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東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

深圳市汽車電子行業(yè)協(xié)會(huì) ? 來(lái)源:東芝半導(dǎo)體 ? 2023-08-24 11:19 ? 次閱讀

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。

自動(dòng)駕駛系統(tǒng)等高安全級(jí)別的應(yīng)用可通過(guò)冗余設(shè)計(jì)確保可靠性,因此與標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)相比,它們集成了更多的器件,需要更多的表貼空間。所以,要進(jìn)一步縮小汽車設(shè)備的尺寸,需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGL封裝(7.0mm×8.44mm[1]),其特點(diǎn)是采用無(wú)接線柱結(jié)構(gòu),將源極連接件和外部引腳一體化。源級(jí)引腳的多針結(jié)構(gòu)降低了封裝電阻。

與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM(W)封裝產(chǎn)品[2]相比,S-TOGL封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻顯著降低11%。與TO-220SM(W)封裝相比,新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外,采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流,高于東芝類似尺寸的DPAK+封裝(6.5mm×9.5mm[1])產(chǎn)品,從而實(shí)現(xiàn)了大電流??傮w而言,S-TOGL封裝可實(shí)現(xiàn)高密度和緊湊布局,縮小汽車設(shè)備的尺寸,并有助于實(shí)現(xiàn)高散熱。

由于汽車設(shè)備可能在極端溫度環(huán)境下工作,因此表面貼裝焊點(diǎn)的可靠性是一個(gè)關(guān)鍵考慮因素。S-TOGL封裝采用鷗翼式引腳,可降低表貼應(yīng)力,提高焊點(diǎn)的可靠性。

當(dāng)需要并聯(lián)多個(gè)器件為應(yīng)用提供更大工作電流時(shí),東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設(shè)計(jì)使用同一組別的產(chǎn)品,從而減小特性偏差。

東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線,并通過(guò)用戶友好型、高性能功率器件為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。

應(yīng)用

汽車設(shè)備:逆變器、半導(dǎo)體繼電器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等

特性

新型S-TOGL封裝:7.0mm×8.44mm(典型值)

高額定漏極電流:

XPJR6604PB:ID=200A

XPJ1R004PB:ID=160A

AEC-Q101認(rèn)證

提供IATF 16949/PPAP[4]

低導(dǎo)通電阻:

XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53m?(典型值)(VGS=10V)

XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8m?(典型值)(VGS=10V)

主要規(guī)格

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審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:【會(huì)員風(fēng)采】東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,有助于汽車設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化

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