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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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場效應(yīng)晶體管混頻器原理及其電路 混頻器一般由輸入信號回路、本機(jī)振蕩器、非線性器件和濾波網(wǎng)絡(luò)等4部分組成,如圖1所示。這里的非線性器件本
2010-03-05 標(biāo)簽:混頻器場效應(yīng)晶體管 7035 0
場效應(yīng)晶體管有4個(gè)部分——1個(gè)源極、1個(gè)漏極、一個(gè)連接這兩者的導(dǎo)電通道和一個(gè)控制沿通道電流的柵極。由于這些器件被做得更小,人們開始注意到晶體管的性能隨著...
2020-08-17 標(biāo)簽:摩爾定律芯片技術(shù)場效應(yīng)晶體管 6583 0
隨著我國武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級提升,對IGBT模塊的需求劇增,IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模...
2023-02-01 標(biāo)簽:IGBT場效應(yīng)晶體管陶瓷基板 6222 0
mos管導(dǎo)通后電流方向? 當(dāng) MOSFET (金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管) 導(dǎo)通后,電流會(huì)從源極流動(dòng)到漏極。導(dǎo)通時(shí),MOSFET 管體內(nèi)部的通道形...
2023-09-07 標(biāo)簽:控制器MOS管電源轉(zhuǎn)換器 6151 0
H20R1203到底能不能用IRF 250代換? H20R1203和IRF250是兩種不同的電力場效應(yīng)晶體管。雖然它們可能在一些電路應(yīng)用中具有相似的性能...
2024-01-15 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管額定電流 5823 0
MOS管在電路中如何控制電流大小? MOS管是一種非常常見的電子器件,常用于各種電路中來控制電流的大小。 一、MOS管的基本原理和結(jié)構(gòu) MOS管全稱金屬...
2023-12-21 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管擊穿電壓 5461 0
igbt和igct的區(qū)別是啥? IGBT和IGCT是兩種不同類型的高壓開關(guān)裝置,用于電力電子應(yīng)用中。IGBT是導(dǎo)電型場效應(yīng)晶體管集成電路,而IGCT是絕...
p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分?
p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分? 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì),...
2023-11-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 5320 0
什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)?
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...
2022-08-20 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻場效應(yīng)晶體管 5245 0
p型半導(dǎo)體主要靠什么導(dǎo)電 半導(dǎo)體是當(dāng)今電子技術(shù)中最重要的材料之一,其應(yīng)用涵蓋了廣泛的領(lǐng)域,從微處理器到太陽能電池板等等。半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于不同類型的...
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它...
2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場效應(yīng)晶體管 4234 0
2N5457場效應(yīng)晶體管可用做一個(gè)變壓電阻,用在運(yùn)算放大器的差分輸入端之間。在多個(gè)十進(jìn)制的電阻中,電阻的參數(shù)變化與電壓成線性關(guān)系,這樣可提供良好的電子增...
2011-11-08 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管2N5457 3971 1
飛虹N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管FHA28N50W可替代ON場效應(yīng)管品牌
究竟是怎樣的場效應(yīng)管參數(shù)才能做到既能適配高頻開關(guān)電源與逆變電源都經(jīng)常使用呢?它是具備TO-3PN封裝、28A、500V電流、電壓的MOS管。
2022-09-13 標(biāo)簽:封裝場效應(yīng)晶體管電荷 3926 0
散射機(jī)制調(diào)控實(shí)現(xiàn)二維Bi2O2Se高效熱電轉(zhuǎn)換
不同于目前廣泛研究的石墨烯,過渡金屬硫化物,黑磷等二維材料,二維Bi2O2Se的低聲子群速度和強(qiáng)聲子非諧散射使其具有極低的熱導(dǎo)率(~0.92 W/mK ...
2021-01-15 標(biāo)簽:光學(xué)場效應(yīng)晶體管石墨烯 3839 0
分立式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
FET柵極驅(qū)動(dòng)器和電源的支持組件集成在柵極驅(qū)動(dòng)器中,從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無源下拉電阻器和電...
2021-01-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 3826 0
為什么PMOS的閃爍噪聲低于NMOS?? PMOS和NMOS是兩種在集成電路中廣泛使用的MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)類型。在電子設(shè)計(jì)...
2023-09-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管NMOS管PMOS管 3677 0
EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高...
2022-05-17 標(biāo)簽:EPC場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3662 0
MOS管漲價(jià)最新消息mosfet價(jià)格走勢長紅 Diodes 士蘭微等陸續(xù)發(fā)布漲價(jià)通知
受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,近日,國內(nèi)外多家金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)廠商發(fā)布漲價(jià)通知,目前已累計(jì)四家MOS管廠商已經(jīng)啟動(dòng)漲價(jià),漲...
鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET提高芯片的驅(qū)動(dòng)能力
鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)是立體多柵器件的一種,其主要特征是由魚鰭形(Fin)的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道,并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。
2022-09-09 標(biāo)簽:集成電路場效應(yīng)晶體管FinFET 3400 1
IGBT和MOSFET在對飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 3329 1
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