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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想...
2025-01-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 442 0
一、電子開關(guān)的基本原理 電子開關(guān)通常由半導(dǎo)體材料制成,如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些開關(guān)...
2024-12-30 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料電子開關(guān) 768 0
IEDM2024:TSMC關(guān)于未來(lái)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析
在技術(shù)推動(dòng)下,半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷突破界限,實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、5G/6G、自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域的變革性應(yīng)用。 AI Se...
2024-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管人工智能 1323 0
射頻放大器信號(hào)處理方法 射頻放大器在信號(hào)處理中扮演著至關(guān)重要的角色,其處理方法涉及多個(gè)層面,以確保信號(hào)的有效放大和傳輸。以下是一些關(guān)鍵的射頻放大器信號(hào)處...
2024-12-13 標(biāo)簽:帶寬場(chǎng)效應(yīng)晶體管射頻放大器 1052 0
安森美宣布將收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)
安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Ca...
2024-12-13 標(biāo)簽:安森美場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅 724 0
晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(B...
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS管電子設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1733 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 1481 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱MOSF...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 9451 0
MOS管,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬 1691 0
2D多鰭FETs的高密度集成,搭臺(tái)引導(dǎo)外延的科技突破!
來(lái)源:科學(xué)之邦 【研究背景】 隨著摩爾定律的推進(jìn),傳統(tǒng)基于三維半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETs)不斷縮小,這導(dǎo)致了設(shè)備性能的提升和晶體管密度的增加。然而,...
2024-09-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料 434 0
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 422 0
美國(guó)或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口
據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解,美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施,旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAA)技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)技術(shù)...
2024-06-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管HBMGAA 367 0
微電子所在《中國(guó)科學(xué):國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文
來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...
2024-05-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 647 0
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 2060 0
安建半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司,主要產(chǎn)品包括高性能溝槽柵場(chǎng)截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓場(chǎng)效應(yīng)晶...
2024-04-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件安建半導(dǎo)體 728 0
三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)
4月12日至14日,第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦,本屆會(huì)議由中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦,合肥工業(yè)大學(xué)承辦。
2024-04-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 768 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器
碲化汞(HgTe)納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。
2024-04-07 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 970 0
AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管
概述 AO8810/L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中...
2024-03-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 528 0
2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
近期,2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率模塊 1452 0
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