9月2日，長江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計(jì)劃于2020年投放市場，并且正在針對(duì)在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:315472 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:555462 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領(lǐng)先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。
2011-01-26 22:22:052197 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲(chǔ)
2020-09-11 10:03:292569 SK海力士發(fā)布了全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB兩種存儲(chǔ)容量，產(chǎn)品已上架亞馬遜。
2020-08-19 13:59:423108 閃存。 ? ? 容量方面，該系列產(chǎn)品能夠提供內(nèi)存容量由6GB到12GB、閃存容量由128GB到512GB。 ? 性能方面，LPDDR5能夠支持25GB/s的讀寫速度，相較之前的LPDDR4X快1.5
2021-06-17 07:08:003266 的型號(hào)。Crucial提供的MX300在價(jià)格方面非常有競爭力，而三星的產(chǎn)品并非如此。 事實(shí)上，三星的非3D NAND SSD，像基于平面的16nm工藝的750 EVO，其成本就較低。 目前其他廠商也發(fā)布了3D
2017-11-17 14:30:57
近日，在3GSM世界大會(huì)上，Micron科技公司對(duì)外宣布推出新型圖像傳感器，該產(chǎn)品能為下一代相機(jī)移動(dòng)電話創(chuàng)造一個(gè)強(qiáng)大的圖像處理平臺(tái)。Micron科技公司的新型相機(jī)移動(dòng)電話傳感器是基于使用一個(gè)微小
2018-10-26 16:55:38
128GB容量。并且?guī)淼某杀緝?yōu)勢開始減弱，16nm制程后，繼續(xù)采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過3D技術(shù)，因此3D NAND開始成為主流。比如旺宏也計(jì)劃跟進(jìn)在2020年下半年實(shí)現(xiàn)48層128Mb的19nm
2020-11-19 09:09:58
慧榮科技的FerriSSD產(chǎn)品家族采用了哪些技術(shù)？溫度對(duì)數(shù)據(jù)保存的影響是什么？ 如何提高引導(dǎo)加載SSD的數(shù)據(jù)完整性、使用壽命和性價(jià)比？
2021-04-19 07:46:27
DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區(qū)Flash Memory業(yè)務(wù)總監(jiān)蘇治源表示，該公司NAND Flash產(chǎn)品去年
2022-02-10 12:26:44
IKD300SM/16GB/32GB閃存硬盤IKD300SM/64GB/128GB全球閃存產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)品牌(金士頓)Kingston今天將推出全新DataTraveler HyperX Predator
2022-02-10 12:13:59
聲稱，他們將在幾個(gè)月內(nèi)發(fā)布新型固態(tài)硬盤，初步解決這些問題。三星宣布將在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存，海力士也已經(jīng)宣布了26nm NAND閃存，不過Troy Winslow表示：“我們相信
2022-01-22 07:59:46
-3P1ASDCS2/256GB-3P1ASDCS2/512GB-3P1ASDCE/32GB/64GBSDCE/128GBSDCIT2/8GB/16GBSDCIT2/32GB/64GBDTVP30/4GB/8GB/16
2022-02-08 11:17:32
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
描述PMP10555 參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無線基站應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器 IC
2018-11-19 14:58:25
的存儲(chǔ)卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲(chǔ)卡起售價(jià)$199.99，對(duì)于一張存儲(chǔ)卡而言，這個(gè)定價(jià)可以算得
2015-12-16 11:31:26
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
嗨，大家好，我想知道聯(lián)想如何提供具有128GB RAM的Thinkpad P52 / P72選項(xiàng)所有配備這兩種型號(hào)的英特爾處理器（P52和P72）包括：第8代Intel?Core?i7-8750H8
2018-10-26 14:58:40
,TSOP 48封裝， 12*20mm。 4、穩(wěn)定性，CS創(chuàng)世 SD NAND的控制器是最新，內(nèi)部是SLC NAND。tSD/qSD內(nèi)部是TLC NAND Flash晶圓，只適合對(duì)價(jià)格很敏感的消費(fèi)類
2022-06-09 14:46:21
，優(yōu)化了
控制器，這些產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約8%，而寫入速度提高將近20%。 市場對(duì)于能夠
支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的
NAND閃存的需求繼續(xù)增長。帶
控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應(yīng)求，因?yàn)?/div>
2018-09-13 14:36:33
放到PLB上的解決方案。 Micron為NAND控制器提供VHDL內(nèi)核，我們可能會(huì)最終使用它，但只是想看看之前是否有人這樣做過。謝謝
2020-06-17 09:54:32
創(chuàng)始人J.Wong在魅族論壇中回應(yīng)網(wǎng)友質(zhì)疑時(shí)，也確認(rèn)了這就是Flyme 3.0系統(tǒng)?！ ×硗?，據(jù)消息人士透露，魅族MX3將會(huì)推出128GB版本，屆時(shí)MX3將可能出現(xiàn)16GB、32GB、64GB
2013-08-27 17:01:40
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器 我是一位在職者（北京），專業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2012-02-17 11:11:16
FLASH Controller/控制器，可以以源代碼（VHDL語言）或網(wǎng)表形式(提供使用手冊(cè))提供，功能包括：1. NAND Flash物理接口時(shí)序：支持PAGE READ、PROGRAM PAGE
2014-03-01 18:49:08
索尼VAIO SVP1321N2EB 英特爾?酷睿?第4代i3-4010U處理器3M緩存，1.70 GHz4GB Ram（Maximun高達(dá)16GB Ram）三星M2 SSD 128GB一世1.升級(jí)
2018-11-20 11:31:41
我有一臺(tái)英特爾SSD600p 128gb，安裝到PC后，不是我的設(shè)備管理器無法識(shí)別SSD，通過使用英特爾SSD工具箱，我只看到16GB，仍然無法使用它。我需要幫助重新格式化并使該設(shè)備適用于我的PC
2018-10-18 14:22:10
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
我使用TMS320C6657芯片，NAND Flash容量需要做到16GB(128Gb)，需要外接兩個(gè)8GB的NAND Flash芯片，我想使用EMIF16接口的EMIFCE0/1
2018-07-25 07:55:57
已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個(gè)塊包含32個(gè)512字節(jié)的頁，容量16KB；而大容量閃存采用2KB頁時(shí)，則每個(gè)塊包含64個(gè)頁，容量128KB。SLC、MLC和TLC
2018-06-21 14:57:19
筆者有個(gè)筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫，想升級(jí)一下，請(qǐng)問可以更換那些字庫？可以更換128GB的哪些型號(hào)？N3150 Braswell平臺(tái)
2020-06-09 06:36:04
, the bootloader reads device information from the NAND parameterspage.對(duì)于Micron NAND Flash型號(hào)：MT29F256G08，– Page
2019-01-24 06:31:34
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06909 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚
2010-03-23 11:58:41600 美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光獲獎(jiǎng)的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲(chǔ)存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合
2010-11-03 09:40:211653 
Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND閃存技術(shù)新基準(zhǔn) flash technology – 世界第一款20納米、128Gb的多層單元(MLC)器件。
2011-12-07 10:02:541875 SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產(chǎn)128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結(jié)構(gòu)，尺寸為0.26平方英寸，比一個(gè)一便士硬幣還要小，而傳輸速率可
2012-02-23 10:44:06847 
北京時(shí)間2月23日晚間消息，東芝周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit（16GB）NAND閃存芯片。
2012-02-24 08:39:43650 云端的存儲(chǔ)解決方案并不是適用于所有的移動(dòng)平臺(tái)用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲(chǔ)芯片。
2012-09-21 10:11:25879 隨著三級(jí)單元（簡稱TLC）NAND普及程度的穩(wěn)步提高，Silicon Motion公司正積極圖謀利用其于本周閃存存儲(chǔ)峰會(huì)上發(fā)布的最新SSD控制器進(jìn)一步加快上述趨勢。
2014-08-13 16:51:361272 2015年2月25日，中國北京—— All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （NASDAQ： XLNX）今日宣布，其16nm UltraScale+? 系列FPGA、3D
2015-03-02 09:59:29785 在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation， 納斯達(dá)克交易代碼： SIMO）今日宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。
2016-01-07 15:31:361389 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. ）宣布，16nm UltraScale+? 產(chǎn)品組合提前達(dá)成重要的量產(chǎn)里程碑，本季度開始接受量產(chǎn)器件訂單。
2016-10-13 11:10:521302 以賽靈思 20nm UltraScale 系列的成功為基礎(chǔ)，賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，憑借新型存儲(chǔ)器、3D-on-3D 和多處理SoC（MPSoC）技術(shù)，再次領(lǐng)先一代提供了遙遙領(lǐng)先的價(jià)值優(yōu)勢。
2017-02-11 16:08:11660 據(jù)悉，Helio P23依然采用16nm制程，已知特性包括基帶支持Cat.7、GPU直接移植自X30（PowerVR 7XT）。
2017-05-11 11:14:138282 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393395 
以下內(nèi)容來自于一網(wǎng)友，自己動(dòng)手將一臺(tái)16GB的iPhone 6 Plus升級(jí)到128GB。不過，拆機(jī)有風(fēng)險(xiǎn)，不建議普通用戶嘗試，大家看看就好。
2018-07-30 11:22:0010449 
慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation今日宣布旗下SM2256 SATA（6Gb/s）客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron（鎂光）新推出的16nm
2018-07-30 09:33:001577 近來，旗艦機(jī)的內(nèi)置存儲(chǔ)空間開始逐漸向基于UFS 2.0或eMMC 5.1標(biāo)準(zhǔn)的128GB過渡。
2018-08-06 11:45:001701 賽靈思公司 （Xilinx）今天宣布擴(kuò)展其16nm UltraScale+ 產(chǎn)品路線圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)。其成品將可以提供賽靈思業(yè)界領(lǐng)先的16nm FinFET+ FPGA與集成
2018-08-19 09:19:00968 了——NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進(jìn)一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進(jìn)步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND閃存跟處理器不一樣，先進(jìn)工藝雖然
2018-10-08 15:52:39395 九代酷睿處理器的內(nèi)存控制器可以支持16GB核心容量,單條32GB的DDR4內(nèi)存。
2018-10-25 14:21:404532 關(guān)鍵詞：東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商?hào)|芝公司宣布已開始采樣64GB的NAND閃存芯片，并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268 11月15日， 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對(duì)外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對(duì)外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:316838 在本視頻中，了解Xilinx采用高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）和CCIX技術(shù)的16nm Virtex UltraScale + FPGA的功能和存儲(chǔ)器帶寬。
2018-11-27 06:20:003624 配置方面，vivo Y93s搭載八核高性能處理器、4GB運(yùn)存，能夠滿足日常使用的需求。與此同時(shí)，vivo Y93s標(biāo)配128GB閃存，三卡槽設(shè)計(jì)最高支持256GB閃存拓展，即使再多的照片音樂游戲都能輕易安放。
2018-12-11 16:51:488337 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
近日，華碩官方宣布，通過UEFI BIOS更新，旗下Z390系列主板可支持128GB內(nèi)存。接下來，華碩將通過BIOS更新，陸續(xù)為旗下全線Z390系列主板提供最大128GB的內(nèi)存容量支持。
2019-01-11 17:05:432998 SM3267是一個(gè)USB 3.0單通道閃存驅(qū)動(dòng)器控制器，為SLC、MLC、TLC和高速切換和ONFI DDR NAND提供高性能和高兼容性。對(duì)于USB 3.0閃存磁盤應(yīng)用程序，此控制器支持多達(dá)4個(gè)NAND閃存設(shè)備的高容量。
2019-05-13 08:00:00
29 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）宣布：16nm UltraScale+ 產(chǎn)品組合提前達(dá)成重要的量產(chǎn)里程碑，本季度開始接受量產(chǎn)器件訂單。
2019-08-01 16:10:442295 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:152822 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481155 日前，@Redmi紅米手機(jī) 正式官宣，Redmi K30 5G的6GB+64GB/128GB版將于明天上午10點(diǎn)正式開售，售價(jià)分別為1999元和2298元，不過這兩個(gè)內(nèi)存版本只有“深海微光”一種顏色可選。
2020-01-13 11:45:25940 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲(chǔ)設(shè)備包含一個(gè)128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關(guān)當(dāng)前零件號(hào)的列表，請(qǐng)參見第0頁的“市場營銷零件
2020-07-01 08:00:006 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:193527 2020年4月13日，中國武漢，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557 2020年4月13日，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653 長江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:161889 全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:191922 全 球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:341883 芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT
2020-11-13 14:25:131552 特斯拉在中國官網(wǎng)上架128GB U盤。
2020-11-27 09:35:204103 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:091665 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 12月17日，電子產(chǎn)品回收平臺(tái)回收寶宣布，回收寶iPhone 12 128GB版直降700元，該版本在官網(wǎng)的售價(jià)為6799元，在回收寶的補(bǔ)貼價(jià)為6099元。并且“不限量、不缺貨、不砍單”！感興趣的朋友可以留意一下。
2020-12-18 10:54:141797 EE-344：在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427 在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 內(nèi)存控制器的未來與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣，它們受摩爾定律的約束。雖然存儲(chǔ)類存儲(chǔ)器 (SCM) 可能會(huì)因新架構(gòu)而獲得關(guān)注，但存儲(chǔ)器控制器市場仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27694 
存儲(chǔ)背后的大腦：NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的？ ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 ， 當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí) ， 只會(huì)談?wù)?NAND 閃存 ， 而忽略了控制器這一獨(dú)立
2022-09-05 14:42:551452 圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 
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