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      標(biāo)簽　>　刻蝕

      刻蝕

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      刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 ［1］ 相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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      刻蝕技術(shù)

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      2025-01-22 標(biāo)簽：脈沖電源連續(xù)波刻蝕 504 0

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      ????? ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對(duì)的，均是自限性反應(yīng)，一個(gè)是沉積一個(gè)是刻蝕。ALD是每...

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      本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過(guò)程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕 利用等離子...

      2024-12-06 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 1415 0

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      本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過(guò)化學(xué)或物理方法去除材料層，以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求...

      2024-12-05 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 1717 0

      IMD4工藝是什么意思

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      IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時(shí)IMD4 會(huì)隔離第三層金屬和頂層 AL金屬。IMD4 的材...

      2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 680 0

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      IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，同時(shí) IMD3a 會(huì)隔離第二層金屬和第三層金屬，IM...

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      IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。

      2024-11-15 標(biāo)簽：工藝刻蝕IMD 1040 0

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      Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

      2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 1472 0

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      2024-07-27 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試儀硅片 1118 0

      一文詳解微納加工刻蝕工藝

      微納加工的高精度和精確度，可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結(jié)構(gòu)，這使得制造微小器件和結(jié)構(gòu)成為可能。

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      等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢(shì)介紹

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      刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

      2024-04-12 標(biāo)簽：晶體管CCPICP 7146 0

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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        +關(guān)注
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