刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

接觸刻蝕阻擋層應(yīng)變技術(shù)介紹

SMT僅僅是用來(lái)提高NMOS 的速度，當(dāng)工藝技術(shù)發(fā)展到45nm 以下時(shí)，半導(dǎo)體業(yè)界迫切需要另一種表面薄膜層應(yīng)力技術(shù)來(lái)提升PMOS 的速度。在SMT技術(shù)的...

2024-07-30 標(biāo)簽：PMOS 工藝流程刻蝕 2709 0

半導(dǎo)體制造工藝解析

WCMP是電子束檢測(cè)應(yīng)用最重要的一層，這一層的功能主要體現(xiàn)在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問(wèn)題。EBI的應(yīng)用可以幫助提升成品率，減少半導(dǎo)體ict...

2023-08-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電子束 2675 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機(jī)制引言我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明，在...

2022-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 2570 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2407 0

碳化硅在堿性溶液中的陽(yáng)極刻蝕

引言人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2285 0

一種用于先進(jìn)封裝的圓臺(tái)硅通孔的刻蝕方法

在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難，而在封裝階段利用三維空間可以視作對(duì)摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的常用技術(shù)手段，現(xiàn)有技...

2023-04-12 標(biāo)簽：傳感器芯片集成電路 2284 0

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 標(biāo)簽：pcb 蝕刻刻蝕 2084 0

一文詳解微納加工刻蝕工藝

微納加工的高精度和精確度，可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結(jié)構(gòu)，這使得制造微小器件和結(jié)構(gòu)成為可能。

2024-04-16 標(biāo)簽：集成電路刻蝕半導(dǎo)體集成電路 2040 0

單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 刻蝕 2022 0

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問(wèn)題

要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層...

2023-09-07 標(biāo)簽：pcb 印刷電路板蝕刻 2005 0

光柵耦合器學(xué)習(xí)筆記

　　耦合一直是硅光集成的一個(gè)難點(diǎn)，目前主要有兩種解決方案。

2023-12-06 標(biāo)簽：光柵帶寬耦合器 1997 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1963 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過(guò)在基底上施加一層材料來(lái)形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用...

2022-03-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅刻蝕 1936 0

詳解化學(xué)鎳沉積技術(shù)的沉積過(guò)程

本文報(bào)道了這種化學(xué)鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過(guò)掃描電鏡檢查，研究了各種預(yù)處理刻蝕過(guò)程和鋅酸鹽活化對(duì)最終化學(xué)鎳碰撞質(zhì)量的影響，以幫助詳細(xì)了解...

2022-05-13 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1928 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

由下圖可以看出當(dāng)氣體密度較高時(shí)MFP較短(a);而當(dāng)氣體密度較低時(shí)，MFP就較長(zhǎng)(b)。大粒子的截面積較大，掃過(guò)的空間也較大。與一般或較小的離子相比，大...

2022-12-05 標(biāo)簽：工藝等離子刻蝕 1926 0

PCB正片和負(fù)片的區(qū)別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫...

2024-01-17 標(biāo)簽：線路板刻蝕 PCB 1905 0

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 1894 0

InAs/GaSb II類(lèi)超晶格長(zhǎng)波焦平面陣列臺(tái)面ICP刻蝕技術(shù)研究

基于GaSb材料，包括InAs、GaSb、AlSb等材料可以靈活地設(shè)計(jì)成各種新型材料和器件，尤其是InAs/GaSb超晶格具有獨(dú)特的II型能帶結(jié)構(gòu)，可以...

2022-11-29 標(biāo)簽：工藝晶格 ICP 1864 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)？凹槽效應(yīng)的形成機(jī)理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？

2023-10-20 標(biāo)簽：芯片 SOI 刻蝕 1834 0

半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程及原理

對(duì)于電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，它藏在內(nèi)部，又非常重要，相當(dāng)于汽車(chē)的發(fā)動(dòng)機(jī)、人的心臟，所以叫“芯”。從形態(tài)來(lái)看，它是一片一片的，所以叫“片”。合起來(lái)，就是“芯片”。

2024-01-15 標(biāo)簽：集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 1790 0

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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刻蝕

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