范式轉(zhuǎn)變”。納維塔斯首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人基恩·謝里丹在新聞發(fā)布會上指出，這款新型雙向GaNIC在效率、體積、重量和成本等多個方面都達(dá)到了行業(yè)頂尖水平。納維塔斯在大會上推出的雙向Ga

  GaN Navitas 功率IC

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• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:10

  DSA技術(shù)：突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案

  

  為了補(bǔ)償光子不足，制造商可能會增加曝光劑量，這又會延長光刻過程中停留的時間。然而，這種做法直接影響了生產(chǎn)效率，使得整個過程變得更慢，經(jīng)濟(jì)性降低。此外，隨著幾何尺寸的縮小以適應(yīng)更小的技術(shù)節(jié)點，對更高劑量的需求也加劇，從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù)：一種革命性的方法DSA技術(shù)通過利用嵌段共聚物的分子行為來解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個或多個化學(xué)性

  DSA EUV 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:34

  onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本

  

  近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業(yè)內(nèi)的一項重大技術(shù)進(jìn)步。新一代EliteSiCSPM31IPM在體積上保持了最緊湊的設(shè)計，相較于傳統(tǒng)的場停7IGBT技術(shù)，具有更顯著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶體管

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