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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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研究人員研發(fā)了一種用于場效應(yīng)晶體管(field-effect transistors,F(xiàn)ETs)的高性能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備...
2020-09-18 標(biāo)簽:pcb電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管 1929 0
原文來自:泉城嵌入式 運(yùn)算放大器(IntegratedOperational Amplifier)簡稱集成運(yùn)放,是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻...
2024-03-27 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器場效應(yīng)晶體管 1895 0
隧道場效應(yīng)晶體管 (Tunneling FET, TFET) 比傳統(tǒng)的 CMOS 場效應(yīng)晶體管具有更優(yōu)異的開關(guān)特性,更適用于超低功耗的電路。TEFT ...
2022-09-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管晶格 1846 0
IEDM2024:TSMC關(guān)于未來整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析
在技術(shù)推動下,半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷突破界限,實現(xiàn)人工智能(AI)、高性能計算(HPC)、5G/6G、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域的變革性應(yīng)用。 AI Se...
2024-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管人工智能 1822 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動簡單等優(yōu)點而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 1810 0
晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(B...
宜普推出氮化鎵場效應(yīng)晶體管的電源轉(zhuǎn)換器演示板
EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅(qū)動器的組合所能達(dá)到的優(yōu)異性能。
2012-05-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 1759 0
碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點,即不可否認(rèn)的優(yōu)勢推動技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今,出于多種原因,希望保持競爭力并降低長期系統(tǒng)成本的設(shè)計人員正在轉(zhuǎn)向基于S...
2023-10-13 標(biāo)簽:處理器MOSFET場效應(yīng)晶體管 1749 0
MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在SMPS以及DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計中 , 使用場效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要...
2011-11-28 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管 1703 0
2家臺灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
近期,2家臺灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 標(biāo)簽:電動汽車場效應(yīng)晶體管功率模塊 1688 0
pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容?
pn結(jié)的電容效應(yīng) 為什么在pn結(jié)間加入i層可以減小結(jié)電容? PN結(jié)是一種半導(dǎo)體器件,其中P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間由弱耗盡區(qū)隔離。這種器件有許多應(yīng)用,例如...
2023-10-19 標(biāo)簽:太陽能電池整流器場效應(yīng)晶體管 1674 0
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本,最新推出EP...
2020-11-13 標(biāo)簽:適配器服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 1674 0
EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉(zhuǎn)換器評估模塊——EPC9151
面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換,EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級實現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
2020-12-22 標(biāo)簽:EPCDC-DC轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 1666 0
為了提高隧道開關(guān)器件在 ON/OFF 電流比、亞閾值擺幅和 ON 電流密度方面的性能,一些研究試圖開發(fā)僅使用硅和 III-V 半導(dǎo)體或 2D 半導(dǎo)體的器件。
2022-11-10 標(biāo)簽:三極管晶體管場效應(yīng)晶體管 1634 0
華為公開“集成電路及其制作方法、場效應(yīng)晶體管”專利
根據(jù)專利摘要,本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域,場效應(yīng)晶體管,可以簡化集成電路的制造過程,降低生產(chǎn)費用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaa...
2023-08-23 標(biāo)簽:集成電路場效應(yīng)晶體管FinFET 1625 0
為什么源極跟隨器的噪聲性能很差? 源極跟隨器是一種簡單的放大器電路,它可以用來放大信號并提高電路的輸入電阻。源極跟隨器的噪聲性能往往會比其他放大器電路差...
2023-09-20 標(biāo)簽:放大器跟隨器場效應(yīng)晶體管 1609 0
一種用于檢測SARS-CoV-2的還原氧化石墨烯場效應(yīng)晶體管生物傳感器
隨著新型冠狀病毒(SARS-CoV-2)的傳播,對快速、準(zhǔn)確檢測和篩查新冠病毒肺炎(COVID-19)患者的工具的需求日益增加。
2023-03-27 標(biāo)簽:傳感器FET場效應(yīng)晶體管 1585 0
東芝面向超低功率MCU開發(fā)隧穿場效應(yīng)晶體管
東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布面向超低功率微控制器(MCU)開發(fā)采用新工作原理的隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)。
2014-10-08 標(biāo)簽:MCU場效應(yīng)晶體管東芝公司 1527 0
GaN器件是平面器件,與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng),因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成,進(jìn)一步降低用戶的使用門檻,并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢,很有...
2023-11-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1521 0
三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!
近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1508 0
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