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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù),在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的各個(gè)方面,從外延生長(zhǎng)到晶...
2023-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 520 0
2D多鰭FETs的高密度集成,搭臺(tái)引導(dǎo)外延的科技突破!
來源:科學(xué)之邦 【研究背景】 隨著摩爾定律的推進(jìn),傳統(tǒng)基于三維半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETs)不斷縮小,這導(dǎo)致了設(shè)備性能的提升和晶體管密度的增加。然而,...
2024-09-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料 516 0
美國(guó)或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口
據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解,美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施,旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GAA)技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)技術(shù)...
2024-06-12 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管HBMGAA 457 0
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