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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
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ASML發(fā)布2024年財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)強(qiáng)勁增長(zhǎng)
阿斯麥(ASML)近日發(fā)布了其2024年第四季度及全年財(cái)報(bào),數(shù)據(jù)顯示公司業(yè)績(jī)繼續(xù)保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。 在2024年第四季度,ASML實(shí)現(xiàn)了93億歐元的凈銷(xiāo)...
2025-02-10 標(biāo)簽:光刻技術(shù)ASML季度財(cái)報(bào) 556 0
本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰(zhàn)與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談?wù)?納米工藝之前,我們先了解一下“納米”是什么意思。納米(nm)是一個(gè)長(zhǎng)度單...
隨著科技的飛速發(fā)展,CMOS技術(shù)也在不斷進(jìn)步,以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的性能需求。從最初的簡(jiǎn)單邏輯門(mén)到現(xiàn)在的復(fù)雜集成電路,CMOS技術(shù)已經(jīng)成為推動(dòng)數(shù)字革命的關(guān)鍵力...
美投資8.25億美元建設(shè)NSTC關(guān)鍵設(shè)施,重點(diǎn)發(fā)展EUV光刻技術(shù)
拜登政府已宣布一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元,用于建設(shè)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)的核心設(shè)施。據(jù)美國(guó)商務(wù)部透露,奧爾巴尼...
日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)
近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體...
來(lái)源: ASML阿斯麥光刻 人類(lèi)每天都在推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步,不斷拓展可到達(dá)的技術(shù)邊界,而這些新科技的實(shí)現(xiàn)背后離不開(kāi)芯片技術(shù)的支持。如今風(fēng)靡全世界的人工智能、數(shù)...
阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實(shí)驗(yàn)室啟用
近日,比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)與全球光刻技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)阿斯麥(ASML)共同宣布,在荷蘭費(fèi)爾德霍芬正式啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室。
臺(tái)積電轉(zhuǎn)變態(tài)度?秘密訪問(wèn)ASML總部引發(fā)行業(yè)關(guān)注
宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域,已有數(shù)臺(tái)設(shè)備投入其芯片制造部門(mén)使用。據(jù)透露,英特爾正計(jì)劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節(jié)點(diǎn)中試...
三星電子有望在美國(guó)獲得超過(guò) 60 億美元的補(bǔ)貼
據(jù)彭博社3月15日?qǐng)?bào)道,三星電子有望從美國(guó)政府獲得逾60億美元的《CHIP》法案補(bǔ)貼。該公司目前正在美國(guó)得克薩斯州新建一座工廠,此前計(jì)劃于今年7月開(kāi)始...
納米壓印光刻技術(shù)應(yīng)用在即,能否掀起芯片制造革命?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))提及芯片制造,首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。而眾所周知,EUV光刻機(jī)產(chǎn)能有限而且成本高昂,業(yè)界一直都在探索不完全依賴(lài)于...
2024-03-09 標(biāo)簽:光刻技術(shù) 4830 0
近期的演示會(huì)上,美光詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得...
英特爾:預(yù)計(jì)2027年末10A節(jié)點(diǎn)投產(chǎn),投資千億美元擴(kuò)大晶圓制造
根據(jù)先前記載,10A將會(huì)是英特爾繼使用High-NA EUV光刻技術(shù)的首批主要節(jié)點(diǎn)之后的第二例,預(yù)計(jì)可呈現(xiàn)出超過(guò)10%的每瓦性能改善。
英特爾擬斥資20億美元擴(kuò)建愛(ài)爾蘭半導(dǎo)體工廠,采用先進(jìn)技術(shù)
Fab 34是英國(guó)在歐洲如今唯一運(yùn)用-極紫外線(EUV)光刻技術(shù)的芯片制作基地,負(fù)責(zé)生產(chǎn)英特爾第四代Intel 4工藝的生產(chǎn)力工具如Meteor Lak...
Imec 與三井化學(xué)公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,將用于 EUV 光刻技術(shù)的 CNT 薄膜技術(shù)商業(yè)化
來(lái)源:半導(dǎo)體芯科技 SiSC編譯 魯汶(比利時(shí)),2023 年 12 月 14 日 — 世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心 Imec 與日本領(lǐng)先...
ASML即將上任的首席執(zhí)行官Christophe Fouquet面臨的最大挑戰(zhàn)將是帶領(lǐng)公司進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代,救火員工程文化必須改變。
光刻技術(shù)涉及操縱光線將特征精確蝕刻到表面上,通常用于制造計(jì)算機(jī)芯片和透鏡等光學(xué)器件。但是制造過(guò)程中的微小偏差往往導(dǎo)致這些器件達(dá)不到設(shè)計(jì)者的預(yù)期。
臺(tái)積電押注先進(jìn)制程研發(fā),臺(tái)積電資本支出縮水
臺(tái)積電因部分制程設(shè)備可共享,加上部分遞延預(yù)算將在今年動(dòng)用,2024年資本支出恐降至280億~300億美元,較今年減少約6.3%~12.5%。外界預(yù)期,一...
高數(shù)值孔徑EUV 今年的大部分討論都集中在EUV的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑EUV的時(shí)間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)Michael Lerce...
東方晶源開(kāi)啟上市輔導(dǎo),擬科創(chuàng)板IPO
據(jù)資料顯示,東方晶源成立于2014年,專(zhuān)注于集成電路制造收率管理領(lǐng)域,成立初期確立了電子束圖像檢測(cè)、尺寸測(cè)量及計(jì)算光刻技術(shù)為主要研究方向。經(jīng)過(guò)多年的攻關(guān)...
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