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標簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
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瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用
近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應用而設計,以其卓越的高電流開關性能和...
每一個H橋的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成的電機驅(qū)動芯片
SS8812T的每一個H橋的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成。每個H橋包含整流電路和限流電路。簡單的并行數(shù)字控制接口,衰減模式可選擇為快衰減,慢衰...
2025-01-07 標簽:功率MOSFET驅(qū)動芯片電機驅(qū)動芯片 524 0
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CC...
東芝拓展40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線,引領汽車節(jié)能新紀元
在追求極致駕駛體驗的今天,高效功耗控制已成為衡量汽車技術先進性的重要標尺。它不僅關乎長距離無憂行駛的能力,更是降低碳排放、實現(xiàn)綠色出行的關鍵所在。東芝,...
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術,標...
威世科技發(fā)布創(chuàng)新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第...
東芝推出兩款采用L-TOGL封裝的車載N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”(80V)和“XPQ1R00AQB”(100V),均采用了其前...
Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Silic...
近日,全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊...
Power Tester 3/12C Control Software2305 更新概述
在當今快速發(fā)展的工業(yè)領域里,電子元器件完成了極其偉大的功能。其中功率器件比如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、場效應管(MOSFET)、雙極性晶體管(BJ...
2024-03-06 標簽:測試系統(tǒng)晶體管功率MOSFET 1888 0
FQD17P06TM是一款大功率MOS管,制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:詳細信息技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:DP...
2022-04-21 標簽:功率MOSFET 1080 0
超越期望,引領控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET
引言: 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中,功率MOSFET扮演著至關重要的角色,它們是實現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場需求,我們推出了全新...
功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),同樣是功率半導體中的一種。與其它功率半導體相比較,功率MO...
極豪科技光學指紋方案助力OPPO Reno 8 Pro+實現(xiàn)"極"速流暢解鎖
創(chuàng)"芯"體驗 上海2022年5月24日?/美通社/ --?"AI×Sensor"人工智能傳感器供應商極豪科技今日宣布,搭載其屏下光學指紋識別芯片JV03...
2022-05-26 標簽:電子系統(tǒng)意法半導體功率MOSFET 3653 0
東芝針對汽車應用推出三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品
一個人的工作能力是指他承擔某項工作、執(zhí)行某項業(yè)務、任務的能力。具體表現(xiàn)有兩方面,一是他的專業(yè)知識水平,二是他解決、處理實際工作的能力。在實踐中二者常常是...
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元...
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