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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導電材料，它們在每個...

2024-03-20 標簽：刻蝕 3d nand 1709 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 1676 0

半導體刻蝕工藝簡述(2)

嚴重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...

2023-03-06 標簽：半導體等離子體晶圓 1671 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕南通華林科納

最近在外延膜的導電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標簽：半導體襯底光刻膠 1647 0

綜述：MEMS制造工藝研究進展

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，來自南京理工大學的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章，總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...

2022-11-30 標簽：mems 制造工藝刻蝕 1619 0

通過濕法化學刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標簽：薄膜刻蝕 1559 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述

但是里面也有幾個關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 標簽：封裝 GaAs 芯片工藝 1510 0

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。刻蝕是芯片制造中一個至關(guān)重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學或物理方法去除材料層，以達到特定的設(shè)計要求...

2024-12-05 標簽：芯片制造刻蝕 1454 0

半導體干法刻蝕技術(shù)解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕...

2024-10-18 標簽：半導體制備工藝刻蝕 1442 0

半導體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個不成對的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學上非?；钴S，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標簽：等離子體工藝 CVD 1434 0

通過化學濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實現(xiàn)固態(tài)照明，需要進一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1426 0

微機械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是，除了單晶SI或機械性強之外，...

2022-03-29 標簽：晶圓單晶硅刻蝕 1408 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標簽：存儲器等離子體半導體封裝 1309 0

淺談刻蝕的終點控制

當?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 1164 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標簽：工藝晶片刻蝕 1124 0

淺談封裝開封技術(shù)

環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開封方法有化學方法、機械方法和等離子體刻蝕法，化學方法是最廣泛使用的方法，又分手動開封和機械開封兩種。

2023-06-25 標簽：芯片 IC 封裝 1124 0

半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標簽：半導體 DRAM 晶圓 1117 0

采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標簽：測試材料刻蝕 1079 0

芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過程中相當重要的步驟。刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕利用等離子...

2024-12-06 標簽：芯片制造刻蝕 1065 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標簽：晶圓工藝刻蝕 1058 0

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