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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
理想的PN結(jié)在正向?qū)ê髴?yīng)該是沒有電阻的,而實際的PN結(jié)比如二極管受材料、工藝的影響,在導(dǎo)通時實際上兩端還有一個電阻,這個電阻一般在幾歐到幾十歐之間,被稱為導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻可由二極管;兩端電壓和導(dǎo)通電流求得。
導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù),它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測量導(dǎo)通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地?fù)u表測量法...
輸入偏置電流導(dǎo)通電阻分壓電路等運(yùn)放電路設(shè)計技巧
設(shè)計了一個分壓電路,理論上輸入1V,輸出2V,可是一測,總是多了近6,7百個mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC,可是要吃掉600多個碼。點(diǎn)解?
場效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件
在一般情況下,場效應(yīng)管(FET)的導(dǎo)通電阻越小越好,因為較小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,F(xiàn)ET可以提供更低的電阻,允許更大的電流通過。
2024-03-06 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路MOSFET 1.2萬 0
主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞
可電流監(jiān)控的熱插拔保護(hù)芯片——MP5022A
MP5022A 是一款熱插拔保護(hù)芯片,用于保護(hù)輸出端電路不受輸入端瞬態(tài)的影響。也可以保護(hù)輸入不受輸出短路和瞬態(tài)影響。啟動期間,通過設(shè)置輸出斜率來限制浪涌...
超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹
功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。
AD5423和ADG5401F相互配合的精密模擬輸出模塊方案
工業(yè)過程需要對執(zhí)行器進(jìn)行精準(zhǔn)而穩(wěn)健的控制,以便管理流量、溫度和壓力等過程參數(shù)。精密模擬輸出模塊,即所謂可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS...
消除模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-19 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)電路增益
類別:IC中文資料 2012-11-22 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MAX14634雙向電池開關(guān)
類別:IC datasheet pdf 2012-06-25 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MAX14634雙向電池開關(guān)
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-07 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MTM非晶硅反熔絲
5.5V、10A、導(dǎo)通電阻為 4mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22998數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-27 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
具有熱保護(hù)的 2.7V-18V、79mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22810數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-15 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
具有可調(diào)上升時間的5.5V、3.8A、18mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22995數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-03 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.7V、6A、14mΩ 導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)TPS22976數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-22 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對系統(tǒng)來說,過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過該變化速率通過系統(tǒng)電路...
并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)
為了實現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計,傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似,以確保它們同時導(dǎo)通。然而,屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性...
導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負(fù)信號傳輸,如果將不同VI
什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)?
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...
2022-08-20 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻場效應(yīng)晶體管 5006 0
在高溫下,溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的,在接近最高結(jié)溫時,溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實現(xiàn)最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...
揚(yáng)杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關(guān)和導(dǎo)通特性
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性; 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性,顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù),SGT ...
2020-11-26 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻揚(yáng)杰科技 2544 0
艾為電子推出超低導(dǎo)通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)-AW35321QNR
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω(典型值)超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號的特性使其非常適合應(yīng)用于...
2023-10-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)QFN封裝 2489 0
開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)有什么影響
本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13,同樣按兩個步驟來推導(dǎo)。
MAX14634超低導(dǎo)通電阻和緊湊型雙向電池開關(guān)
MAX14634雙向電池開關(guān)功能的反向阻斷能力,從系統(tǒng)中隔離電池, 該設(shè)備是在一個超小型的12焊球(1.3毫米x1.7毫米,0.4mm間距)WLP封裝。
2012-06-25 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MAX14634雙向電池開關(guān) 2131 0
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