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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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據(jù)統(tǒng)計(jì),2016年新三板退市企業(yè)僅有56家,2017年新三板市場(chǎng)摘牌企業(yè)數(shù)量達(dá)到了708家,2018年摘牌公司數(shù)量為1517家,2019年新三板掛牌企業(yè)...
2021-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體模擬IC功率半導(dǎo)體 3458 0
西永微電園與博世共建工業(yè)4.0創(chuàng)新技術(shù)中心
西永微電園公司在11月5日“重慶內(nèi)陸開放高地建設(shè)推介會(huì)”上,分別與華潤(rùn)微電子有限公司、德國(guó)博世集團(tuán)簽署協(xié)議,引進(jìn)華潤(rùn)12寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目,與博世集團(tuán)共建...
2018-11-09 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體工業(yè)4.0 3446 0
旺宏及華邦電本季營(yíng)收仍有機(jī)會(huì)力拚與第3季持平
旺宏第3季進(jìn)入任天堂拉貨旺季,但今年旺季表現(xiàn)的成長(zhǎng)幅度低于市場(chǎng)預(yù)期。法人表示,旺宏下半年高階NOR Flash及SLC NAND仍供不應(yīng)求,但低階NOR...
2018-10-10 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器功率半導(dǎo)體 3445 0
英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,國(guó)產(chǎn)器件同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)的情況要加劇了?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)日前,英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。晶圓直徑為300mm,...
2024-10-31 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 3392 0
半導(dǎo)體模塊之間的差異,不僅僅體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同,可分為以下幾類:標(biāo)準(zhǔn)模塊,智能功率模塊(IP...
2019-09-04 標(biāo)簽:模塊晶體管功率半導(dǎo)體 3389 0
上交所正式受理了瑞能半導(dǎo)的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)
招股書顯示,瑞能半導(dǎo)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝設(shè)計(jì)的一體化經(jīng)營(yíng)功率半導(dǎo)體企業(yè),致力于開發(fā)并生產(chǎn)領(lǐng)先的功率半...
2020-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶閘管功率半導(dǎo)體 3376 0
MOSFET開始止?jié)q回跌,最高降價(jià)兩成!
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率半導(dǎo)體 3374 0
IGBT開通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn),因此在各種電...
2024-02-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 3372 0
市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,TVS售價(jià)逐年下滑
芯導(dǎo)科技成立于2009年11月,初期產(chǎn)品主要為TVS(含ESD)等功率器件,后期延伸至MOSFET、肖特基等功率器件以及單節(jié)鋰電池充電芯片、過壓保護(hù)芯片...
2021-04-19 標(biāo)簽:肖特基二極管功率器件功率半導(dǎo)體 3368 0
氮化鎵的應(yīng)用研究已經(jīng)超過 10 年,目前在各種不同的行業(yè)和領(lǐng)域中,都積極開展各種市場(chǎng)驗(yàn)證,或者已經(jīng)有非常成熟的解決方案。
2021-07-15 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 3359 0
近日,我司(以下簡(jiǎn)稱“佳恩半導(dǎo)體”)收獲重大喜報(bào),繼2021年12月完成PreA輪融資后,近日再次完成數(shù)千萬A輪融資,本輪融資由山東毅達(dá)創(chuàng)業(yè)投資基金合伙...
2022-04-08 標(biāo)簽:芯片IGBT功率半導(dǎo)體 3306 0
gto和普通晶閘管在關(guān)斷原理上有什么區(qū)別?
gto和普通晶閘管在關(guān)斷原理上有什么區(qū)別? GTO和普通晶閘管是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。雖然它們?cè)谝恍┓矫嬗泄餐?,但在關(guān)斷原理和工作方式上存在一些...
2024-02-03 標(biāo)簽:晶閘管功率半導(dǎo)體GTO 3282 0
2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢(shì)洞察
趨勢(shì)一:碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格...
2025-01-08 標(biāo)簽:新能源汽車數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體 3255 0
功率半導(dǎo)體將依然保持可持續(xù)進(jìn)口替代空間 但仍需要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人更多的付出與努力
隨著國(guó)內(nèi)汽車電子、工業(yè)電子等下游產(chǎn)業(yè)日漸崛起,半導(dǎo)體分立器件的市場(chǎng)需求迅速提升,迎來更廣闊的發(fā)展前景,但國(guó)內(nèi)大部分分立器件產(chǎn)品仍依賴海外進(jìn)口。日前,國(guó)產(chǎn)...
2019-02-20 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 3214 0
Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換
Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最...
2016-10-25 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體IGBT模塊MG12600WB 3206 0
作為第三代半導(dǎo)體的代表,碳化硅材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...
2021-05-18 標(biāo)簽:新能源車半導(dǎo)體材料SiC 3201 0
如何簡(jiǎn)單的dv/dt控制技術(shù)降低IGBT開通損耗
功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型,一般有兩個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。一方面,選擇電阻值較小的柵極電阻,可以使得功率半導(dǎo)體的開關(guān)速度更快。這將降低開關(guān)損耗,從而降低總體損耗
2023-02-07 標(biāo)簽:柵極電阻功率半導(dǎo)體電阻值 3187 0
臺(tái)基股份:功率半導(dǎo)體市場(chǎng)穩(wěn)定向好,搶抓機(jī)遇,實(shí)施雙結(jié)構(gòu)調(diào)整策略
4月25日,臺(tái)基股份發(fā)布2018年年度報(bào)告,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入 41,810.88 萬元,同比增長(zhǎng) 50.05%。
2019-04-29 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體臺(tái)基股份 3166 0
快恢復(fù)二極管P-i-N的基本結(jié)構(gòu)
通常,額定電流超過1安培的半導(dǎo)體器件稱為功率半導(dǎo)體。它們阻斷電壓范圍從幾伏一直到上萬伏。在眾多的功率半導(dǎo)體器件中,功率二極管是相對(duì)簡(jiǎn)單的一種器件,但它同...
2022-04-29 標(biāo)簽:功率二極管快恢復(fù)二極管功率半導(dǎo)體 3161 0
日企準(zhǔn)備發(fā)力中韓尚未崛起的功率半導(dǎo)體領(lǐng)域
日本電子廠商將相繼啟動(dòng)市場(chǎng)有望擴(kuò)大的純電動(dòng)汽車(EV)用半導(dǎo)體的增產(chǎn)投資。東芝將投入300億日元,將有助于純電動(dòng)汽車節(jié)能化的電力控制用半導(dǎo)體的產(chǎn)能增加5成。
2018-07-05 標(biāo)簽:東芝三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體 3140 0
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