SN54ABT843 具有三態(tài)輸出的 9 位總線接口 D 類鎖存器

數(shù)據(jù)： 9-Bit Bus-Interface D-Type Latches With 3-State Outputs 數(shù)據(jù)表

描述

'ABT843 9位鎖存器專為驅(qū)動高電容或相對低阻抗負(fù)載而設(shè)計。它們特別適用于實現(xiàn)緩沖寄存器，I /O端口，雙向總線驅(qū)動器和工作寄存器。

九個透明D型鎖存器在輸出端提供真實數(shù)據(jù)。

緩沖輸出使能（OE \）輸入可用于將9個輸出置于正常邏輯狀態(tài)（高或低邏輯電平）或高阻態(tài)。在上電和斷電條件下，輸出也處于高阻態(tài)。器件斷電時，輸出保持高阻態(tài)。在高阻抗?fàn)顟B(tài)下，輸出既不會加載也不會顯著驅(qū)動總線。高阻抗?fàn)顟B(tài)和增加的驅(qū)動提供了驅(qū)動總線的能力，而無需接口或上拉組件。

OE \不會影響鎖存器的內(nèi)部操作。在輸出處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時，可以保留先前存儲的數(shù)據(jù)或輸入新數(shù)據(jù)。

為了確保上電或斷電期間的高阻態(tài)，OE \應(yīng)通過上拉電阻連接到V _CC;電阻的最小值由驅(qū)動器的電流吸收能力決定。

SN54ABT843的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內(nèi)工作。 SN74ABT843的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內(nèi)工作。

特性

最新技術(shù) EPIC - II B ^TM BiCMOS設(shè)計顯著降低功耗
每個JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD-17的閂鎖性能超過500 mA
典型的V _OLP（輸出接地反彈）＆lt; 1 V在V _CC = 5 V，T _A = 25°C
高驅(qū)動輸出（-32-mA I _OH，64-mA I _OL）
封裝選項包括塑料小外形（DW）和收縮小外形（DB）封裝，陶瓷芯片載體（FK），陶瓷扁平（W）封裝以及塑料（NT）和陶瓷（JT）DIP
EPIC-IIB是德州儀器公司的商標(biāo)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?觸發(fā)器/鎖存器/寄存器

?
Technology Family
VCC (Min) (V)
VCC (Max) (V)
Bits (#)
F @ Nom Voltage (Max) (Mhz)
ICC @ Nom Voltage (Max) (mA)
tpd @ Nom Voltage (Max) (ns)
Input Type
3-State Output
IOL (Max) (mA)
Output Type
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
?

SN54ABT843	SN74ABT843
ABT ? ?	ABT ? ?
4.5 ? ?	4.5 ? ?
5.5 ? ?	5.5 ? ?
9 ? ?	9 ? ?
150 ? ?	150 ? ?
34 ? ?	34 ? ?
7.2 ? ?	7.2 ? ?
TTL ? ?	TTL ? ?
Yes ? ?	Yes ? ?
64 ? ?	64 ? ?
TTL ? ?	TTL ? ?
Military ? ?	Catalog ? ?
-55 to 125 ? ?	-40 to 85 ? ?
CDIP ? ?	SOIC SSOP ? ?
See datasheet (CDIP) ? ?	24SOIC: 160 mm2: 10.3 x 15.5(SOIC) 24SSOP: 64 mm2: 7.8 x 8.2(SSOP) ? ?
無樣片