英飛凌工業(yè)半導體文章

• 英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品2023-11-21 08:14

  

  英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器

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• 英領綠色能源｜產(chǎn)學聯(lián)動，探討實現(xiàn)“雙碳”更優(yōu)解2023-11-19 08:13

  

  作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日第一期上線現(xiàn)在開約！雙碳，一個持續(xù)熱門的話題，可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發(fā)展邏輯，從產(chǎn)業(yè)宏觀和底層科技綜合視角來探討實現(xiàn)“雙碳”目標的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動，結(jié)合產(chǎn)業(yè)熱點，打造業(yè)界獨家欄目！在這檔欄目中，通過研究“雙

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• 產(chǎn)學聯(lián)動，探討實現(xiàn)“雙碳”更優(yōu)解2023-11-17 08:14

  

  作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日（下周二）第一期上線現(xiàn)在開約！雙碳，一個持續(xù)熱門的話題，可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發(fā)展邏輯，從產(chǎn)業(yè)宏觀和底層科技綜合視角來探討實現(xiàn)“雙碳”目標的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動，結(jié)合產(chǎn)業(yè)熱點，打造業(yè)界獨家欄目！在這檔欄目中，通

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• 碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來哪些創(chuàng)新設計2023-11-17 08:14

  

  我們常說，一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設計。那么，基于寬禁帶半導體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn)，將給電力電子系統(tǒng)設計帶來哪些顛覆性的改變？英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部技術(shù)總監(jiān)沈嵩先生，在2023英飛凌工業(yè)功率技術(shù)大會（IPAC）上，發(fā)表了《CoolSiCMOSFET賦能電力電子系統(tǒng)的創(chuàng)新設計》的演講，點擊視頻可觀看回放。點擊上方視頻即可進行觀看對于不方便看視頻

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• 一步步糾正關于SiC MOSFET短路認知誤區(qū)2023-11-06 08:14

  

  本期是和ChatGPT辯論的第五回合，英飛凌趙工出場了（第四回合回顧）。趙工內(nèi)心OS：往期雖然ChatGPT有時表現(xiàn)得可圈可點，但有時也不知所云。都說人工智能模型需要訓練，它會自我學習迭代。不如今天來刻意訓練一下ChatGPT，或許就能獲得一只精通功率器件的AI，將來就能替我回復客戶問題？Q為什么SiCMOSFET的短路時間通常比IGBT短？SiCMOSFE

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• 英飛凌科技TRENSTOP™ IGBT7 1200V系列榮膺2023年Aspencore電子成就獎2023-11-04 08:14

  

  11月2日，英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域，榮獲2023年Aspencore電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能被動/分立器件”（HighPerformancepassive/DiscreteDevicesoftheYear!）獎項，再次展

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• OBC PFC車規(guī)功率器件結(jié)溫波動與功率循環(huán)壽命分析2023-11-03 08:14

  

  應用背景隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(OBC)作為電網(wǎng)與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備，也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅(qū)電控逆變器，電源類OBC產(chǎn)品復雜度高，如何實現(xiàn)其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優(yōu)化與平衡，一直是OBC不斷技術(shù)迭代與產(chǎn)品革新的方向。在上述OBC與可靠性的背景下，針對車

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• 商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接2023-10-28 08:14

  

  作者簡介作者：OmarHarmon,ZhenboZhao,LukasHein翻譯：ZhaoKai/摘要/今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的T

  半導體 封裝 焊接 1416瀏覽量

• 人機大戰(zhàn)之如何計算IGBT壽命——ChatGPT越戰(zhàn)越勇2023-10-19 08:14

  

  本期是和ChatGPT辯論的第四回合（第三期回合回顧），本期ChatGPT大顯神威，抗住了資深FAE的連環(huán)追問，答案有模有樣。

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• NPC2三電平拓撲橫管過壓保護開關邏輯2023-10-13 08:14

  

  NPC2三電平拓撲因為其效率高，諧波含量低，在光伏逆變器設計中應用非常廣泛。由下圖可以看到，NPC2由四個開關管構(gòu)成，包含豎管T1/T4，橫管T2/T3。在市電異?；蛘吣孀兤飨到y(tǒng)故障時，逆變器是否需要特殊的開關邏輯，對NPC2拓撲中的橫管進行過壓保護呢？我們以橫管T2/3采用50A650VH5IGBTIKW50N65H5，豎管T1/4為40A1200VS6I

  保護開關 光伏 逆變器 1822瀏覽量