基于Crosslight先進的半導體器件仿真設計平臺,我司技術(shù)團隊已開發(fā)出可靠精準的雪崩光電探測器模型,在低反向偏壓下,暗電流在2.5 nA/cm2左右,隨著反向偏壓慢慢增加,暗電流緩慢增加,直到反向偏壓增加到161 V時,器件發(fā)生雪崩擊穿,造成暗電流驟增,280 nm波長的峰值響應度為0.11 A/W,仿真計算數(shù)據(jù)與實驗測試數(shù)據(jù)高度吻合。同時技術(shù)團隊還針對于SACM型雪崩光電探測器做了深入系統(tǒng)的研究,細致的研究了器件結(jié)構(gòu)設計過程中的一些敏感參數(shù)對于器件性能的重要影響,獲得器件關(guān)鍵指標與材料結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的依賴關(guān)系,找出器件的優(yōu)化設計規(guī)則,對于優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和提高器件性能具有重要的理論指導意義。
相關(guān)研究成果以"Optimization strategy of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Avalanche Photodiode Structure for High Ultraviolet Detection Efficiency"為題被權(quán)威期刊Nanoscale Research Letters錄用。
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