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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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一種色域提升膜,可以使未來(lái)的顯示能夠再現(xiàn)超過(guò)人眼可見(jiàn)顏色75%的色彩
研究小組成員黃英杰博士說(shuō):“還有一個(gè)附加優(yōu)勢(shì)是鈣鈦礦材料易于合成,這本身就有助于規(guī)?;a(chǎn),進(jìn)而降低顯示器的生產(chǎn)成本。鈣鈦礦材料和前體化學(xué)材料的反應(yīng)與形...
半導(dǎo)體的逸出功一般比金屬的小,故當(dāng)金屬與半導(dǎo)體(以N型為例)接觸時(shí),電子就從半導(dǎo)體流入金屬,在半導(dǎo)體表面層內(nèi)形成一個(gè)由帶正電不可移動(dòng)的雜質(zhì)離子組成的空間...
固態(tài)繼電器是由微電子電路,分立電子器件,電力電子功率器件組成的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。用隔離器件實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號(hào),達(dá)到...
二極管的應(yīng)用場(chǎng)景 如何選擇合適的二極管
電子設(shè)計(jì)基礎(chǔ)元器件 二極管,小小二極管,大大用途。。。.
光電子器件的基本工作過(guò)程與應(yīng)用種類(lèi)分析
光電子器件扮演著重要角色,因此我們對(duì)于光電子器件應(yīng)當(dāng)具備一定了解。為增進(jìn)大家對(duì)光電子器件的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)半導(dǎo)體光電子器件加以介紹。如果你對(duì)光電子器件具有...
利用CPLD來(lái)降低系統(tǒng)總成本及一些其他應(yīng)用介紹
基于這種情況美國(guó)萊迪思半導(dǎo)體有限公司推出了ispMACH4000Z系列器件。該器件突破了CPLD器件進(jìn)軍移動(dòng)式消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)所遇到的價(jià)格和速度門(mén)檻。...
肖特基二極管(Schottky diode)和快恢復(fù)二極管(Fast recovery diode)是常見(jiàn)的二極管類(lèi)型,在電子應(yīng)用中有各自的特點(diǎn)和應(yīng)用。...
2023-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體肖特基二極管快恢復(fù)二極管 5708 0
挑戰(zhàn)遠(yuǎn)不止石墨烯:隨著半導(dǎo)體公司尋求識(shí)別并利用下一波創(chuàng)新成果,高管們必須采取不同的方式。要理解看似完全不同的開(kāi)發(fā)材料如何能夠創(chuàng)建新的業(yè)務(wù)模型和應(yīng)用程序,...
2018-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)石墨烯 5707 0
為什么需要集成電路?第一款集成芯片對(duì)應(yīng)原理圖
Jack Kilby總共申請(qǐng)超過(guò)六十個(gè)發(fā)明專(zhuān)利,并被公認(rèn)為便攜式計(jì)算器的發(fā)明者(1967年發(fā)明計(jì)算器)。1970年被授予美國(guó)科學(xué)獎(jiǎng)?wù)隆?/p>
隨著集成電路制造工藝不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的體積正變得越來(lái)越小,這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能,槽式清洗工藝已經(jīng)不能滿(mǎn)足需求...
氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù),在實(shí)現(xiàn)未來(lái)的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
高集成度SAR型ADC AD7656的特性和工作原理及應(yīng)用
美國(guó)模擬器件公司(ADI)發(fā)布了一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝,這種工藝技術(shù)是將高電壓半導(dǎo)體工藝與亞微米CMOS和互補(bǔ)雙極型工藝相結(jié)合,并將該工藝命名為iCM...
從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高,明顯高于這兩種工藝單獨(dú)使用時(shí)的刻蝕速率總和。
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析
SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。
國(guó)內(nèi)最近的三條半導(dǎo)體新聞首條先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測(cè)試示范產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)
國(guó)內(nèi)首條先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測(cè)試示范產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng) 海寧日?qǐng)?bào)消息顯示,4月16日中科院半導(dǎo)體所海寧先進(jìn)半導(dǎo)體與智能技術(shù)研究院“先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測(cè)試示范產(chǎn)線(xiàn)”舉行啟動(dòng)儀式。
采用擴(kuò)散電阻技術(shù)的KTY系列硅傳感器的特點(diǎn)及應(yīng)用分析
對(duì)于許多應(yīng)用而言,存在著比傳統(tǒng)熱敏電阻更先進(jìn)的技術(shù),而傳統(tǒng)技術(shù)往往只是因?yàn)橄惹霸O(shè)計(jì)中一直采用而被頻繁使用。
超分辨光刻裝備落地,可實(shí)現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)
國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對(duì)進(jìn)口依賴(lài)非常高,特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片,國(guó)內(nèi)的技術(shù)落后,還不能完全國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的,很多人都知...
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,它具有放大和開(kāi)關(guān)功能。在電子電路中,晶體管的應(yīng)用非常廣泛,可以說(shuō)是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件之一。晶體管的工作狀態(tài)主要有三種:截止?fàn)?..
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