對(duì)一個(gè)成功設(shè)計(jì)的來(lái)說(shuō)保護(hù)電路是至關(guān)重要的，過(guò)流保護(hù)常用于電源電路中，用于限制電源的輸出電流?！斑^(guò)流”這個(gè)詞是指負(fù)載上的電流超過(guò)了電源的供給限度。這是很危險(xiǎn)的情況，而且很可能對(duì)電源造成損害。所以工程師們常用過(guò)流保護(hù)電路來(lái)將負(fù)載與電源的連接斷開(kāi)，從而保護(hù)兩者。

使用運(yùn)放打造過(guò)流保護(hù)

過(guò)流保護(hù)電路有許多種；其復(fù)雜程度取決于過(guò)流時(shí)保護(hù)電路的反應(yīng)速度有過(guò)快。這里我們來(lái)介紹使用運(yùn)放打造的過(guò)流保護(hù)電路，該設(shè)計(jì)可以輕易加入你的設(shè)計(jì)中去。

該設(shè)計(jì)加入了可調(diào)的過(guò)流閾值，同時(shí)還有失效時(shí)自動(dòng)重啟功能。因?yàn)檫@是一個(gè)基于運(yùn)放的過(guò)流保護(hù)電路，所以我們加入了運(yùn)放作為驅(qū)動(dòng)，這里用的是常見(jiàn)的LM358。下圖為L(zhǎng)M358的引腳圖。

上圖可以看出，在這個(gè)IC內(nèi)有兩個(gè)運(yùn)放通道。然而我們只需要用到其中的一個(gè)。運(yùn)放需要通過(guò)MOSFET來(lái)閉合（斷開(kāi)）輸出負(fù)載。這里我們采用N通道的MOSFET IRF540N。如果負(fù)載電流大于500mA的話(huà)，建議使用合適的MOSFET散熱器。以下是IRF540N的引腳圖。

為了給運(yùn)放和電路供電，還用到了LM7809線(xiàn)性穩(wěn)壓器。這是一個(gè)9V 1A的線(xiàn)性穩(wěn)壓器，且輸入電壓范圍廣。其引腳圖如下。

所需元器件

· 至少12V的電源

· LM358

· IRF540N

· 100uf/25V的電容

· 散熱器

· 50kΩ電位計(jì)

· 精度1%的1kΩ和100kΩ電阻

· 1MΩ電阻

· 1Ω分流電阻，額定功率為2W

過(guò)流保護(hù)電路

過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)思路是這樣的，運(yùn)放來(lái)感知電路是否有過(guò)流發(fā)生，基于結(jié)果我們驅(qū)動(dòng)MOSFET來(lái)將負(fù)載與電源相連/斷開(kāi)。電路圖如下。

過(guò)流保護(hù)電路的工作原理

可以從上述電路圖看出，MOSFET IRF540N在正常與過(guò)流情況下控制負(fù)載的連接與關(guān)斷。但在關(guān)閉負(fù)載之前，檢測(cè)到負(fù)載電流很重要。而用于檢測(cè)電流的方法就是通過(guò)分流電阻R1，這是一個(gè)1Ω 2W的分流電阻。其測(cè)量電流方法被稱(chēng)為分流電阻檢流。

當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載電流從MOSFET的漏極流向源極，最后通過(guò)分流電阻導(dǎo)向GND。基于負(fù)載電流，分流電阻會(huì)產(chǎn)生一個(gè)壓降，這樣我們可以用歐姆定律來(lái)進(jìn)行計(jì)算。假設(shè)1A的負(fù)載電流，則分流電阻上的壓降為1V，因?yàn)閂=I x R。所以將該電壓與使用運(yùn)放時(shí)的預(yù)設(shè)電壓相比，我們就可以檢測(cè)到過(guò)流并改變MOSFET的狀態(tài)，從而切斷負(fù)載。

運(yùn)放常被用于數(shù)學(xué)運(yùn)算，比如加法，減法和乘法等。然而，這個(gè)電路中，LM358的配置為比較器。由圖可知，該比較器會(huì)比較兩個(gè)值的大小。第一個(gè)值是分流電阻間的壓降大小，第二個(gè)值是用可調(diào)電阻或電位計(jì)RV1生成的預(yù)設(shè)電壓（參考電壓）。RV1的作用是分壓器。分流電阻間的壓降則導(dǎo)入比較器的反向引腳，而參考電壓則連接到比較器的同向引腳。

正因如此，如果感應(yīng)電壓小于參考電壓的話(huà)，比較器會(huì)在輸出生成正電壓（接近比較器的VCC），反之則為負(fù)電壓（接地，所以此處為0V）。因此電壓足夠控制MOSFET的開(kāi)關(guān)。

處理暫態(tài)響應(yīng)/穩(wěn)定性的問(wèn)題

但當(dāng)大負(fù)載與電源斷開(kāi)連接時(shí)，瞬間的改變會(huì)在比較器上產(chǎn)生一個(gè)線(xiàn)性區(qū)間，這會(huì)造成一個(gè)循環(huán)導(dǎo)致比較器無(wú)法正常開(kāi)關(guān)負(fù)載，且運(yùn)放會(huì)變得不穩(wěn)定。比如，假設(shè)用電位計(jì)將1A設(shè)置為MOSFET關(guān)斷的閾值。這時(shí)，比較器檢測(cè)到分流電阻間的壓降為1.01V，那么比較器會(huì)斷開(kāi)負(fù)載。暫態(tài)響應(yīng)提高了參考電壓，迫使比較器在一個(gè)線(xiàn)性區(qū)間工作。

解決該問(wèn)題的最好辦法就是在比較器上使用穩(wěn)定的電源，這樣瞬態(tài)改變不會(huì)影響比較器的輸入電壓和參考電壓。不僅如此，比較器上需要加入額外的滯后。在該電路中，我們使用的是線(xiàn)性穩(wěn)壓器LM7809和滯后電阻R4，100kΩ的電阻。LM7809位比較器提供了合理的電壓，這樣電源線(xiàn)上的暫態(tài)改變不會(huì)影響比較器。C1，100uF電容則用于輸出電壓的濾波。

滯后電阻R4將小部分輸入導(dǎo)入到運(yùn)放輸出上，從而在低閾值（0.99V）和高閾值（1.01V）間創(chuàng)造了一個(gè)電壓差。這樣達(dá)到閾值后比較器不會(huì)立即改變狀態(tài)，不僅如此，要使?fàn)顟B(tài)從高到低，那么檢測(cè)電壓應(yīng)低于低閾值（比如0.97V而不是0.99V），而要從低到高，檢測(cè)電壓應(yīng)高于高閾值（比如1.03而不是1.01）。這會(huì)提升比較器的穩(wěn)定性，并減少錯(cuò)誤出發(fā)的情況。R2和R3則用于控制MOSFET柵極，R3是MOSFET柵極下拉電阻。

設(shè)計(jì)建議

· 輸出端的RC緩沖電路可以有效提高EMI性能。

· 特殊情況下可以使用更大的散熱器及特定的MOSFET。

· 完善的PCB板可以提升電路的穩(wěn)定性。

· 分流電阻額定功率需要根據(jù)功率定律和負(fù)載電流進(jìn)行調(diào)整。

· 為了小封裝可以采用mΩ級(jí)的低阻值電阻，但其壓降會(huì)變少。為了補(bǔ)償壓降可以增加一個(gè)合適增益的放大器。

· 如果要提高檢流精度的話(huà)，建議使用獨(dú)立的檢流放大器。