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半導(dǎo)體設(shè)備

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半導(dǎo)體設(shè)備泛指用于生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，屬于半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)先導(dǎo)者，芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試等需在設(shè)備技術(shù)允許的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)和制造，設(shè)備的技術(shù)進(jìn)步又反過來推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

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半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢(shì)

隨著國際產(chǎn)能不斷向我國大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移，英特爾（Intel）、三星（Samsung）等國際大廠陸續(xù)在我國大陸地區(qū)投資建廠，同時(shí)在集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的引導(dǎo)下...

2020-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 8456 0

被卡脖子的半導(dǎo)體設(shè)備（萬字深度報(bào)告）

光刻是將設(shè)計(jì)好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個(gè)核心流程：涂膠、對(duì)準(zhǔn)和曝光以及光...

2023-03-25 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 8220 0

一文讀懂讀透半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備

刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代，要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。

2023-05-22 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 4117 0

華為正式進(jìn)軍半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域

相信大家現(xiàn)在也都知道了，由于美國今年第三輪打壓制裁的原因，很多華為的供應(yīng)鏈企業(yè)，需要在9月15日之后，獲得美國的許可，才能繼續(xù)供貨華為，其中主要還是芯片...

2020-11-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體華為半導(dǎo)體設(shè)備 3760 0

半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)工藝流程科普！

第九步退火，離子注入后也會(huì)產(chǎn)生一些晶格缺陷，退火是將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下進(jìn)行加熱，使得注入的粒子擴(kuò)散，恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu)，修復(fù)缺陷，激活所需要的電學(xué)特性。

2023-04-28 標(biāo)簽：工藝晶體管半導(dǎo)體設(shè)備 3439 0

淺談半導(dǎo)體設(shè)備高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)

對(duì)于芯片制造來講，光刻是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，可以說，沒有光刻機(jī)，就沒有現(xiàn)代芯片產(chǎn)業(yè)。在集成電路制造過程中，光刻工藝的費(fèi)用約占制造成本的1/3 左右，耗費(fèi)...

2024-01-31 標(biāo)簽：芯片制造 CMP 光刻機(jī) 3068 0

半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料【二】

設(shè)備功能：與光刻機(jī)聯(lián)合作業(yè)，首先將光刻膠均勻地涂到晶圓上，滿足光刻機(jī)的工作要求；然后，處理光刻機(jī)曝光后的晶圓，將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的部...

2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電離半導(dǎo)體設(shè)備 2955 0

芯片破壁者二十四：1987戰(zhàn)役啟示錄

芯片破壁者（二十四）：1987戰(zhàn)役啟示錄,半導(dǎo)體設(shè)備,半導(dǎo)體,美國,日本,vlsi

2021-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體美國日本 2695 0

半導(dǎo)體詳細(xì)流程圖！主要半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化情況

IP核具有知識(shí)產(chǎn)權(quán)核的集成電路的總稱。經(jīng)反復(fù)驗(yàn)證,具有特定功能的宏模塊?？梢浦驳讲煌雽?dǎo)體工藝中。

2022-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 1928 0

LED光源模組原來可以這么分類

LED光源模組是由LED光源和散熱器組成，實(shí)現(xiàn)發(fā)光和自主散熱模塊化設(shè)計(jì)。

2023-09-26 標(biāo)簽：LED光源散熱器機(jī)器視覺 1653 0

光電上面的LD檔位是什么意思

"LD"通常指的是"激光二極管"（Laser Diode），這是一種半導(dǎo)體設(shè)備，能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)換為光能。在光電領(lǐng)域，激光二極管被廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備和系統(tǒng)中...

2024-09-04 標(biāo)簽：激光二極管光能光電設(shè)備 1653 0

我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將陷入先進(jìn)設(shè)備求購無門困境？

日本和荷蘭對(duì)美國限令的附和，意味著未來很長一段時(shí)間內(nèi)，我國很難從海外半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)中順利進(jìn)口先進(jìn)設(shè)備。

2023-03-03 標(biāo)簽：晶圓代工芯片設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備 1363 0

半導(dǎo)體制造里的ALD工藝：比“精”更“精”！

在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱AL...

2025-01-20 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體制造晶圓制造 1333 0

碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導(dǎo)體之王？

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙...

2025-04-02 標(biāo)簽：IGBT 芯片封裝功率半導(dǎo)體 928 0

一文解析IMEC 發(fā)布芯片縮放路線圖

功率墻：將功率引入芯片并從芯片封裝中提取熱量變得越來越具有挑戰(zhàn)性，因此我們必須開發(fā)改進(jìn)的功率傳輸和冷卻概念。

2023-02-07 標(biāo)簽：晶體管光刻半導(dǎo)體設(shè)備 873 0

深度解析半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)國內(nèi)外市場(chǎng)現(xiàn)狀

晶圓廠內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備按照類型可大致分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、過程控制、自動(dòng)化制造和控制、清洗、涂布顯影、去膠、化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）、快速熱處理/氧化擴(kuò)...

2022-08-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備 838 0

精準(zhǔn)調(diào)整：數(shù)控切割機(jī)導(dǎo)軌的水平與垂直度校準(zhǔn)！

滾柱導(dǎo)軌因其具有高承載、高精度、高穩(wěn)定性和長壽命等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在重型設(shè)備、精密設(shè)備、自動(dòng)化生產(chǎn)線、航空航天和半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域。

2024-07-05 標(biāo)簽：導(dǎo)軌航空航天半導(dǎo)體設(shè)備 761 0

半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)防震基座在 LCD 面板制造曝光機(jī)中的成功應(yīng)用案例

在 LCD（Liquid Crystal Display）面板制造領(lǐng)域，曝光機(jī)是核心設(shè)備之一。它的作用是通過高精度的光刻技術(shù)，將設(shè)計(jì)好的電路圖案精確地轉(zhuǎn)...

2024-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 lcd 曝光機(jī) 731 0

無塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體制造設(shè)備對(duì)振動(dòng)極為敏感，不同的設(shè)備及工藝對(duì)振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)要求也有所不同。一般來說，無塵車間半導(dǎo)體制造設(shè)備的振動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)主要從振動(dòng)頻率、振幅等方面進(jìn)行考量： ...

2025-01-02 標(biāo)簽：振動(dòng)半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備 691 0

守護(hù)半導(dǎo)體精度的穩(wěn)定之錨——抗微震平臺(tái)

在當(dāng)今的精密制造時(shí)代，半導(dǎo)體作為信息科技的基石，其精度與穩(wěn)定性直接關(guān)系到國家的科技進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)的升級(jí)。但面對(duì)微振、震動(dòng)等不穩(wěn)定因素，如何確保半導(dǎo)體制造的精...

2024-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體控制系統(tǒng)半導(dǎo)體設(shè)備 659 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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