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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMC4029SK4 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMC4029SK4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMC4029SK4
  • 名稱(chēng) 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC4029SK4 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC4029SK4 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMC4029SK4
名稱(chēng)            互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝             SO-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 40, 40 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8.3, 6.1 A
PD @TA = +25°C (W) 2.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 24, 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 32, 55 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8, 10.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 19.1, 21.5 nC
CISS Typ (pF) 1060, 1154 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 20, 20 V


主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
開(kāi)關(guān)速度快


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DMG1023UVQ
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DMG2301LK
DMG2301U
DMG2302UK
DMG2302UKQ
DMG2305UX
DMG2305UXQ
 

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