刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

2023-02-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 4245 0

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標(biāo)簽：電路圖光刻光刻機 4210 0

揭秘半導(dǎo)體制造全流程（下篇）

在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個步驟：互連、測試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造。

2022-08-01 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 4111 0

用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

2022-01-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶圓 3856 0

n型多孔硅刻蝕時間的效應(yīng)分析

引言硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶...

2022-03-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕 3744 0

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶...

2023-06-05 標(biāo)簽：多晶硅晶片刻蝕 3678 0

為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用？

對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將...

2024-01-14 標(biāo)簽：射頻高能電子刻蝕 3629 0

離子注入技術(shù)的優(yōu)點和應(yīng)用

離子注入過程提供了比擴散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結(jié)深在擴散過程中無法獨立控制，因為濃度和結(jié)深都與擴散的溫度和時間有關(guān)。離子注...

2023-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝硅晶圓 3600 0

流片Corner Wafer介紹

芯片制造是一個物理過程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴散深度、刻蝕程度等），導(dǎo)致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標(biāo)簽：晶圓 NMOS 芯片制造 3543 0

FIB-TEM進行微納加工和原位研究分析

聚焦離子束與電子束曝光系統(tǒng)相似，由發(fā)射源、離子光柱、工作臺、真空與控制系統(tǒng)等結(jié)構(gòu)組成，其核心為離子光學(xué)系統(tǒng)，適用的是液態(tài)金屬離子源（例如鎵離子源）。

2023-10-10 標(biāo)簽：SEM fib 光電探測器 3390 0

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強，其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3229 0

淺析反應(yīng)離子刻蝕工藝技術(shù)

刻蝕氣體在等離子體中分解電離，形成離子和自由基等刻蝕類物質(zhì)，稱為Enchant → Enchant到達晶圓表面的過程。

2024-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 3199 0

濕式蝕刻過程的原理是什么

濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大于1...

2022-04-07 標(biāo)簽：工藝刻蝕 3172 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

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2022-04-15 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 3096 0

偉大的工程之芯片制造

縱觀整個制造業(yè)，芯片的制造流程可以說是最復(fù)雜的之一，這項點石成金術(shù)可分為八個大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細分為上百道工序。

2022-11-11 標(biāo)簽：晶圓芯片制造刻蝕 3045 0

芯片封裝為什么要用到*** 封裝***與芯片***的區(qū)別

在芯片制造過程中，光刻機用于在硅片上形成光刻膠圖形，作為制造電路的模板。光刻機使用紫外光或其他光源照射硅片上的光刻膠，并通過投影光學(xué)系統(tǒng)將圖形投射到硅片...

2023-09-12 標(biāo)簽：芯片制造芯片封裝光學(xué)系統(tǒng) 3027 0

平面互補場效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標(biāo)簽：CMOS 多晶硅晶體管 3012 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(3)

對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法...

2023-03-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體等離子體 2936 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...

2023-04-21 標(biāo)簽：芯片等離子體封裝 2845 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝詳解

與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費用。

2022-12-29 標(biāo)簽：晶圓工藝等離子 2772 0

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