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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)...
2023-10-22 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3263 0
mos管并聯(lián)后電流增加多少? 如何計(jì)算MOS管并聯(lián)后電流的增加? 在電路中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被廣泛應(yīng)用于各種各樣的電子設(shè)備中...
2023-09-07 標(biāo)簽:電阻器MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2608 0
ISFET傳感器偏置電路的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析
ISFET(離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管)可用于測(cè)量流體的酸性。精確的測(cè)量要求 ISFET 的偏置條件(ID 和 VDS)保持恒定,同時(shí)柵極直接接觸被測(cè)流體。流...
2019-10-03 標(biāo)簽:傳感器電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2594 0
UnitedSiC宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中國(guó)北京 -?2022 年 5 月 17 日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QR...
2022-05-17 標(biāo)簽:移動(dòng)應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)晶體管UnitedSiC 2594 0
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 2452 0
為什么MOS管和BJT管的三端不能任意作為輸入和輸出?? 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)中最基礎(chǔ)的電子器件。而MOS管和BJT管是晶體管的兩種主要類型。它們被廣泛應(yīng)...
2023-09-21 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管BJT管 2370 0
ROHM推出適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備的Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計(jì)24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)...
2020-12-26 標(biāo)簽:MOSFET機(jī)器人場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2362 0
全新二維半導(dǎo)體垂直鰭片/高介電自氧化物外延集成架構(gòu)
工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入亞3 nm以后,垂直鰭片溝道架構(gòu)的新器件開(kāi)發(fā)仍備受關(guān)注,人們正在考慮制造基于垂直鰭式結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)垂直圍柵器件(VGAA)或垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體...
2023-03-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2362 0
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,&q...
2023-06-02 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 2179 0
宜普推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)EPC2012
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化...
2011-08-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管宜普eGaN FET 2159 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件,常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等...
2023-12-08 標(biāo)簽:放大器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2155 0
生物傳感器(Biosensor)是一種用于檢測(cè)生物分子并將其濃度轉(zhuǎn)換為可用信號(hào)的分析裝置,其通常有兩個(gè)主要組成部分
2023-04-28 標(biāo)簽:熱敏電阻信號(hào)轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2132 0
二維Bi?O?Se光電特性及其光電子器件研究進(jìn)展綜述
二維(2D)材料由于其超薄的厚度、高度的機(jī)械柔性、可調(diào)諧的帶隙以及易于定制的范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu),被廣泛應(yīng)用于通信、紅外探測(cè)、航空航天以及生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
2023-07-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電探測(cè)器TMD 2114 0
得益于高集成度和低成本潛力,F(xiàn)ET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)引起了生物傳感(例如DNA、蛋白質(zhì)、病毒檢測(cè)及pH傳感等)應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛興趣。當(dāng)生物分子與柵極的化學(xué)修...
2021-01-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管IMEC生物傳感器 2112 0
MOS的三個(gè)極怎么判定?是N溝道還是P溝道? MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...
2023-11-30 標(biāo)簽:晶體管MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2070 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開(kāi)關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS管電子設(shè)備場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2060 0
研究人員對(duì)硅納米線Bio-FET進(jìn)行了制造和表征,如圖1a和圖2所示,該器件由硅納米線FET器件和PDMS微流體層構(gòu)成,尺寸為15mm × 26mm,具...
2022-06-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管納米線 2039 0
MOS管,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管金屬 2009 0
一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ISFET)
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,德國(guó)弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所(Fraunhofer IPMS)開(kāi)發(fā)出一種用于芯片式pH值測(cè)量的傳感層,并成功將其集成到離子敏感場(chǎng)效應(yīng)...
2024-03-11 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1999 0
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...
2020-08-22 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1985 0
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