動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-16 10:55

  垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

  

  垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法。這項(xiàng)技術(shù)為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電源適配器和數(shù)據(jù)中

  GaN MOS 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 11:06

  三星推出全新無線充電芯片S2MIW06，支持最高50W無線快充

  

  2025年1月14日，全球科技巨頭三星正式宣布推出其最新的無線充電芯片S2MIW06。這款芯片以其突破性的性能與全面兼容性迅速引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。S2MIW06不僅支持最高50W的無線快充，還具備反向無線充電功能，為用戶提供了更高效便捷的無線充電解決方案。作為無線充電技術(shù)領(lǐng)域的又一重要里程碑，三星S2MIW06芯片將無線充電功率提升至最高50W，這將使充電

  充電芯片 無線充電 無線快充

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 11:01

  高壓逆變器中的載波基礎(chǔ)PWM技術(shù)比較

  

  高壓逆變器是可再生能源系統(tǒng)的重要組成部分，這些逆變器依賴脈寬調(diào)制(PWM)來控制電力轉(zhuǎn)換過程。PWM使得波形生成和電力質(zhì)量的精確控制成為可能，同時(shí)有效地抑制諧波。通過調(diào)節(jié)電壓脈沖的寬度，可以在高壓逆變器中近似出所需的交流波形，從而實(shí)現(xiàn)有效且平穩(wěn)的電力傳輸給負(fù)載。載波波形的形狀在與參考信號進(jìn)行比較時(shí)區(qū)分了不同的PWM技術(shù)。主要的三種載波基礎(chǔ)PWM技術(shù)包括三角波

  PWM 電力轉(zhuǎn)換器 逆變器 高壓逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 11:04

  2024全球半導(dǎo)體市場增長，區(qū)域表現(xiàn)分化趨勢明顯

  

  根據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2024年11月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到578億美元，環(huán)比增長1.6%，連續(xù)第八個(gè)月實(shí)現(xiàn)月度增長，同時(shí)也創(chuàng)下了新的歷史紀(jì)錄。這一數(shù)據(jù)表明，全球半導(dǎo)體行業(yè)在經(jīng)歷過去幾年的波動(dòng)后，正在持續(xù)復(fù)蘇并保持強(qiáng)勁的增長態(tài)勢。在全球半導(dǎo)體銷售表現(xiàn)中，美洲地區(qū)成為最大的亮點(diǎn)。11月，美洲地區(qū)的銷售額達(dá)到195億美元，占全球總額的

  半導(dǎo)體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 11:02

  高電壓轉(zhuǎn)換器與電動(dòng)車應(yīng)用：NPC多電平逆變器為何如此關(guān)鍵?

  

  隨著能源需求的持續(xù)增長，電流在傳輸和利用過程中出現(xiàn)了許多問題。特別是，智能電網(wǎng)的增長和可再生能源的使用對電能的“質(zhì)量”提出了更高的要求，例如減少諧波和在電網(wǎng)中平衡有功與無功功率的能力，因此需要使用靜態(tài)無功補(bǔ)償器(STATCOM)。簡單來說，它們由電力電子設(shè)備組成，動(dòng)態(tài)提供無功功率支持，在負(fù)載或發(fā)電波動(dòng)期間幫助穩(wěn)定電壓水平。通常，它們位于高電壓側(cè)(從30kV到

  多電平逆變器 電動(dòng)車 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:41

  瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

  

  近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型MOSFET的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%，從而顯著減少了功率損耗，為

  MOSFET 功率MOSFET 瑞薩電子

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:40

  SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能？

  

  隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達(dá)175°C溫度下安全運(yùn)行的元器件?；趯捊麕Р牧?如碳化硅，SiC)制造的器件滿足了這一要求，并在這些應(yīng)用中越來越受歡迎。然而，即使是SiCMOSFET，在高溫下也會(huì)表現(xiàn)出復(fù)雜的行為，

  MOSFET SiC 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:55

  意法半導(dǎo)體推出全新IO-Link參考設(shè)計(jì) 助力智能工業(yè)應(yīng)用

  

  日前，全球知名的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)意法半導(dǎo)體正式發(fā)布了一款全新的IO-Link參考設(shè)計(jì)——EVLIOL4LSV1電路板。此產(chǎn)品以其強(qiáng)大的功能和高集成度，旨在為工業(yè)監(jiān)控和設(shè)備制造商提供高效可靠的一站式解決方案。EVLIOL4LSV1電路板采用了ST先進(jìn)的L6364Q雙通道IO-Link收發(fā)器和IPS4260L低邊功率開關(guān)。這種設(shè)計(jì)使得該電路板能夠直接連接到智能警示

  工業(yè) 意法半導(dǎo)體 電路板

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:52

  第六代雙極功率模塊如何推動(dòng)工業(yè)應(yīng)用的性能升級?

  

  雙極模塊在工業(yè)工頻應(yīng)用中仍然是一種穩(wěn)健且具有成本效益的解決方案。盡管此類電路的基本操作方式?jīng)]有變化，但功率模塊的封裝技術(shù)卻在不斷進(jìn)步。自1975年SEMIPACK隔離底板整流模塊問世以來，它已發(fā)展成為一個(gè)覆蓋多種電流和拓?fù)涞拇笮彤a(chǎn)品系列，成為50/60Hz整流器和交流控制器的標(biāo)準(zhǔn)，并廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)及過程控制等市場。SEMIPAC

  二極管 功率模塊 工業(yè)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 11:40

  安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠，助力技術(shù)布局！

  

  近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布，以2000萬美元的價(jià)格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化鎵(GaN)晶圓制造廠。這項(xiàng)交易受到業(yè)界廣泛關(guān)注，標(biāo)志著安森美在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步布局。該晶圓制造廠最初由紐約州政府斥資近1億美元建造，旨在推動(dòng)當(dāng)?shù)叵冗M(jìn)制造業(yè)的發(fā)展。然而，由于市場波動(dòng)和企業(yè)運(yùn)營問題

  GaN 安森美 晶圓制造

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