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英飛凌零碳之路——2023年度盤(pán)點(diǎn)(1)2023-12-29 08:14
2023年,對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而是言充滿挑戰(zhàn)和機(jī)遇的一年。根據(jù)英飛凌2023年9月最新財(cái)報(bào),英飛凌2023財(cái)年銷售額同比增長(zhǎng)15%至163.9億歐元,刷新了歷史最高。其中,零碳綠色能源領(lǐng)域貢獻(xiàn)了約13%的年度營(yíng)收。根據(jù)Omdia9月公布的最新數(shù)據(jù),英飛凌功率半導(dǎo)體器件繼續(xù)穩(wěn)居全球第一,占據(jù)超20%的市場(chǎng)份額。今天,小編帶著大家一起來(lái)盤(pán)點(diǎn)下2023年英飛凌在零碳道 -
英飛凌入選全球最具可持續(xù)發(fā)展能力的企業(yè)2023-12-22 08:14
英飛凌科技再次入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展全球指數(shù)(DowJonesSustainabilityWorldIndex),標(biāo)普全球(S&PGlobal)日前在美國(guó)紐約公布了相關(guān)評(píng)估報(bào)告。負(fù)責(zé)可持續(xù)發(fā)展相關(guān)業(yè)務(wù)的英飛凌科技管理委員會(huì)成員、首席數(shù)字化轉(zhuǎn)型官ElkeReichart負(fù)責(zé)可持續(xù)發(fā)展相關(guān)業(yè)務(wù)的英飛凌科技管理委員會(huì)成員、首席數(shù)字化轉(zhuǎn)型官ElkeReichart表示 -
門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響2023-12-22 08:14
/引言/對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門(mén)極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門(mén)極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響,而今天我們來(lái)一起看看門(mén)極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗,開(kāi)關(guān)損耗和短路性能來(lái)分別討論。1對(duì)導(dǎo)通損耗的影響無(wú)論是MOSFET還是IGBT,都是受門(mén)極控制的器件。在相同電流的條件下,一般門(mén)極電壓用得越高,導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T(mén)極電壓越高意味著溝道反型 -
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里2023-12-16 08:14
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的電機(jī)應(yīng)用中,SiC仍然具有不可比擬的優(yōu)勢(shì),他們是:1低電感電機(jī)低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān) -
擴(kuò)展 IGBT7 產(chǎn)品組合,實(shí)現(xiàn)bast-in-Class功率密度2023-12-11 17:31
我們已經(jīng)介紹過(guò)關(guān)于采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)。秉承"越多越好"的宗旨,英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7技術(shù)的產(chǎn)品系列,其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合,重點(diǎn)如下:1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度,可用于商用車和農(nóng)用車(CAV) -
感應(yīng)加熱原理與IGBT應(yīng)用拓?fù)浞治觯ㄉ希?/a>2023-12-09 08:14
經(jīng)常遇到很多同事和朋友問(wèn):為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT,這種應(yīng)用的IGBT需要有什么特點(diǎn)?今天我們就給大家詳細(xì)解釋感應(yīng)加熱的原理和感應(yīng)加熱的拓?fù)浞治?。在理解電磁感?yīng)加熱的原理之前,先問(wèn)自己一個(gè)問(wèn)題,假如這個(gè)世界上沒(méi)有電磁爐,你要燒開(kāi)一鍋水,會(huì)怎么做?最常見(jiàn)的方式,就是點(diǎn)燃爐灶,把鍋架在火上。圖1.傳統(tǒng)燃?xì)饧訜崛欢@種方法是間接的加熱方式,先由熱源加熱鍋 -
英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度2023-12-02 08:14
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英飛凌EiceDRIVER™技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)2023-12-01 08:14
碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低,開(kāi)關(guān)速度快,dv/dt高,短路時(shí)間小,對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的選擇、驅(qū)動(dòng)參數(shù)配置及短路響應(yīng)時(shí)間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC英飛凌工業(yè)功率技術(shù)大會(huì)上,發(fā)表了《英飛凌EiceDRIVER技術(shù)以及應(yīng)對(duì)SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)的挑戰(zhàn)》的演講,詳細(xì)剖析了SiCMOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的需求,以及我們 -
增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量2023-11-28 08:13