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標簽 > 場效應晶體管
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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一文解析現(xiàn)代場效應晶體管(FET)的發(fā)明先驅
朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應晶體管奠定了理論基礎。 雖然第一個工作的場效應晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個想...
一、電子開關的基本原理 電子開關通常由半導體材料制成,如硅或鍺。它們可以是雙極型晶體管(BJT)或金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些開關...
IEDM2024:TSMC關于未來整體半導體產(chǎn)業(yè)分析
在技術推動下,半導體領域不斷突破界限,實現(xiàn)人工智能(AI)、高性能計算(HPC)、5G/6G、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領域的變革性應用。 AI Se...
射頻放大器信號處理方法 射頻放大器在信號處理中扮演著至關重要的角色,其處理方法涉及多個層面,以確保信號的有效放大和傳輸。以下是一些關鍵的射頻放大器信號處...
安森美宣布與Qorvo達成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術業(yè)務及其子公司United Silicon Ca...
晶體管的基本結構 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(B...
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關特性而被廣泛應用于各種電子設備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅動簡單等優(yōu)點而被廣泛應用于各種電子設備中。然而,由于其...
MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱MOSF...
MOS管,全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一...
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應晶體管是一種金屬氧化物硅場效應晶體管,工作電壓最高達到1kV(SiC:2kV),具有高開關速度和最佳效率。 這項創(chuàng)新技術在消費電...
據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解,美國政府正考慮深化對華出口管制措施,旨在阻礙中國獲取先進的全柵場效應晶體管(GAA)技術及高帶寬存儲器(HBM)技術...
微電子所在《中國科學:國家科學評論》發(fā)表關于先進CMOS集成電路新結構晶體管的綜述論文
來源:中國科學院微電子研究所 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是推動大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點實現(xiàn)波長達18 μm的光探測
膠體量子點(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調諧性,因而在光電子器件中備受關注。
安建半導體是一家專注于半導體功率器件的研發(fā)、設計和銷售的公司,主要產(chǎn)品包括高性能溝槽柵場截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場效應晶體管、高壓場效應晶...
AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強模場效應晶體管
概述 AO8810/L采用先進的溝槽技術,提供優(yōu)良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設備適用于作為負載開關或在PWM應用程序中...
2024-03-22 標簽:場效應晶體管 606 0
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