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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

+關(guān)注331人關(guān)注

半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配設(shè)備安裝與連接環(huán)節(jié)有哪些注意事項(xiàng)?

集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配設(shè)備安裝與連接環(huán)節(jié)有哪些注意事項(xiàng)?

設(shè)備安裝與連接是集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配施工流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),以下是該環(huán)節(jié)的一些注意事項(xiàng):

2025-01-06 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體集成電路設(shè)備 500 0

什么是集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配?

什么是集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配?

集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配是在集成電路工廠建設(shè)過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié),主要涉及到在一次機(jī)電安裝完成后,針對(duì)生產(chǎn)設(shè)備的具體需求進(jìn)行的二次機(jī)電系統(tǒng)配置與調(diào)整。...

2025-01-06 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體無(wú)塵車間 806 0

SiC MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)

SiC MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,氮化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...

2025-01-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 761 0

減少減薄碳化硅紋路的方法

減少減薄碳化硅紋路的方法

碳化硅(SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過...

2025-01-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 386 0

半導(dǎo)體雷射導(dǎo)通延遲時(shí)間

半導(dǎo)體雷射導(dǎo)通延遲時(shí)間

當(dāng)半導(dǎo)體雷射從閾值條件以下要達(dá)到雷射的操作,其主動(dòng)層中的載子必須要先達(dá)到閾值載子濃度才會(huì)有雷射光輸出,這段載子累積的時(shí)間稱為導(dǎo)通延遲(turn-on d...

2025-01-06 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體 526 0

半導(dǎo)體需要做哪些測(cè)試

半導(dǎo)體需要做哪些測(cè)試

設(shè)計(jì)芯片:半導(dǎo)體制造的起點(diǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造始于芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)階段是整個(gè)制造過程的第一步,工程師們根據(jù)產(chǎn)品所需的功能來(lái)設(shè)計(jì)芯片。芯片設(shè)計(jì)完成后,下一步是將...

2025-01-06 標(biāo)簽:測(cè)試半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì) 403 0

一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導(dǎo)體或其他材料中的一種技術(shù)手段,本文詳細(xì)介紹了離子注入技術(shù)的原理、設(shè)備和優(yōu)缺點(diǎn)。 ? 常見半導(dǎo)體晶圓材料是單晶硅,...

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霍爾元件的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)

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2025-02-02 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體霍爾元件 884 0

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2025-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路恒流三極管 412 0

國(guó)內(nèi)MHz高頻低損耗鐵氧體軟磁材料研究進(jìn)展

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目前國(guó)內(nèi)MHz高頻低損耗鐵氧體軟磁材料開發(fā)進(jìn)展如何?主要面臨哪些挑戰(zhàn)?其損耗大致在什么水平?離大規(guī)模量產(chǎn)還有多大距離?

2025-01-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子變壓器軟磁材料 587 0

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從(4-40)式我們知道,要達(dá)到高的弛豫頻率,光子生命期要小而閾值電流要低,然而這兩個(gè)因素是互相沖突的,因?yàn)楣庾由谌糇冃。瑒t閾值增益變大,閾值電流隨...

2025-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體調(diào)制VCSEL 400 0

泛半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

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一。泛半導(dǎo)體的定義與原理: 泛半導(dǎo)體(Pan-Semiconductor),是指包括半導(dǎo)體及顯示行業(yè)等在內(nèi)的,與半導(dǎo)體技術(shù)和應(yīng)用密切相關(guān)的一系列產(chǎn)業(yè)集合...

2025-01-03 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體 1140 0

半導(dǎo)體FAB中常見的五種CVD工藝

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Hello,大家好,今天來(lái)分享下半導(dǎo)體FAB中常見的五種CVD工藝。 化學(xué)氣相沉積(CVD)主要是通過利用氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工...

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利用物質(zhì)的電阻率可以劃分界定導(dǎo)體、半導(dǎo)體以及絕緣體,但相較于電阻率,能帶圖能夠表征物質(zhì)的更多性質(zhì)。 ? ? ? 如上圖所示,對(duì)于導(dǎo)體、半導(dǎo)體以及絕緣體而...

2025-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體導(dǎo)電絕緣體 1067 0

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2025-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻掩膜 1601 0

半導(dǎo)體熱測(cè)試常見問題

半導(dǎo)體熱測(cè)試常見問題

半導(dǎo)體器件在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)因功率損耗、環(huán)境溫度等因素產(chǎn)生熱量,過高的溫度可能導(dǎo)致器件性能下降甚至損壞。因此,熱測(cè)試成為半導(dǎo)體元件性能驗(yàn)證和可靠性評(píng)估的重要...

2025-01-02 標(biāo)簽:溫度傳感器半導(dǎo)體熱測(cè)試 539 0

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引線鍵合 引線鍵合,又稱壓焊,是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測(cè)試良率具有決定性影響。 以下是對(duì)引線鍵合的分述: 引線鍵合概述 ...

2025-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝引線鍵合 908 0

TGV玻璃基板主流工藝詳解

芯片封裝隨著制程的越來(lái)越先進(jìn),其生產(chǎn)制造工藝也開始從宏觀制程轉(zhuǎn)向微縮制程,量產(chǎn)工藝也越來(lái)越半導(dǎo)體制程化。 而在2D平面封裝越來(lái)越難以適應(yīng)更大的帶寬傳輸容...

2025-01-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體玻璃基板 1350 0

淺談半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體激光器是以半導(dǎo)體材料為增益介質(zhì)的激光器,依靠半導(dǎo)體能帶間的躍遷發(fā)光,通常以天然解理面為諧振腔。因此其具有波長(zhǎng)覆蓋面廣、體積小、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、抗輻射能力...

2024-12-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器光纖通信 770 0

小信號(hào)響應(yīng)分析

小信號(hào)響應(yīng)分析

最常見的半導(dǎo)體雷射調(diào)制是如圖4-1 的直接電流調(diào)制,半導(dǎo)體雷射偏壓操作在固定的電流值I0上,欲輸入的信號(hào)從網(wǎng)絡(luò)分析儀中產(chǎn)生經(jīng)過 Bias-T 后加載到半...

2024-12-31 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體小信號(hào) 531 0

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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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