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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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NI張?zhí)焐篜XI SMU加速高功率元件測(cè)量
PXI模組化電源測(cè)量單元(SMU)儀器問(wèn)世。高亮度發(fā)光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)等需要...
國(guó)產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段
在中國(guó),為了適應(yīng)大環(huán)境的需求,扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展,國(guó)家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面出臺(tái)了一系列支持性的政策措施,在政府和市場(chǎng)的雙重推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體行業(yè)正...
美國(guó)透明度市場(chǎng)研究公司近日發(fā)布研究報(bào)告稱(chēng),2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)產(chǎn)值為3.7982億美元,并將在2019年達(dá)到22.0373億美元。其中,軍事國(guó)...
縮減LED/功率元件測(cè)試成本 PXI模組化SMU亮相
PXI模組化電源測(cè)量單元(SMU)儀器問(wèn)世。高亮度發(fā)光二極體(LED)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體 (MOSFET)等需...
業(yè)界對(duì)GaN功率元件的期待已達(dá)到最高峰。實(shí)際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分,采用還為時(shí)尚早。英飛凌科技負(fù)責(zé)汽車(chē)用高壓功率半導(dǎo)體...
飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示,由于增加了便攜式設(shè)備的使用,在目前的電力系統(tǒng)中,對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)(3G / LTE...
2013-10-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源管理 1962 0
美高森美新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用
致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列,...
解讀:為什么國(guó)外IC業(yè)者“霸占”中國(guó)市場(chǎng)?
為什么中國(guó)IC業(yè)約約75%的市場(chǎng)被國(guó)外IC供應(yīng)商占據(jù),特別是在一些高端芯片商基本依賴(lài)進(jìn)口?為什么國(guó)內(nèi)外IC設(shè)計(jì)廠(chǎng)商差距如此之大?為什么中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)苦...
富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品
今天,富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150V。用戶(hù)可設(shè)計(jì)出體積更小、效率更高電源組件,可廣...
PV逆變器應(yīng)用升溫,推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽(yáng)能(PV)逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效...
Vishay在2013中國(guó)電子展成都站將展出其最新的業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉行的20...
僧多粥少引搶食 汽車(chē)功率器件市場(chǎng)狼煙再起
變化激烈的替代能源市場(chǎng)讓過(guò)去一直十分穩(wěn)定的功率電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域產(chǎn)生了動(dòng)蕩?;旌蟿?dòng)力車(chē)(HEV)與純電動(dòng)汽車(chē)(EV)的巨大潛在市場(chǎng)規(guī)?;蛟S也會(huì)為該領(lǐng)域帶來(lái)進(jìn)一...
2013-06-09 標(biāo)簽:英飛凌電動(dòng)車(chē)IGBT 1334 0
Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù),導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A~105A,在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
英國(guó)為恩智浦提供200萬(wàn)英鎊氮化鎵發(fā)展資金
英國(guó)財(cái)政部秘書(shū)長(zhǎng)丹尼歷山大宣布為恩智浦(NXP)英國(guó)分公司提供200萬(wàn)英鎊,以促進(jìn)氮化鎵(GaN)器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效,因此很可能成為...
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)再度走低,2012比上年下降11.5%
日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示,按照廠(chǎng)商的供貨金額計(jì)算,2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元,比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)...
2013-05-21 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體 960 0
英飛凌推出采用突破性超結(jié)技術(shù)的CoolMOS C7
英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合,推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的Cool...
2013-05-20 標(biāo)簽:英飛凌功率器件CoolMOS C7 2813 0
意法最新拆分重組戰(zhàn)略:移動(dòng)處理器合資失敗
鑒于即將退出意法愛(ài)立信(ST-Ericsson)——在移動(dòng)處理器方面合資失敗的一家公司,位于瑞士日內(nèi)瓦的歐洲最大芯片公司意法微電子5月16日向財(cái)務(wù)分析師...
2013-05-20 標(biāo)簽:微控制器傳感器移動(dòng)處理器 643 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商–國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)...
Vishay Siliconix發(fā)布新款N溝道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的...
2013年功率器件市場(chǎng)強(qiáng)勢(shì)回彈 創(chuàng)新紀(jì)錄
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Developpement的最新報(bào)告,2013年,包括分立器件、模塊和電源IC在內(nèi)的功率器件市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)10.5%達(dá)115億美元。
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