刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕?？涛g后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 1160 0

采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術(shù)制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氮化硅膜作為掩模濕...

2022-03-29 標(biāo)簽：測(cè)試材料刻蝕 1122 0

太陽能電池?cái)U(kuò)散制結(jié)后的邊緣刻蝕工藝

隧穿氧化物鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關(guān)注。然而，在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，電池會(huì)遇到繞鍍和邊緣漏電流的問題。這些現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電池的光學(xué)和...

2024-07-27 標(biāo)簽：太陽能電池測(cè)試儀硅片 1120 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測(cè)制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測(cè)廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計(jì)超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 1052 0

IMD1工藝是什么意思

IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。

2024-11-15 標(biāo)簽：工藝刻蝕 IMD 1041 0

干法蝕刻異向機(jī)制的原理解析

無偏差的刻蝕過程，我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程，我們可以將其拆解為幾個(gè)基本環(huán)節(jié)。首先，第一個(gè)環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理，這些氣體在等離子體...

2024-12-17 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 992 0

ALE的刻蝕原理?

????? ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對(duì)的，均是自限性反應(yīng)，一個(gè)是沉積一個(gè)是刻蝕。ALD是每...

2024-12-20 標(biāo)簽：ALE 刻蝕 948 0

污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機(jī)和金屬污染中，以研究它們對(duì)堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機(jī)污染對(duì)金...

2022-05-18 標(biāo)簽：晶片清洗刻蝕 901 0

深入剖析半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物形成的機(jī)理

半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成，其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面，下面是對(duì)這些機(jī)制的深入剖析：化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑...

2025-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體基板刻蝕 875 0

半導(dǎo)體濕法和干法刻蝕

什么是刻蝕？刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對(duì)材料進(jìn)行選擇性的去除，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟，自194...

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飛秒激光與刻蝕組合加工技術(shù)介紹

(1)什么是飛秒激光激光器作為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，因激光具有方向性、單色性好以及具有良好相干性等特點(diǎn)，在諸多領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。 20世紀(jì)70年...

2024-12-17 標(biāo)簽：激光刻蝕 830 0

IMD3工藝是什么意思

IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，同時(shí) IMD3a 會(huì)隔離第二層金屬和第三層金屬，IM...

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基于銻化銦紅外焦平面探測(cè)器的微透鏡陣列方案

該微透鏡陣列的制作工藝簡單，與探測(cè)器制作工藝相兼容。得到的微透鏡陣列的均勻性較好。直接在探測(cè)器背面用銻化銦材料制成，耦合精度高，不存在由于其他材料微透鏡...

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IMD4工藝是什么意思

IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時(shí)IMD4 會(huì)隔離第三層金屬和頂層 AL金屬。IMD4 的材...

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等離子體刻蝕和濕法刻蝕有什么區(qū)別

等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法，雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料，但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。...

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一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)

高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。

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干法刻蝕使用脈沖電源有什么好處

本文簡單介紹了連續(xù)波和脈沖波的概念、連續(xù)波電流與脈沖波電源的定義以及脈沖波電源相對(duì)于連續(xù)波的電源模式的優(yōu)勢(shì)。相對(duì)于連續(xù)波的電源模式，脈沖模式的優(yōu)勢(shì)有哪...

2025-01-22 標(biāo)簽：脈沖電源連續(xù)波刻蝕 507 0

泛林的等離子刻蝕介紹

通常，我們需要將巖性模式轉(zhuǎn)換為多個(gè)。一次蝕刻通道中的膠片類型

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用于高效3D玻璃微加工的少脈沖飛秒激光曝光

自20世紀(jì)80年代以來，基于激光的微/納尺度三維結(jié)構(gòu)制備技術(shù)一直是研究人員努力去解決的問題。

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刻蝕

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