MOT65R550D

MOT 仁懋電子

型號： MOT65R550D

品牌： MOT(仁懋電子)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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產(chǎn)品文章資料

MOT1113T2025-06-16 10:07

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MOT018N25T2025-06-16 10:06

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MOT70R550GD2025-06-16 10:02

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MOT70R380F2025-06-16 10:00

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MOT70R190HKF2025-06-16 09:29

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MOT65R950GF2025-06-09 14:06

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MOT65R950GD2025-06-09 14:04

產(chǎn)品型號：MOT65R950GD

高空可靠性革命：仁懋BMS如何破解無人機續(xù)航與空間困局2025-06-26 17:43

在無人機物流配送、農(nóng)業(yè)植保等應用場景爆發(fā)式增長的今天，一組數(shù)據(jù)令人警醒：35%的炸機事故源自電池管理系統(tǒng)（BMS）相關器件失效。對于無人機行業(yè)而言，兩大核心挑戰(zhàn)始終存在：一是使用壽命和平均無故障時間（MTBF），這直接關系到作業(yè)安全與成本；二是無人機緊湊結構下的大電流需求與散熱難題。仁懋電子以創(chuàng)新BMS解決方案，為無人機行業(yè)帶來了破局之道。無人機行業(yè)的“動力

bms 仁懋電子無人機
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仁懋TOLT封裝MOS——專為大功率而生2025-06-18 13:27

當工業(yè)電源、儲能設備、新能源交通等領域對功率密度的需求突破極限，傳統(tǒng)MOSFET封裝技術正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MOS，以顛覆性的散熱設計與功率承載能力，成為大功率場景的核心解決方案。這款專為大芯片、大電流設計的器件，正以“散熱快、損耗低、密度高”的三大優(yōu)勢，重新定義功率半導體的應用邊界。顛覆傳統(tǒng)的頂部散熱：讓大功率不再“

MOS 仁懋電子半導體
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機器人動力革命！仁懋MOS如何破解BMS三大生死局？2025-06-10 17:36

機器人BMS的“高壓考場”當人形機器人奔跑負載超20kg，動力電池面臨極限挑戰(zhàn)：-瞬時電流沖擊：關節(jié)電機急停時脈沖電流＞200A，傳統(tǒng)MOS過熱燒毀風險激增；-空間枷鎖：BMS模塊需塞入關節(jié)腔體，散熱面積＜5cm2；-安全紅線：60V高壓電池組漏電流＞1mA即觸發(fā)安全停機。仁懋電子BMS專用MOS矩陣（MOT1124T/MOT1120T/MOT1113T），

bms MOS 仁懋電子
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仁懋TOLL/TOLT封裝系列區(qū)別在哪？2025-06-04 17:22

在工業(yè)應用對MOSFET需求日益攀升的當下，半導體封裝技術的革新成為關鍵。仁懋的TOLL和TOLT封裝系列作為TOLx封裝家族的重要成員，各自憑借獨特優(yōu)勢，在不同領域大放異彩。今天，我們就來深入探究這兩大封裝系列的顯著區(qū)別！散熱方式大不同，熱性能差異顯著TOLL封裝采用底部散熱方式，熱量需歷經(jīng)“Junction→Case→Solder→PCB→VIAs→PC

MOSFET 仁懋電子封裝
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仁懋中低壓MOS在BMS的應用2025-05-22 17:35

隨著科技不斷進步，越來越多電子產(chǎn)品的電池大部分是鋰電池，鋰電池具有壽命長，能量密度高，體重小，體積小等優(yōu)點受到人們青睞，鋰電池主要組成部分為電芯+BMS保護板，鋰電池有些特性不能過度充放電，短路等等。典型鋰電池電芯單元的額定電壓為3.6V（三元）鐵鋰3.2V（鐵鋰），最大充電結束電壓為4.2V（三元）3.6-3.8V（鐵鋰），最小放電結束電壓為2.5V。高放

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全球爆款風扇燈！仁懋40W風扇燈核心器件矩陣2025-05-14 10:51

風扇燈全球爆發(fā)的技術密碼在亞馬遜、Wayfair等平臺，一款中國設計的風扇燈正以“靜如羽毛、亮如極光”的極致體驗橫掃歐美市場。-靜音神話：1米處噪音＜28dB（圖書館級靜音），超越傳統(tǒng)吊扇40dB水平；-能效霸權：通過ERPLot8/DOEVI雙認證，待機功耗＜0.5W；-長壽基因：50,000小時壽命（日均使用8小時可用17年）；-設計革命：54.71mm

仁懋電子核心器件
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AI電源革命！仁懋氮化鎵如何讓400W服務器電源效率狂飆至98%2025-05-10 12:06

AI算力的“能耗之痛”在AI訓練集群中，單臺服務器功耗已突破4kW，電源系統(tǒng)面臨三重極限挑戰(zhàn)：效率瓶頸：傳統(tǒng)硅器件在高壓PFC段效率僅95%，年損耗電量超10萬度/千臺；散熱危機：電源模塊溫升＞40℃，被迫使用暴力扇散熱，噪音高達55dB；體積桎梏：磁性元件體積占比超60%，制約機架密度提升。仁懋氮化鎵（GaN）解決方案，以“高頻高效、極寒運行”重構AI電源

仁懋電子服務器電源氮化鎵
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從型號看實力！仁懋GaN器件命名規(guī)則全解析2025-05-06 17:24

型號背后的技術密碼仁懋氮化鎵（GaN）器件型號采用"三段式編碼規(guī)則"，通過字母與數(shù)字組合精準傳遞技術參數(shù)。示例型號：MOTGE65R190Q1.前綴定位技術路線-GE：增強型（E-mode）氮化鎵-GD：耗盡型（D-mode）氮化鎵技術差異：E-mode器件無需負壓關斷，驅動電路更簡化；D-mode需搭配驅動IC實現(xiàn)常閉特性。2.耐壓等級標識-65：650V

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靜音省電新標桿！仁懋MOS如何讓家用風扇能效飆升?2025-04-25 10:32

在智能家居普及的今天，消費者對家用風扇的要求早已超越基礎送風功能，面臨的問題如下能效焦慮：傳統(tǒng)MOS導通損耗高，三級能效產(chǎn)品年耗電超50度，電費成本激增；噪音困擾：開關損耗導致的PWM嘯叫，夜間運行噪音＞35dB；體積桎梏：笨重的電源模塊侵占設計空間，阻礙超薄化、藝術化造型；可靠性危機：電壓波動引發(fā)MOS雪崩失效，返修率高達12%。仁懋電子專為智能風扇打造的

MOS 風扇
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告別燒MOS！仁懋大功率水泵電機控制選型指南2025-04-17 14:17

在極端天氣頻發(fā)的當下，灌溉水泵已成為農(nóng)田保收的生命線。然而，行業(yè)調研數(shù)據(jù)顯示：27%的灌溉系統(tǒng)故障源于MOS管過熱燒毀或浪涌擊穿，傳統(tǒng)器件在惡劣情況下暴露三大短板：高溫降容：環(huán)境溫度＞45℃時，MOS電流承載能力驟降40%；水汽腐蝕：濕度＞80%環(huán)境下，鍵合線銹蝕導致導通電阻（RDS(on)）年漂移超15%；外部影響：外部環(huán)境復雜，對器件抗震動要求高，容易引

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