深圳市浮思特科技有限公司文章

• PCIM 2025：面向電動汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件2025-05-14 11:20

  

  隨著全球電氣化進程加速，工程師們面臨著一個核心難題：如何在更緊湊的空間內實現(xiàn)更高功率密度，同時不犧牲散熱性能與長期可靠性。無論是電動汽車、可再生能源系統(tǒng)還是先進工業(yè)設備，傳統(tǒng)硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開關速度、更嚴苛的能效要求以及日益復雜的應用場景，都在呼喚性能更強的功率半導體解決方案。為應對這些挑戰(zhàn)，SemiQ、英飛凌、安世半導體和納微半導體四

  SiC 功率器件 電動汽車 512瀏覽量

• SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開啟高壓高效新時代2025-05-14 11:18

  

  自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進化。雖然GE最早實現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化，但東芝公司通過解決閂鎖效應問題，大幅拓展了這一功率器件的商業(yè)應用版圖。隨后，眾多廠商的加入推動該器件在電力轉換和電機驅動等領域的廣泛應用。時至今日，全球已有約20家主要供應商，市場規(guī)模從最初的數(shù)百萬美元擴展

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• 全球功率半導體市場規(guī)?？s減 比亞迪半導體首進前十2025-05-13 11:23

  

  2025財年第二季度，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財報，顯示全球功率半導體市場規(guī)模已縮減至323億美元，這一變化標志著市場格局的顯著調整。在這份財報中，英飛凌盡管依然穩(wěn)坐市場首位，但其市場份額同比下降了2.9個百分點，降至17.7%。這一趨勢引發(fā)了業(yè)界的廣泛關注，尤其是在全球經(jīng)濟環(huán)境不確定性加大的背景下。根據(jù)

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• 半導體芯片的ESD靜電防護：原理、測試方法與保護電路設計2025-05-13 11:21

  

  半導體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實現(xiàn)元件級保護，我們采用片上ESD保護電路來提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設備面臨的常見威脅。當ESD事件發(fā)生時，一定量的電荷會在兩個物體間轉移(例如從人體到集成電路)。這種電荷轉移可能導致極高電流在極短時間內流經(jīng)芯片，若器件無法快速耗散能量就會造成損壞。ESD威脅貫穿產品全生命周期：在制造組

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• Nexperia推出新款汽車級SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性2025-05-08 11:09

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產品在性能指標(FoM)上處于行業(yè)領先水平，之前僅提供工業(yè)級版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標準認證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應用場景，包括車載充電器(OBC)、電動車

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• 基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅動器2025-05-08 11:08

  

  對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅動尤為重要。此類轉換器的快速開關需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題，而驅動電路在這些方面都起著關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率，還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器

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• 浮思特 | 創(chuàng)新燒結式溫度傳感器：實現(xiàn)功率電子器件精準溫控的關鍵突破2025-05-07 11:15

  

  燒結工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應用中，這種直接將半導體芯片及傳感器等相關無源元件固定于基板的技術，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結合碳化硅等寬禁帶半導體材料的使用，該技術可使功率電子器件的工作溫度突破200°C，顯著超越傳統(tǒng)焊接型硅基元件150°C的峰值溫度限制。隨著工作溫度提升，模塊整體過熱風險加劇，因此實現(xiàn)高精度、低延遲的溫度監(jiān)

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• 新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊2025-05-06 14:08

  

  近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，標志著電力電子技術的又一次進步。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相

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• AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架構2025-05-06 14:03

  

  本文將聚焦AI對數(shù)據(jù)中心架構的影響，以及這些變化對服務器和機架技術的意義。具體而言，我們將探討轉向48V架構如何提升數(shù)據(jù)中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何應用于服務器、機架及相關設備以支持這一架構演進。數(shù)據(jù)中心與電力當前數(shù)據(jù)中心約占全球總用電量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直觀來看，屆時全球數(shù)據(jù)中心的整體用電量將與當今印度全國的電力消耗規(guī)模相當

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• 芯聯(lián)集成2024年營收65.09億元：SiC業(yè)務領跑亞洲2025-04-30 11:54

  

  近日，國內半導體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績公告。數(shù)據(jù)顯示，公司全年實現(xiàn)營業(yè)收入65.09億元，其中主營業(yè)務收入62.76億元，同比增長27.8%;歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉正至1.03%，標志著公司經(jīng)營質量顯著提升。作為第三代半導體核心材料，碳化硅(SiC)的產業(yè)化進展備受關注。芯聯(lián)集成在SiCMOSFET領域表現(xiàn)亮眼，出貨量穩(wěn)居亞洲市

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