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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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2021年十大熱點(diǎn)應(yīng)用趨勢(shì)會(huì)如何發(fā)展
根據(jù)SIA于2020年底發(fā)布的WSTS行業(yè)預(yù)測(cè)顯示,2020年全球半導(dǎo)體年銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)5.1%,2021年將增長(zhǎng)8.4%,高于7月份發(fā)布的WSTS預(yù)測(cè)。...
2020-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體5G深度學(xué)習(xí) 5503 0
基于MOS器件的單相能量回收反相器電路的設(shè)計(jì)
過(guò)去的40年中,MOS器件尺寸的持續(xù)縮小一直是促進(jìn)半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的動(dòng)力。人們可以在越來(lái)越小的芯片上實(shí)現(xiàn)越來(lái)越復(fù)雜的功能,并且芯片的價(jià)格不斷下降,使得各種...
ROHM新增高效MOS智能功率模塊,助于應(yīng)用整體實(shí)現(xiàn)節(jié)能
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出滿(mǎn)足家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備等的小容量電機(jī)低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module...
2018-09-19 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體變頻器 5490 0
IGBT和MOSFET該用誰(shuí)?你選對(duì)了嗎?
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅(qū)...
光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一,常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過(guò)程開(kāi)始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對(duì)其進(jìn)行預(yù)熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況如何?半導(dǎo)體行業(yè)投資深度分析資料概述
未來(lái)牛股集中營(yíng) 1.半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,具有極高的確定性,就成長(zhǎng)性而言,未來(lái)3-5年很難有行業(yè)與其相提并論; 2.從行業(yè)分類(lèi)來(lái)看,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)...
EUV曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野
技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展推動(dòng)著半導(dǎo)體曝光技術(shù)解像度(Half Pitch)的發(fā)展,ArF液浸曝光技術(shù)和EUV曝光技術(shù)等的解像度(R)和曝光波長(zhǎng)(λ)成正比,和光學(xué)...
采用LM629和PIC16F877實(shí)現(xiàn)平面關(guān)節(jié)型機(jī)械手的設(shè)計(jì)
LM629是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的可編程全數(shù)字運(yùn)動(dòng)控制芯片,它具有32位的位置、速度和加速度寄存器,內(nèi)置PID算法,其參數(shù)可以修改;支持實(shí)時(shí)讀取和設(shè)定...
2021-03-20 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體控制系統(tǒng) 5475 0
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)LED)是一種半導(dǎo)體發(fā)光器件,具有體積小、壽命長(zhǎng)、能耗低、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于照明、顯...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)_出席參展今年度SEMICON China 2018
SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,已是近6年全球最大、影響力最廣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì),匯集全球半導(dǎo)體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...
關(guān)于汽車(chē)半導(dǎo)體的發(fā)展分析
HPMS主要由以下四條業(yè)務(wù)線組成:汽車(chē)、安全識(shí)別、安全連接及安全接口基礎(chǔ)設(shè)施。每輛汽車(chē)的含硅量的增長(zhǎng)帶動(dòng)了公司產(chǎn)品的需求量的大幅提升,主要包括高級(jí)驅(qū)動(dòng)程...
在常溫下,本征半導(dǎo)體呈現(xiàn)為穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),當(dāng)對(duì)本征半導(dǎo)體進(jìn)行加熱后,由于熱運(yùn)動(dòng),價(jià)電子積攢了足夠的能量后,掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子,其帶負(fù)電
材料科學(xué)的進(jìn)展對(duì)于此時(shí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是及時(shí)雨,而且從科學(xué)變成技術(shù)的速度也令人嘆為觀止。前幾年還在《Nature》、《Science》這些頂級(jí)科學(xué)期刊當(dāng)成科...
儲(chǔ)能材料基本知識(shí)及市場(chǎng)分析
隨著對(duì)新能源和可再生能源的研究和開(kāi)發(fā),尋求提高能源利用率的先進(jìn)方法,已成為全球共同關(guān)注的首要問(wèn)題。
盡管我國(guó)擁有最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距,特別是IGBT等高端器件差距更加明顯。核心技術(shù)均掌握在...
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究
作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...
雙極結(jié)型晶體管教程,我們看到晶體管的輸出集電極電流與流入器件基極端的輸入電流成正比,從而使雙極晶體管成為“電流”操作器件(Beta模型),因?yàn)殡娏鬏^小可...
南開(kāi)大學(xué)提出了高性能太赫茲隱身材料設(shè)計(jì)的新思路
南開(kāi)大學(xué)團(tuán)隊(duì)在石墨烯功能材料及其隱身應(yīng)用方面開(kāi)展了深入的研究工作。針對(duì)傳統(tǒng)隱身材料無(wú)法有效對(duì)抗太赫茲波探測(cè)的挑戰(zhàn),提出了高性能太赫茲隱身材料設(shè)計(jì)的新思路。
開(kāi)關(guān)二極管電路圖 開(kāi)關(guān)二極管的工作原理和電路分析
半導(dǎo)體二極管導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合(電路接通),截止時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)打開(kāi)(電路切斷),所以二極管可作開(kāi)關(guān)用,常用型號(hào)為1N4148。由于半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)?..
關(guān)于1200V耐壓IGBT“RGS系列”性能分析
電流流過(guò)PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時(shí)會(huì)流過(guò)大電流,產(chǎn)生大量熱量,隨著發(fā)熱量的增加,電阻值增大,電流受限,從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性,可加熱空氣和水,...
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