深圳市浮思特科技有限公司文章

• 浮思特 | 散熱風(fēng)扇如何進行高效運作：核心組件與技術(shù)解析2025-06-18 10:04

  

  在現(xiàn)代電子設(shè)備、工業(yè)機械乃至數(shù)據(jù)中心的心臟地帶，散熱風(fēng)扇如同無聲的守護者，其效率直接決定了系統(tǒng)的穩(wěn)定與壽命。國際能源署報告指出，建筑冷卻系統(tǒng)能耗占全球總電力消耗近20%，這使得高效散熱技術(shù)不僅是性能需求，更是節(jié)能環(huán)保的關(guān)鍵。核心驅(qū)動力：風(fēng)扇如何高效散熱?散熱風(fēng)扇的本質(zhì)是能量轉(zhuǎn)換器，其高效運作基于精密的氣動學(xué)原理：葉輪設(shè)計：作為核心氣動部件，葉輪的葉片幾何(角

  散熱風(fēng)扇 直流無刷電機 191瀏覽量

• 英飛凌科技宣布全新本土化戰(zhàn)略 迎接中國市場新機遇2025-06-17 10:15

  

  近日，英飛凌科技股份公司在慶祝進入中國市場30周年之際，正式發(fā)布了名為“在中國，為中國”的全新本土化戰(zhàn)略。這一戰(zhàn)略的推出，標(biāo)志著英飛凌在華發(fā)展的新階段，同時也表明了其對中國市場的堅定信心與承諾。根據(jù)英飛凌全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁潘大偉的介紹，未來五年內(nèi)，公司將加大對中國市場的投入，尤其是在生產(chǎn)制造和供應(yīng)鏈韌性方面。這一舉措不僅是對市場需求變化的積極響應(yīng)，

  半導(dǎo)體 英飛凌 552瀏覽量

• 浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗，結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析2025-06-17 10:10

  

  在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前，最受歡迎和常用的功率電子開關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而，這兩種組件在高電流應(yīng)用中都有一些限制。因此，我們轉(zhuǎn)向了另一種受歡迎的功率電子開關(guān)器件，稱為IGBT。TRINNOIGBT你可以將IGBT看作BJT和MOSFET的結(jié)合體，這些組件具有BJT的輸入特性和MOSFET的輸出特性。

  IGBT 功率電子 晶體管 1224瀏覽量

• 羅姆發(fā)布高效能100V功率MOSFET，助力AI服務(wù)器電源管理升級2025-06-11 10:35

  

  近日，羅姆半導(dǎo)體集團(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路設(shè)計。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性，滿足日益增長的人工智能計算需求。根據(jù)羅姆的介紹，新產(chǎn)品現(xiàn)在已在月產(chǎn)100萬個的規(guī)模上投入量產(chǎn)。這一產(chǎn)品的前道工序生產(chǎn)基地位于日本滋賀工廠，后道工序則是在泰國的OSAT(封裝和測試服務(wù))設(shè)施進行。這種全球化的生產(chǎn)布

  AI服務(wù)器 MOSFET 羅姆 445瀏覽量

• 紅外溫度計還是熱成像攝像機?哪種紅外傳感技術(shù)更適合2025-06-11 10:34

  

  在現(xiàn)代工業(yè)、科學(xué)和消費應(yīng)用中，非接觸式溫度測量已變得至關(guān)重要。無論您是在管理工業(yè)設(shè)備、監(jiān)測電氣系統(tǒng)、進行醫(yī)療篩查還是開展研發(fā)實驗，紅外(IR)感測技術(shù)都能夠在無需直接接觸的情況下實現(xiàn)精確的表面溫度評估。AI紅外攝像模組本文將探討兩種主流的紅外感測方法——紅外測溫儀和熱成像相機，幫助您確定哪種解決方案最適合您的技術(shù)需求。我們將深入了解它們的基本原理、性能差異以

  熱成像 紅外傳感器 紅外溫度計 187瀏覽量

• Real RGB OLED屏幕技術(shù)：開啟顯示屏新紀(jì)元2025-05-29 11:33

  

  近日，有消息透露，一種名為RealRGBOLED的新型屏幕技術(shù)正在測試中，預(yù)計將在今年年底至明年迎來大規(guī)模應(yīng)用。這一突破性的技術(shù)不僅有望改善現(xiàn)有OLED屏幕的性能，還將為各類電子設(shè)備的顯示效果帶來顯著提升。RealRGBOLED是一種改進型OLED(有機發(fā)光二極管)顯示技術(shù)，旨在解決傳統(tǒng)OLED屏幕常見的像素折損和燒屏等問題。傳統(tǒng)OLED屏幕通常采用PenT

  OLED Real 顯示屏技術(shù) 1142瀏覽量

• 浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發(fā)展2025-05-29 11:30

  

  電動汽車領(lǐng)域的發(fā)展日新月異：電動動力系統(tǒng)正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進，以提升車輛自主性和續(xù)航里程。車載充電器(OBC)作為這一發(fā)展的核心部件，必須在保持高效率的同時實現(xiàn)最小化的重量與體積。這一技術(shù)挑戰(zhàn)的解決還需確保成本控制在限定范圍內(nèi)。OBC用于交流充電，需接入電網(wǎng)單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間，三相充電則可支持11kW至

  SiC 模塊 車載充電器 480瀏覽量

• Power Integrations發(fā)布1700 V SiC開關(guān)集成電路，專為800 V電動汽車設(shè)計2025-05-28 11:42

  

  在全球電動汽車市場快速發(fā)展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關(guān)集成電路，專門為800V電動汽車系統(tǒng)設(shè)計。此款新產(chǎn)品基于InnoSwitch3-AQ反激式集成電路，旨在滿足電動汽車行業(yè)對高效、安全和緊湊電力轉(zhuǎn)換方案的需求。電動汽車的電池系統(tǒng)正逐漸向高電壓平臺(如800V)邁進，以提高能量密度和充電效率。然

  SiC 電動汽車 集成電路 317瀏覽量

• 浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑2025-05-28 11:38

  

  橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺灣研究團隊在工程襯底上開發(fā)1500V擊穿電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST®)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范

  GaN 功率器件 晶體管 196瀏覽量

• 臺積電加大投資布局 2納米制程研發(fā)取得積極進展2025-05-27 11:18

  

  近期，臺積電(TSMC)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長秦永沛在一次公開活動中表示，公司的2納米制程研發(fā)進展順利，未來將進一步推動技術(shù)創(chuàng)新與市場需求的匹配。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，臺積電計劃對位于高雄的晶圓22廠進行全期投資，預(yù)計總額將超過新臺幣1.5萬億元(約合500億美元)。在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，臺積電一直處于領(lǐng)導(dǎo)地位，其先進制程的技術(shù)實力備受矚目。作為全球最大的半導(dǎo)體

  半導(dǎo)體 臺積電 470瀏覽量