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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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納米技術(shù)是一個(gè)高度跨學(xué)科的領(lǐng)域,涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質(zhì)。集成電路(IC)作為已經(jīng)達(dá)到納米級(jí)別的重要技術(shù),對(duì)社會(huì)生活產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。晶體管器件...
半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)是一個(gè)綜合性的過(guò)程,涉及多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下:可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)概述、可靠性評(píng)價(jià)的技術(shù)特點(diǎn)、可靠性評(píng)價(jià)的測(cè)試結(jié)構(gòu)、MO...
硅碳化物(SiC)是一種重要的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)因其優(yōu)越的物理和化學(xué)特性而在功率電子器件中受到廣泛關(guān)注。SiCMOS管(Metal-Oxide-Semi...
半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域,成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用,著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封...
在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢(shì)...
淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡(jiǎn)單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個(gè)晶體管,這些晶體管通過(guò)細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過(guò)程極其復(fù)雜,需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。
硅集成電路技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無(wú)可爭(zhēng)議,然而,隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小,硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn),本文分述如下:1.硅...
硅片,作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的硅材料。這一過(guò)程中,多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過(guò)精細(xì)的研磨、拋...
芯對(duì)話 |?CBM97D39高性能數(shù)模轉(zhuǎn)換的行業(yè)寵兒,它強(qiáng)在哪?
一、總述數(shù)據(jù)的處理與傳輸能力現(xiàn)如今已然成為推動(dòng)各個(gè)領(lǐng)域進(jìn)步的核心動(dòng)力。從通信行業(yè)對(duì)高速、穩(wěn)定信號(hào)傳輸?shù)淖非?,到儀器與測(cè)試設(shè)備對(duì)高精度測(cè)量的執(zhí)著,再到雷達(dá)...
2025-02-26 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體數(shù)模轉(zhuǎn)換 1136 0
文章綜述了現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體激光器(包括單發(fā)射腔、巴條、水平陣列和垂直疊陣)的封裝技術(shù),并討論了其發(fā)展趨勢(shì);分析了半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)存在的問(wèn)題和面臨的挑...
一、引言在半導(dǎo)體制造業(yè)這一高科技領(lǐng)域中,生產(chǎn)效率、質(zhì)量控制和成本控制是企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵所在。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)已成為半導(dǎo)體企...
2025-02-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MESMES系統(tǒng) 424 0
在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域,互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來(lái),隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展,納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互...
倒裝芯片封裝:半導(dǎo)體行業(yè)邁向智能化的關(guān)鍵一步!
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,集成電路的封裝工藝也在不斷創(chuàng)新與進(jìn)步。其中,倒裝芯片(FlipChip,簡(jiǎn)稱FC)封裝工藝作為一種先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù),正逐...
伯納爾雙層石墨烯(BLG)在低磁場(chǎng)或零磁場(chǎng)的巨大潛力
【DT半導(dǎo)體】獲悉,本征的谷自由度使得雙層石墨烯(BLG)成為半導(dǎo)體量子比特的獨(dú)特平臺(tái)。單載流子量子點(diǎn)(QD)基態(tài)表現(xiàn)出雙重簡(jiǎn)并性,其中構(gòu)成克萊默對(duì)的兩...
石墨烯電學(xué)特性測(cè)試的挑戰(zhàn)和解決方案
隨著AI計(jì)算、大數(shù)據(jù)、高速互聯(lián)和5G/6G通信的快速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)正迎來(lái)一場(chǎng)材料革命。硅基芯片在制程縮小至2nm之后,已逼近物理極限,短溝道效應(yīng)、功耗...
半導(dǎo)體芯片制造中的檢測(cè)和量測(cè)技術(shù)
質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一,對(duì)于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造流程復(fù)雜,涉及眾多工藝步驟,每一道工序都需要達(dá)到近乎...
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