功率器件雪崩耐量測(cè)試

2018-06-20 標(biāo)簽：功率器件IGBT模塊 1.3萬 0

3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIMAsia 2018上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。 基本半導(dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色...

2018-07-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件碳化硅 1017 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，是我國(guó)彎道超車的機(jī)會(huì)

近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體...

2018-06-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 1.1萬 0

國(guó)外功率器件的供應(yīng)緊張,國(guó)內(nèi)可替代的功率器件廠家又有哪些呢?

需求仍然強(qiáng)勁的ST，目前滿產(chǎn)能。M2、M5和K5系列的規(guī)格和價(jià)格較好。其是額定200攝氏度的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管的唯一供應(yīng)商。推出650V SiC，可與高性能...

2018-05-31 標(biāo)簽：IGBT硅晶圓功率器件 5635 0

中國(guó)IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動(dòng)力

由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因此在電機(jī)控...

2018-05-28 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT功率器件 6837 0

中芯國(guó)際聚焦于MEMS與功率器件 為未來工藝市場(chǎng)添薪加柴

中芯國(guó)際告訴DIGITIMES，隨著智能化社會(huì)的到來，智能化設(shè)備中應(yīng)用廣泛的微機(jī)電和功率器件市場(chǎng)需求激增，目前市場(chǎng)處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。中芯國(guó)際看好，未來...

2018-05-28 標(biāo)簽：中芯國(guó)際mems功率器件 6546 0

功率器件簡(jiǎn)介及功率器件的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

VDMOS在2017年的Yole統(tǒng)計(jì)報(bào)告當(dāng)中，市場(chǎng)空間有60億美元，這里面大部分是40v以下的設(shè)備。從市場(chǎng)份額來看，我們關(guān)心的是汽車電子，不管是增長(zhǎng)率和...

2018-05-24 標(biāo)簽：集成電路功率器件 3.2萬 0

中芯紹興項(xiàng)目開工奠基，中國(guó)特色工藝布局加速

中芯集成電路制造（紹興）項(xiàng)目舉行開工奠基儀式，浙江省紹興市委書記馬衛(wèi)光、市委副書記、市長(zhǎng)盛閱春、中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍博士、首席財(cái)務(wù)官高永崗博士、...

2018-05-22 標(biāo)簽：MEMS功率器件 6060 0

聚焦光伏發(fā)電和充電樁 英飛凌碳化硅功率器件開發(fā)和應(yīng)用引領(lǐng)同儕

“半導(dǎo)體功率器件的未來主流將是碳化硅器件，SiC應(yīng)用不會(huì)完全取代IGBT，只是在一些高精尖領(lǐng)域應(yīng)用，有非常大的優(yōu)勢(shì)代替IGBT?！?英飛凌科技（中國(guó)）有...

2018-05-21 標(biāo)簽：英飛凌功率器件SiC 2.4萬 0

全球最小65W電源適配器發(fā)布,電源適配器設(shè)計(jì)面臨的業(yè)界挑戰(zhàn)？

采用GaN功率器件，除了可以將電源適配器與充電器體積做得更小外，在未來的5G應(yīng)用中的微型基站將對(duì)GaN產(chǎn)生大量需求，這些基站對(duì)于電源的功率要求很高，而且...

2018-05-03 標(biāo)簽：電源適配器功率器件GaN 8086 0

科銳與安世半導(dǎo)體簽署 GaN 功率器件專利授權(quán)協(xié)議

近日，科銳（NASDAQ:CREE）宣布與荷蘭Nexperia公司簽署非排他性、全球性的付費(fèi)專利許可協(xié)議。通

2018-04-27 標(biāo)簽：功率器件gan 4674 0

ROHM計(jì)劃新增SiC功率器件廠房 預(yù)計(jì)于2019年動(dòng)工

目前世界正掀起前所未有的節(jié)能浪潮，業(yè)界對(duì)于可有效提升能源效率的SiC功率器件充滿期待。為了滿足日益增加的市場(chǎng)需求，ROHM決定在Apollo筑后工廠增建...

2018-04-22 標(biāo)簽：功率器件sic 784 0

英飛凌與上汽合力制造電動(dòng)汽車功率模塊 計(jì)劃2018下半年批量生產(chǎn)

“英飛凌與中國(guó)最大的汽車制造商——上汽集團(tuán)聯(lián)袂攜手，將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)我們的市場(chǎng)地位、擴(kuò)充產(chǎn)能，從而滿足迅速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。同時(shí)，憑借為中國(guó)電動(dòng)汽車行業(yè)...

2018-03-02 標(biāo)簽：英飛凌上汽功率器件 1739 0

深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣...

2018-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 4048 0

半導(dǎo)體功率器件MOSFET持續(xù)大漲 上游硅晶圓等原料持續(xù)走高

功率半導(dǎo)體行情回暖，MOSFET供不應(yīng)求加劇，交期不斷拉長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)外MOSFET企業(yè)紛紛調(diào)漲，目前整體漲勢(shì)仍然未見緩和。由于汽車電子等新增需求持續(xù)爆發(fā)，半...

2018-04-10 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 2119 0

電力電子系統(tǒng)能效，未來非他莫屬！

整個(gè)碳化硅（SiC）功率器件行業(yè)尚在起步階段。全球市場(chǎng)規(guī)模包括中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模都很小，2014年全球碳化硅（SiC）功率器件的市場(chǎng)規(guī)模為1.2億美元，相...

2017-08-14 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料Si功率器件 3005 5