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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅動、MCU等硬件知識,行業(yè)應用和解決方案,以及電子相關的行業(yè)資訊。

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-05-19 11:30

    歐洲投資銀行計劃籌集700億歐元:致力于AI和半導體發(fā)展

    當地時間5月17日,歐洲投資銀行(EIB)行長納迪婭·卡爾維尼奧在一次會議上透露,該行正在推進一項雄心勃勃的新計劃,旨在到2027年籌集700億歐元,以提升歐洲在人工智能和半導體等關鍵技術領域的能力。此項計劃被視為“科技歐盟”項目的一部分,標志著歐盟在全球高科技競爭中的進一步發(fā)展和戰(zhàn)略布局??柧S尼奧在會議上強調,面對全球科技競爭的加劇,尤其是在人工智能和半
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-19 11:29

    浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解:原理、計算與應用指南

    下拉電阻是電子電路設計中的重要組成部分,尤其在處理數字邏輯、晶體管和通信接口時。本教程將系統(tǒng)講解其基本原理、計算方式、應用場景、選型要點、功耗考量,以及在晶體管和串行通信線路中的實際應用。什么是下拉電阻?下拉電阻是連接在信號線(如微控制器輸入引腳或晶體管柵極)與地(GND)之間的電阻元件。其主要功能是確保當信號線無主動驅動時,能穩(wěn)定維持在確定的低邏輯電平(通
  • 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:09

    AI驅動半導體產業(yè)爆發(fā)式增長 2030年全球產值或突破萬億美元大關

    全球半導體產業(yè)正迎來新一輪增長周期。臺積電全球業(yè)務資深副總經理張曉強近日透露,在人工智能(AI)技術的強勁推動下,2025年全球半導體產業(yè)同比增長率預計將超過10%。更值得關注的是,到2030年,全球半導體行業(yè)總產值有望達到1萬億美元規(guī)模,其中AI相關應用將貢獻近半壁江山。2024年被業(yè)界普遍視為"AI元年",生成式AI技術的爆發(fā)性發(fā)展對半導體產業(yè)產生了深遠
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-16 11:08

    浮思特 | 從IGBT到超結MOSFET:超結MOSFET成冰箱變頻技術新寵

    目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規(guī)模約為750億美元。預計該市場將以6.27%的年復合增長率持續(xù)增長,到2032年將達到約1200億美元。當前冰箱壓縮機驅動主要采用兩種硅基技術:一種是IGBT,另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術中,高壓MOSFET的采用正在加速,這主要得益于兩大趨勢。第一個趨勢是冰箱壓縮機系統(tǒng)的變頻化,通過
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:20

    PCIM 2025:面向電動汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件

    隨著全球電氣化進程加速,工程師們面臨著一個核心難題:如何在更緊湊的空間內實現(xiàn)更高功率密度,同時不犧牲散熱性能與長期可靠性。無論是電動汽車、可再生能源系統(tǒng)還是先進工業(yè)設備,傳統(tǒng)硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開關速度、更嚴苛的能效要求以及日益復雜的應用場景,都在呼喚性能更強的功率半導體解決方案。為應對這些挑戰(zhàn),SemiQ、英飛凌、安世半導體和納微半導體四
  • 發(fā)布了文章 2025-05-14 11:18

    SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開啟高壓高效新時代

    自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來,基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經歷了顯著進化。雖然GE最早實現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化,但東芝公司通過解決閂鎖效應問題,大幅拓展了這一功率器件的商業(yè)應用版圖。隨后,眾多廠商的加入推動該器件在電力轉換和電機驅動等領域的廣泛應用。時至今日,全球已有約20家主要供應商,市場規(guī)模從最初的數百萬美元擴展
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-13 11:23

    全球功率半導體市場規(guī)??s減 比亞迪半導體首進前十

    2025財年第二季度,英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財報,顯示全球功率半導體市場規(guī)模已縮減至323億美元,這一變化標志著市場格局的顯著調整。在這份財報中,英飛凌盡管依然穩(wěn)坐市場首位,但其市場份額同比下降了2.9個百分點,降至17.7%。這一趨勢引發(fā)了業(yè)界的廣泛關注,尤其是在全球經濟環(huán)境不確定性加大的背景下。根據
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-13 11:21

    半導體芯片的ESD靜電防護:原理、測試方法與保護電路設計

    半導體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實現(xiàn)元件級保護,我們采用片上ESD保護電路來提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設備面臨的常見威脅。當ESD事件發(fā)生時,一定量的電荷會在兩個物體間轉移(例如從人體到集成電路)。這種電荷轉移可能導致極高電流在極短時間內流經芯片,若器件無法快速耗散能量就會造成損壞。ESD威脅貫穿產品全生命周期:在制造組
  • 發(fā)布了文章 2025-05-08 11:09

    Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

    近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管,SiCMOSFET),這些新產品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產品在性能指標(FoM)上處于行業(yè)領先水平,之前僅提供工業(yè)級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標準認證,這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應用場景,包括車載充電器(OBC)、電動車
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-08 11:08

    基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器

    對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題,而驅動電路在這些方面都起著關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率,還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器
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企業(yè)信息

認證信息: 浮思特科技

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公司介紹:深圳市浮思特科技有限公司半導體行業(yè)12年企業(yè),為客戶提供從產品選型到方案研發(fā)一站式服務。主營范圍是電子方案開發(fā)業(yè)務和電子元器件代理銷售,專注在新能源、電動汽車及充電樁、家用電器、觸控顯示,4大領域的方案研發(fā),為客戶提供從方案研發(fā)到選型采購的一站式服務。公司產品線分為4大類:新能源、電動汽車及充電樁、家用電器、觸控顯示。各產品線已有穩(wěn)定合作中的大客戶群體。公司有12年的電子元器件研發(fā)經驗沉淀和代理銷售經驗,內部流程完整、組織架構清晰,服務客戶超萬位。有專利信息11條,著作權信息41條,是一家長期、持續(xù)追求核心技術的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶豐明源、敦泰電子、希磁科技、奧倫德、里陽。公司主要銷售電子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二極管、碳化硅二極管/碳化硅MOSFET、光耦。

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