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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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固態(tài)繼電器(Solid State Relay,簡(jiǎn)稱(chēng)SSR)是一種由微電子電路、分立電子器件和電力電子功率器件組成的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。與傳統(tǒng)的電磁式繼電器相比...
2024-05-22 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 5136 0
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特...
ARIMA時(shí)間序列模型的建立及在半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
當(dāng)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨全球化的巨大挑戰(zhàn),不但存在行業(yè)內(nèi)部企業(yè)之間的競(jìng)爭(zhēng),行業(yè)與行業(yè)之間的競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈,直接導(dǎo)致市場(chǎng)需求不確定因素急劇增加;另外,近年來(lái)半導(dǎo)...
半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)改進(jìn)電控天線SWaP-C這一目標(biāo)
基于IC的半導(dǎo)體相位調(diào)整可以在幾納秒內(nèi)完成,這樣我們就可以改變輻射圖的方向,針對(duì)新的威脅或用戶(hù)快速做出響應(yīng)。類(lèi)似地,我們可以從輻射波束變?yōu)橛行Я泓c(diǎn)以吸收...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,制造工工程被稱(chēng)為工藝(Process),理由是什么?雖然沒(méi)有明確的答案,但與其說(shuō)加工尺寸微小(目前是nm制程),不如說(shuō)制造過(guò)程無(wú)法用肉眼看到所致。
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
更便捷生產(chǎn)工藝霍爾開(kāi)關(guān)芯片-M7101
當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí),薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱(chēng)為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱(chēng)為霍爾電勢(shì)U,其表達(dá)式為U=K...
2018-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)霍爾開(kāi)關(guān) 5110 0
光伏發(fā)電的主要原理是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。當(dāng)光子照射金屬時(shí),其能量可以被金屬中的電子完全吸收。電子吸收的能量足夠大,足以克服金屬的內(nèi)部引力,并從金屬表面逃逸...
寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能,兩種材料的特性說(shuō)明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
廣泛應(yīng)用的物聯(lián)網(wǎng)WIFI方案
擁有豐富外圍接口的嵌入式超低功耗WIFI傳輸方案,有超低功耗支持紐扣電池的單芯片WIFI,有大數(shù)據(jù)量SDIO低功耗接口的11AC WIFI方案,以及低于...
2018-06-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)WIFI 5100 0
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...
該類(lèi)型的激光器利用輸出固定波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器代替了傳統(tǒng)的氪燈或氙燈來(lái)對(duì)激光晶體進(jìn)行泵浦,從而取得了嶄新的發(fā)展,被稱(chēng)為第二代的激光器。這是一種高效率、長(zhǎng)壽...
一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)簡(jiǎn)單描述。
2023-01-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 5086 0
Nand Flash和Nor Flash存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介及其區(qū)別
Flash是存儲(chǔ)芯片的一種,在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory,全稱(chēng)為Flash EEPROM Memeory,即我們平時(shí)說(shuō)的“閃存”。...
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法 場(chǎng)效應(yīng)管的注意事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)管(fet)是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)...
2023-02-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管FET 5076 0
眾所周知,晶閘管的應(yīng)用十分廣泛,晶閘管是一種非常精密的半導(dǎo)體器件。在使用過(guò)程中,我們必須在其指定的范圍內(nèi)才能獲得所需要的輸出,但是由于過(guò)電壓、過(guò)電流等原...
FET(Field Effect Transistor,場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的放大原理是基于電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性的調(diào)控作用。FET作為一種三端半導(dǎo)體器件,通...
半導(dǎo)體發(fā)展策略:以資本投入為主,轉(zhuǎn)向提高投資的質(zhì)量
中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展正進(jìn)入一個(gè)重要轉(zhuǎn)折點(diǎn),從現(xiàn)在起以資本投入為主(把錢(qián)花出去),可能應(yīng)該轉(zhuǎn)向提高投資的質(zhì)量(把錢(qián)用對(duì),用好及用對(duì)時(shí)間)。實(shí)際上中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要...
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