混合集成電路(HIC)芯片封裝中真空回流爐的選型指南

混合集成電路（HIC）芯片封裝對工藝精度和產(chǎn)品質(zhì)量要求極高，真空回流爐作為關(guān)鍵設(shè)備，其選型直接影響封裝效果。本文深入探討了在混合集成電路芯片封裝過程中選...

2025-06-16 標(biāo)簽：集成電路芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 453 0

半導(dǎo)體硅表面氧化處理：必要性、原理與應(yīng)用

半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（S...

2025-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 402 0

滾珠導(dǎo)軌：電子制造“納米級”精度的運(yùn)動基石

在電子制造與半導(dǎo)體設(shè)備追求“微米級工藝、納米級控制”的賽道上，滾珠導(dǎo)軌憑借高剛性、低摩擦與高潔凈特性，成為精密運(yùn)動系統(tǒng)的核心載體。

2025-05-29 標(biāo)簽：導(dǎo)軌半導(dǎo)體設(shè)備 178 0

甲酸真空共晶焊接工藝：開啟精密焊接新時代

在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域，焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品的性能與可靠性。隨著電子器件不斷向小型化、高性能化發(fā)展，傳統(tǒng)焊接技術(shù)逐漸暴露出諸多局限性。在此背景下，甲酸...

2025-05-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 437 0

芯片封裝中的四種鍵合方式：技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)...

2025-04-11 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備芯片鍵合 951 0

優(yōu)質(zhì)微型導(dǎo)軌有哪些技術(shù)特點(diǎn)？

微型直線導(dǎo)軌適應(yīng)了現(xiàn)今機(jī)械對于高精度、高速度、小型化以及縮短產(chǎn)品開發(fā)周期的要求，被廣泛應(yīng)用在小型化設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備，醫(yī)療設(shè)備，IC制造設(shè)備，X-Y ta...

2025-04-08 標(biāo)簽：醫(yī)療設(shè)備導(dǎo)軌半導(dǎo)體設(shè)備 330 0

沒有它，你的手機(jī)可能造不出來！高精度減速機(jī)在半導(dǎo)體設(shè)備的應(yīng)用

高精度減速機(jī)是制造半導(dǎo)體等精密電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，關(guān)乎芯片良率。全球能生產(chǎn)高精度減速機(jī)的企業(yè)少之又少，且對材料、加工精度、長期穩(wěn)定性等要求極高。

2025-04-02 標(biāo)簽：減速機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 236 0

碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導(dǎo)體之王？

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙...

2025-04-02 標(biāo)簽：IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 1996 0

循環(huán)風(fēng)控溫裝置在半導(dǎo)體設(shè)備高低溫測試中的深度應(yīng)用解析

循環(huán)風(fēng)控溫裝置在半導(dǎo)體設(shè)備高低溫測試中能夠為用戶提供一個受控、恒溫均勻的溫控環(huán)境，同時具備直接加熱、制冷、輔助加熱、輔助制冷的功能，實現(xiàn)全量程范圍內(nèi)的溫...

2025-04-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備高低溫測試 259 0

新型SIC功率芯片：性能飛躍，引領(lǐng)未來電力電子！

隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，對功率半導(dǎo)體器件的性能要求日益提高。碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶...

2025-03-27 標(biāo)簽：芯片封裝功率芯片半導(dǎo)體設(shè)備 477 0

半導(dǎo)體設(shè)備，日韓大賺！

半導(dǎo)體設(shè)備，一直是一個水深火熱的細(xì)分領(lǐng)域。 隨著2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額數(shù)據(jù)的出爐，這一領(lǐng)域迎來更多看點(diǎn)。 ** 01****半導(dǎo)體設(shè)備，大賣！*...

2025-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備 241 0

芯片制造“鍍”金術(shù)：化學(xué)鍍技術(shù)的前沿突破與未來藍(lán)圖

隨著芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，對芯片制造中關(guān)鍵工藝的要求日益提高?；瘜W(xué)鍍技術(shù)作為一種重要的表面處理技術(shù)，在芯片制造中發(fā)揮著不可或缺的作用。本文深入探討了化學(xué)鍍...

2025-05-29 標(biāo)簽：芯片制造芯片封裝半導(dǎo)體設(shè)備 447 0

九家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)Q1：最高營收破82億，研發(fā)暗戰(zhàn)升級

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）當(dāng)前，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)處于快速發(fā)展階段，但國內(nèi)設(shè)備廠商的國產(chǎn)份額依舊較低，國產(chǎn)替代空間較大，各家半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的產(chǎn)品以差...

2025-05-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備 1410 0

Q1半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)融資：量測設(shè)備占4成，新興領(lǐng)域成突圍焦點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化持續(xù)進(jìn)行，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)也進(jìn)入新的發(fā)展階段。在研發(fā)成果方面，今年的SEMICON上，中微半導(dǎo)體...

2025-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備 1720 0

激增35%！2024年中國半導(dǎo)體設(shè)備市場全球第一，北方華創(chuàng)、中微亮眼出圈

（電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/章鷹）4月10日，日本半導(dǎo)體制造裝備協(xié)會（SEAJ）公布統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，2024年全球芯片設(shè)備（新品）銷售額年增10%達(dá)到1,17...

2025-04-13 標(biāo)簽：中微公司北方華創(chuàng)半導(dǎo)體設(shè)備 2252 0

功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)：開啟能源與智能新紀(jì)元

本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，并對未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，...

2025-04-09 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體功率集成模塊半導(dǎo)體設(shè)備 618 0

先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革

本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等...

2025-04-08 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備碳化硅封裝 529 0

新凱來炸場，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備迭代，加速破解先進(jìn)工藝

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）中國，作為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，近年來在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，不僅市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，國產(chǎn)化率也逐步提升，同時涌...

2025-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備新凱來 3173 0

HBM新技術(shù)，橫空出世：引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章

隨著人工智能、高性能計算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，如DDR和GDDR，已逐漸難以滿足這些新...

2025-03-22 標(biāo)簽：內(nèi)存芯片HBM半導(dǎo)體設(shè)備 988 0