動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-07-09 09:58
混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車的最優(yōu)解?
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開關(guān)損耗和較慢開關(guān)速度會(huì)降低系統(tǒng)效率，尤其在高頻和低負(fù)載工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進(jìn)工藝?；旌蟂iC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-08 10:28
浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對(duì)高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時(shí)分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導(dǎo)通電阻(Rsp)與短路耐受時(shí)間(SCWT)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路。PowerMaster擴(kuò)展了其增強(qiáng)型碳化硅(eSiC)MOSFE -
發(fā)布了文章 2025-07-07 10:33
臺(tái)積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù)，力積電接手相關(guān)訂單
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電退出GaN市場(chǎng)的原因主要與中國(guó)大陸市場(chǎng)的低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)有關(guān)。近年來(lái)，隨著氮化鎵技術(shù)的成熟和應(yīng)用需求的增長(zhǎng)，許多廠商紛紛進(jìn)入這一領(lǐng)域，導(dǎo)致價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇。面對(duì)不斷上 -
發(fā)布了文章 2025-07-07 10:32
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發(fā)布了文章 2025-07-04 09:59
浮思特 | 紅外熱成像原理與技術(shù)應(yīng)用詳解
紅外熱成像技術(shù)，如同賦予人類“感知溫度”的視覺，通過捕捉物體散發(fā)的紅外輻射，將不可見的溫度分布轉(zhuǎn)化為清晰的圖像。這項(xiàng)技術(shù)正深刻地改變著我們觀察和理解世界的方式，從工業(yè)設(shè)備的精密檢測(cè)、安防監(jiān)控的穿透洞察，到智能環(huán)境的高效控制，其應(yīng)用日益深入生活與生產(chǎn)的方方面面。本文將帶您了解紅外熱成像的基礎(chǔ)原理、核心波段特性及其廣泛的應(yīng)用前景，探索這項(xiàng)技術(shù)如何將無(wú)形的熱能轉(zhuǎn)化 -
發(fā)布了文章 2025-07-03 10:23
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發(fā)布了文章 2025-07-03 10:20
電子設(shè)備NMB散熱風(fēng)扇核心技術(shù)：從基礎(chǔ)選型到耐環(huán)境設(shè)計(jì)
散熱風(fēng)扇是電子設(shè)備內(nèi)部用于關(guān)鍵熱管理的核心組件，其作用遠(yuǎn)超簡(jiǎn)單的“吹風(fēng)”，涵蓋散熱、通風(fēng)及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術(shù)特性對(duì)于設(shè)備設(shè)計(jì)與可靠性至關(guān)重要。散熱風(fēng)扇的基本分類散熱風(fēng)扇主要依據(jù)輸入電源和氣流動(dòng)力學(xué)原理分類：按電源：交流風(fēng)扇(ACFan)：直接使用交流電網(wǎng)供電。直流風(fēng)扇(DCFan)：使用直流電源，通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V)，功 -
發(fā)布了文章 2025-07-02 09:52
東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管，延續(xù)摩爾定律提供新思路
據(jù)報(bào)道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能，遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí)，顯示出其在高壓和高溫等極端條件 -
發(fā)布了文章 2025-07-02 09:47
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來(lái)越多的產(chǎn)品中。無(wú)論產(chǎn)品是便攜式還是固定式，大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此，采用了電力電子技術(shù)，供應(yīng)商們開發(fā)了豐富的開關(guān)器件供各種應(yīng)用選擇。如今電力電子的趨勢(shì)是使用半導(dǎo)體開關(guān)器件來(lái)整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I917瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-07-01 10:15
大基金三期聚焦微影技術(shù)與芯片設(shè)計(jì)工具，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
近日，彭博社報(bào)道，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期(以下簡(jiǎn)稱“大基金三期”)正計(jì)劃將投資重點(diǎn)放在微影技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)工具等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一舉措旨在減少中國(guó)在高端半導(dǎo)體技術(shù)方面對(duì)國(guó)際巨頭的依賴，尤其是在荷蘭ASML、美國(guó)益華電腦(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主導(dǎo)的領(lǐng)域。大基金三期的成立是中國(guó)政府推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。自2014年以來(lái)486瀏覽量
