型號 FDC602P-VB
絲印 VB8338
品牌 VBsemi
參數(shù)說明
極性 P溝道
額定電壓（Vds） -30V
額定電流（Id） -4.8A
靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） 49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V
門源極電壓（Vgs） -20V 至 20V
閾值電壓（Vth） -1V 至 -3V
封裝類型 SOT23-6
應(yīng)用簡介
FDC602P-VB是一款P溝道MOSFET，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域。以下是該產(chǎn)品可能應(yīng)用于的一些領(lǐng)域模塊
1. 電源開關(guān)模塊 由于其P溝道MOSFET特性，F(xiàn)DC602P-VB可用于電源開關(guān)模塊，如DC-DC變換器、開關(guān)穩(wěn)壓器和電源模塊。這些模塊廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、工業(yè)電源和電子設(shè)備中。
2. 電池保護(hù) 該MOSFET可用于電池保護(hù)電路，確保電池充電和放電時(shí)的安全和高效。這對于便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車非常關(guān)鍵。
3. 電池充電管理 在電池充電管理模塊中，F(xiàn)DC602P-VB可以用于電池充電電路，確保電池充電的高效和安全。這對于電動(dòng)汽車、太陽能充電器和電池儲(chǔ)能系統(tǒng)非常重要。
4. 信號開關(guān) 該MOSFET可用于模擬和數(shù)字信號開關(guān)，例如在通信設(shè)備、音頻放大器和傳感器接口中。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。
5. 功率放大器 由于其高電流承載能力，F(xiàn)DC602P-VB還可以用于功率放大器模塊，如音頻功率放大器和射頻功率放大器。
總之，F(xiàn)DC602P-VB是一款多功能的P溝道MOSFET，適用于多種領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，包括電源開關(guān)、電池保護(hù)、電池充電管理、信號開關(guān)和功率放大器等領(lǐng)域。其高性能和可靠性使其成為許多電子設(shè)備的理想選擇。
