英飛凌工業(yè)半導體文章

• 英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場2023-10-12 08:14

  

  基于碳化硅（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢，為實現(xiàn)新應用和推進充電站技術(shù)創(chuàng)新創(chuàng)造了機會。近日，英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200VCoolSiCMOSFET功率半導體器件，用于提升電動汽車充電站的效率。英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁PeterWawe

  充電 半導體 新能源汽車 英飛凌 2095瀏覽量

• 熱泵及其諧波電流解決方案2023-09-23 08:16

  

  1熱泵簡介熱泵，英文heatpump，它有2個定義，定義1：從低溫熱源吸熱送往高溫熱源的循環(huán)設(shè)備。定義2：以消耗一部分高品位能源(機械能、電能或高溫熱能)為補償,使熱能從低溫熱源向高溫熱源傳遞的裝置。所以，熱泵廣泛用于冬天取暖，產(chǎn)生熱水，工業(yè)烘干，溫室養(yǎng)殖等。簡單講，熱泵就是一個能量的搬運工，對于用戶而言，花了一份電費，獲得了四份甚至更多的熱量，這多出來的熱

  電流 裝置 設(shè)備 885瀏覽量

• IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？2023-09-16 08:32

  

  IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？

  IGBT 器件 電壓 4631瀏覽量

• 搭載1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封裝功率密度2023-09-14 08:16

  

  繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。目標應用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進一步拓展了PrimePACK封

  IGBT 封裝 芯片 英飛凌 1317瀏覽量

• ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj2023-09-09 08:16

  

  ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj

  ChatGPT IGBT 器件 1533瀏覽量

• ChatGPT真的懂IGBT嗎2023-09-04 16:26

  

  ChatGPT是部萬寶全書，請鑒定一下她是否缺個角，看看她是在一本正經(jīng)地胡說八道，還是一位真知灼見的專家。本期是和ChatGPT辯論的第

  ChatGPT IGBT 電阻 832瀏覽量

• 具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC™ MOSFET M1H2023-08-25 08:16

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設(shè)立“綠色能源與工業(yè)”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域8月29日-31日，我們現(xiàn)場不見不散！點擊上方圖片，了解更多本次展會上，英飛凌將展出豐富的SiC系列產(chǎn)品，包括CoolSiCMOSFET以及相應的驅(qū)動評估板CoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFETEasy2B三電

  MOSFET SiC 電壓 1022瀏覽量

• 談?wù)凷iC MOSFET的短路能力2023-08-25 08:16

  

  談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

  IGBT MOSFET SiC 電壓 短路 2677瀏覽量

• 如何更好的使用EiceDRIVER™ IC驅(qū)動SiC MOSFET2023-08-17 09:27

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設(shè)立“綠色能源與工業(yè)”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域碳化硅（SiCMOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER1

  IC MOSFET SiC 驅(qū)動 1758瀏覽量

• 來自英飛凌開發(fā)者社區(qū)的10問10答——IGBT篇2023-08-02 08:17

  

  Q在IGBT器件的開通過程中，柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關(guān)系。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下三個區(qū)域。

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