深圳市浮思特科技有限公司文章

• 博通斥資690億美元收購VMware后全球裁員已超2800人2023-12-04 16:02

  

  來自VMware內(nèi)部的消息透露，裁員總數(shù)可能在1萬至2萬之間。許多裁員是階段性進行的，時間跨度可能長達9個月。VMware的超過3.8萬名員工遍布全球各地，所以博通收購VMware交易后的裁員將會產(chǎn)生全球影響。

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• 汽車電氣化需求正在刺激封裝技術創(chuàng)新2023-12-04 16:01

  

  現(xiàn)代的汽車已由復雜的機械系統(tǒng)逐漸演變?yōu)閺碗s的計算機系統(tǒng)。文章著重探討了整合大量電子控制單元（ECUs）和轉(zhuǎn)向區(qū)域架構的挑戰(zhàn)和創(chuàng)新，關注點在于封裝創(chuàng)新如何釋放這場科技革命的潛力。如今的汽車已不再是我們熟悉的傳統(tǒng)車輛，它們更像是一臺裝有輪子的電子設備。

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• 碳化硅開啟功率半導體的新時代2023-12-01 17:49

  

  隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環(huán)境下工作的要求日益加大，碳化硅（SiC）因其制造和包裝成本高昂，推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變，根據(jù)PowerAmerica首席技術官Victor Veliadis介紹，目前SiC電力模塊的價格已經(jīng)與硅基模塊持平，這進一步促進了供應合作以及新的SiC工廠的建造。

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• 中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成2023-12-01 17:48

  

  長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM)，相比上一代 LPDDR4X，新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%，容量

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• 碳化硅的超強性能2023-12-01 17:46

  

  電力半導體的進步并不完全取決于節(jié)點尺寸的減小。硅電力開關，如MOSFETs和IGBTs，被設計用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開關管理著大量的電力！然而，他們的能力有限，這正推動著新材料如碳化硅（SiC）的開發(fā)。在這種材料中，電子開始自由運動需要的能量是普通硅的三倍。這種更寬的帶隙賦予了材料一些有趣的特性，如更快的開關速度和更高的功率

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• 中國TCL集團縮減其芯片設計的野心2023-12-01 17:45

  

  電視面板制造商TCL科技集團有限公司已關閉了一家專門設計顯示驅(qū)動芯片的子公司，退出了利潤空間正在縮小的市場領域：位于廣東省的總公司解散了Mooresilicon這個子公司，這是一家擁有不到100人的團隊。這一舉動對TCL科技的整體芯片發(fā)展策略影響甚微，公司仍在設計電源芯片。電源芯片是電子系統(tǒng)中控制電流流動的關鍵組件，它們被廣泛應用于從手機到電動車的各種產(chǎn)品中

  TCL 芯片 芯片設計 驅(qū)動芯片 976瀏覽量

• LG電子將進軍美國電動車充電市場2023-12-01 14:56

  

  LG電子計劃于2024年發(fā)布其首批交流和直流電動車充電站產(chǎn)品線，進軍美國迅速擴張的電動車充電器市場。正如LG商業(yè)解決方案美國公司的高級副總裁Nicolas Min所述，該產(chǎn)品線將包括2級和3級電動車(EV)充電器。這一發(fā)展將為各市、商業(yè)機構和其他公共場所提供新的機會，通過自主運營的充電站助力美國的電氣化進程。

  LG 充電樁 電動汽車 1318瀏覽量

• SiCMOSFET和IGBT在短路時的對比2023-12-01 14:54

  

  基于溝道的硅碳功率金氧半場效應晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關設備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應用的效率和功率密度，并降低了整體系統(tǒng)的成本。

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• 三菱電機與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導體開發(fā)2023-11-30 16:14

  

  三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發(fā)硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。

  LG Nexperia 三菱 半導體 696瀏覽量

• SiC MOS 、IGBT和超結MOS對比2023-11-30 16:12

  

  在經(jīng)過多年的技術積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為主導的鍵合部件領域。然而，在當今功率設備的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何種角色？

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