刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過(guò)多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們?cè)诿總€(gè)...

2024-03-20 標(biāo)簽：刻蝕 3d nand 1838 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過(guò)1...

2023-03-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體晶圓 1811 0

半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來(lái)基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制備工藝刻蝕 1811 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學(xué)腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標(biāo)簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 1789 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕南通華林科納

最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底光刻膠 1752 0

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過(guò)化學(xué)或物理方法去除材料層，以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求...

2024-12-05 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 1719 0

綜述：MEMS制造工藝研究進(jìn)展

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，來(lái)自南京理工大學(xué)的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章，總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...

2022-11-30 標(biāo)簽：mems 制造工藝刻蝕 1714 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過(guò)程簡(jiǎn)述

但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 標(biāo)簽：封裝 GaAs 芯片工藝 1696 0

通過(guò)濕法化學(xué)刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學(xué)腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過(guò)射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標(biāo)簽：薄膜刻蝕 1638 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中，AB是分子，而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基，自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非常活躍，能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標(biāo)簽：等離子體工藝 CVD 1501 0

通過(guò)化學(xué)濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍(lán)色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進(jìn)展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實(shí)現(xiàn)固態(tài)照明，需要進(jìn)一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標(biāo)簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1490 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 1476 0

微機(jī)械中的各向異性蝕刻技術(shù)與發(fā)展方向

單晶S1，作為IC、LSI的電子材料，用于微小機(jī)械部件的材料，也就是說(shuō)，作為結(jié)構(gòu)材料的新用途已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。其理由是，除了單晶SI或機(jī)械性強(qiáng)之外，...

2022-03-29 標(biāo)簽：晶圓單晶硅刻蝕 1476 0

如何在刻蝕鋁之后保護(hù)鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡(jiǎn)便仍被廣泛使用。這些存儲(chǔ)器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對(duì)電阻和...

2023-12-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器等離子體半導(dǎo)體封裝 1449 0

芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法

本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過(guò)程中相當(dāng)重要的步驟。刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕利用等離子...

2024-12-06 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 1416 0

淺談刻蝕的終點(diǎn)控制

當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來(lái)說(shuō)，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過(guò)調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分...

2024-04-09 標(biāo)簽：集成電路等離子體芯片制造 1277 0

芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕

在芯片制造過(guò)程中的各工藝站點(diǎn)，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、pa...

2024-12-16 標(biāo)簽：芯片芯片制造刻蝕 1255 0

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1216 0

淺談封裝開(kāi)封技術(shù)

環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開(kāi)封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動(dòng)開(kāi)封和機(jī)械開(kāi)封兩種。

2023-06-25 標(biāo)簽：芯片 IC 封裝 1216 0

通過(guò)兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對(duì)黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過(guò)金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1168 0

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