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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC3021LSD 互補對增強模式 MOSFET 晶體管

型號： DMC3021LSD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC3021LSD
  • 名稱 互補對增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC3021LSD 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC3016LSD 這種MOSFET被設(shè)計為使導(dǎo)通電阻最小化（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC3021LSD
名稱            互補對增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            SO-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30, 30 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.5, 7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 21, 39 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 32, 53 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1, 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.1, 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.8, 10.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 16.1, 21.1 nC
CISS Typ (pF) 767, 1002 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10, 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
互補對MOSFET


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