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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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達(dá)林頓晶體管與三極管在電子學(xué)領(lǐng)域中都是重要的元件,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、性能、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下將詳細(xì)探討這兩者之間的區(qū)別。
2024-09-29 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體達(dá)林頓晶體管 1514 0
GaN開(kāi)發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)
隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及,開(kāi)關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會(huì)有很大的...
2023-08-22 標(biāo)簽:變壓器半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 1514 0
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高...
盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論,但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線(圖 1-3)是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...
在過(guò)去的二十年間,MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限,被稱(chēng)為“硅極限”。為了突...
元器件原理<DRAM> 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法 <“1” 時(shí)> Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會(huì)降低氮化鎵高...
碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,玻璃基板、柔性基板和陶瓷基板各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì),這些特性決定了它們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景中的適用性。
為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?
功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開(kāi)關(guān)元件的高功率開(kāi)關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、光伏、風(fēng)能和...
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管作為常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件,在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定,還受到多種寄生參...
MASK ROM:是制造商為了要大量生產(chǎn),事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本,然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM,這一種做為大量生產(chǎn)的R...
美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFE...
2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體服務(wù)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1500 0
每個(gè)MOSFET的datasheet都有一個(gè)極限值(有時(shí)也叫最大定格)表格,如果元件工作在極限值以外,將會(huì)導(dǎo)致元件立即損壞或是壽命降低。在下圖中可以明顯...
為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng),使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。
半導(dǎo)體晶片的測(cè)試—晶圓針測(cè)制程的確認(rèn)
將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體,一個(gè)個(gè)判定是否為良品,此制程稱(chēng)為“晶圓針測(cè)制程”。
引線鍵合廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、半導(dǎo)體行業(yè)和微電子領(lǐng)域。它實(shí)現(xiàn)了集成電路(IC)中芯片與其他電子元件(如晶體管和電阻)之間的互連。引線鍵合通過(guò)在芯片的焊盤(pán)與...
超快光譜學(xué)和半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域皆依賴(lài)于非常短的波長(zhǎng),往往在極紫外extreme ultraviolet,EUV波段。然而,大多數(shù)光學(xué)材料強(qiáng)烈地吸收該波長(zhǎng)范圍...
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