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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻

導(dǎo)通電阻簡介

  理想的PN結(jié)在正向?qū)ê髴?yīng)該是沒有電阻的,而實際的PN結(jié)比如二極管受材料、工藝的影響,在導(dǎo)通時實際上兩端還有一個電阻,這個電阻一般在幾歐到幾十歐之間,被稱為導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻可由二極管;兩端電壓和導(dǎo)通電流求得。

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導(dǎo)通電阻知識

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導(dǎo)通電阻技術(shù)

導(dǎo)通電阻值多少為標(biāo)準(zhǔn)

導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù),它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測量導(dǎo)通電阻的方法有測量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測量法、接地?fù)u表測量法...

2022-01-29 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻電阻值 2.6萬 0

一文詳解MOSFET的導(dǎo)通電阻

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對于MOSFET,歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻,對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。

2021-05-01 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻 1.9萬 0

輸入偏置電流導(dǎo)通電阻分壓電路等運(yùn)放電路設(shè)計技巧

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設(shè)計了一個分壓電路,理論上輸入1V,輸出2V,可是一測,總是多了近6,7百個mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC,可是要吃掉600多個碼。點(diǎn)解?

2017-11-08 標(biāo)簽:運(yùn)放電路mos管導(dǎo)通電阻 1.2萬 2

場效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

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在一般情況下,場效應(yīng)管(FET)的導(dǎo)通電阻越小越好,因為較小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,F(xiàn)ET可以提供更低的電阻,允許更大的電流通過。

2024-03-06 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路MOSFET 1.2萬 0

mos管損壞的五種現(xiàn)象及原因

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞

2023-04-04 標(biāo)簽:二極管MOS管導(dǎo)通電阻 1.0萬 0

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2020-12-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻Rohm 9784 2

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MP5022A 是一款熱插拔保護(hù)芯片,用于保護(hù)輸出端電路不受輸入端瞬態(tài)的影響。也可以保護(hù)輸入不受輸出短路和瞬態(tài)影響。啟動期間,通過設(shè)置輸出斜率來限制浪涌...

2021-01-24 標(biāo)簽:過壓保護(hù)導(dǎo)通電阻浪涌電流 7493 0

附錄一芯片量產(chǎn)測試常用“黑話”

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CP是wafer level的chip probing,是整個wafer工藝,包括backgrinding和backmetal(if need),對一些...

2023-11-23 標(biāo)簽:芯片電路導(dǎo)通電阻 6795 0

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2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動電路功率器件 6565 0

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2021-02-02 標(biāo)簽:adi寄存器導(dǎo)通電阻 6512 0

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導(dǎo)通電阻資料下載

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導(dǎo)通電阻資訊

IGSS對柵極驅(qū)動漏電流的影響

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2020-06-05 標(biāo)簽:MOS管導(dǎo)通電阻 2.0萬 0

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2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻電壓電平 5920 0

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負(fù)信號傳輸,如果將不同VI

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什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)?

數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...

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MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)

在高溫下,溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的,在接近最高結(jié)溫時,溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得...

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英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...

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產(chǎn)品特點(diǎn) 1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性; 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性,顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù),SGT ...

2020-11-26 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻揚(yáng)杰科技 2544 0

艾為電子推出超低導(dǎo)通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)-AW35321QNR

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AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω(典型值)超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號的特性使其非常適合應(yīng)用于...

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開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)有什么影響

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本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13,同樣按兩個步驟來推導(dǎo)。

2022-04-24 標(biāo)簽:開關(guān)導(dǎo)通電阻傳遞函數(shù) 2488 0

MAX14634超低導(dǎo)通電阻和緊湊型雙向電池開關(guān)

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MAX14634雙向電池開關(guān)功能的反向阻斷能力,從系統(tǒng)中隔離電池, 該設(shè)備是在一個超小型的12焊球(1.3毫米x1.7毫米,0.4mm間距)WLP封裝。

2012-06-25 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MAX14634雙向電池開關(guān) 2131 0

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導(dǎo)通電阻數(shù)據(jù)手冊

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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