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導(dǎo)通電阻

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　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

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導(dǎo)通電阻簡(jiǎn)介

　　理想的PN結(jié)在正向?qū)ê髴?yīng)該是沒(méi)有電阻的，而實(shí)際的PN結(jié)比如二極管受材料、工藝的影響，在導(dǎo)通時(shí)實(shí)際上兩端還有一個(gè)電阻，這個(gè)電阻一般在幾歐到幾十歐之間，被稱為導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻可由二極管；兩端電壓和導(dǎo)通電流求得。

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導(dǎo)通電阻知識(shí)

TPS548D22 具有差分遠(yuǎn)程感應(yīng)功能的 1.5V 至 16V、40A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS548D22 器件是一款緊湊型單降壓轉(zhuǎn)換器，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 模式控制。它專為高精度、高效率、快速

2025-06-20 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻元件降壓轉(zhuǎn)換器 236 0
TPS549D22 具有差分遠(yuǎn)程感應(yīng)和 PMBus 的 1.5V 至 16V、40A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-06-19 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻降壓轉(zhuǎn)換器電源系統(tǒng) 269 0
TPS548D21 具有 AVSO和差分遠(yuǎn)程感應(yīng)功能的1.5V 至 16V、40A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS548D21 器件是一款緊湊型單降壓轉(zhuǎn)換器，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 模式控制。它專為高精度、高效率、快速

2025-06-19 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻軟啟動(dòng) 元件 291 0
TPS568215 具有 D-CAP3 控制的 4.5V 至 17V、8A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS568215 是 TI 最小的單片 8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3? 控制模式。該器件集成

2025-06-19 標(biāo)簽： MOSFET 導(dǎo)通電阻元件 227 0
TPS548B22 具有差分遠(yuǎn)程感應(yīng)功能的 1.5V 至 18V、25A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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2025-06-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻輸出電壓 FET 218 0
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2025-06-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻元件降壓轉(zhuǎn)換器 217 0
LM76005-Q1 3.5V 至 60V、5A 同步穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LM76005-Q1是一款易于使用的同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，專為汽車電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用固定頻率峰值電流模式控制，結(jié)合

2025-06-12 標(biāo)簽： MOSFET 導(dǎo)通電阻 DC-DC轉(zhuǎn)換器 248 0
TPS51385 具有導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制的 4.5V 至 24V 輸入、7A 同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51385 是一款單片 7A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制模式。集成的低導(dǎo)通電阻 DS（

2025-06-05 標(biāo)簽： MOSFET 導(dǎo)通電阻電源系統(tǒng) 249 0
TPS51386 4.5V 至 24V 輸入、8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51386 是一款單片 8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制模式。集成的低導(dǎo)通電阻 DS（

2025-06-05 標(biāo)簽： MOSFET 導(dǎo)通電阻開(kāi)關(guān)頻率 267 0
TPS568236 4.5V 至 18V 輸入、8A 同步降壓穩(wěn)壓器，具有導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3? 控制模式數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS568236 是具有自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 D-CAP3 控制模式的單片 8A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。集成的低導(dǎo)通電阻 DS（o

2025-06-05 標(biāo)簽： MOSFET PWM 導(dǎo)通電阻 229 0

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導(dǎo)通電阻技術(shù)

導(dǎo)通電阻值多少為標(biāo)準(zhǔn)

導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測(cè)量導(dǎo)通電阻的方法有測(cè)量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬(wàn)用表測(cè)量法、接地?fù)u表測(cè)量法...

2022-01-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻電阻值 2.7萬(wàn) 0

一文詳解MOSFET的導(dǎo)通電阻

對(duì)于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對(duì)于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。

2021-05-01 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 2.0萬(wàn) 0

場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

在一般情況下，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，F(xiàn)ET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過(guò)。

2024-03-06 標(biāo)簽：放大器開(kāi)關(guān)電路 MOSFET 1.4萬(wàn) 0

輸入偏置電流導(dǎo)通電阻分壓電路等運(yùn)放電路設(shè)計(jì)技巧

設(shè)計(jì)了一個(gè)分壓電路，理論上輸入1V，輸出2V，可是一測(cè)，總是多了近6,7百個(gè)mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC，可是要吃掉600多個(gè)碼。點(diǎn)解？

2017-11-08 標(biāo)簽：運(yùn)放電路 mos管導(dǎo)通電阻 1.2萬(wàn) 2

mos管損壞的五種現(xiàn)象及原因

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞

2023-04-04 標(biāo)簽：二極管 MOS管導(dǎo)通電阻 1.1萬(wàn) 0

ROHM SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因解析

第一因素是誤差放大器。在電壓反饋環(huán)路中，補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的誤差放大器充當(dāng)了低通濾波器的作用，從而拉長(zhǎng)了變換器對(duì)輸出電壓變化的響應(yīng)時(shí)間。

2020-12-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 Rohm 1.0萬(wàn) 2

可電流監(jiān)控的熱插拔保護(hù)芯片——MP5022A

MP5022A 是一款熱插拔保護(hù)芯片，用于保護(hù)輸出端電路不受輸入端瞬態(tài)的影響。也可以保護(hù)輸入不受輸出短路和瞬態(tài)影響。啟動(dòng)期間，通過(guò)設(shè)置輸出斜率來(lái)限制浪涌...

2021-01-24 標(biāo)簽：過(guò)壓保護(hù)導(dǎo)通電阻浪涌電流 7755 0

附錄一芯片量產(chǎn)測(cè)試常用“黑話”

CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些...

2023-11-23 標(biāo)簽：芯片電路導(dǎo)通電阻 7523 0

超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 7069 0

AD5423和ADG5401F相互配合的精密模擬輸出模塊方案

工業(yè)過(guò)程需要對(duì)執(zhí)行器進(jìn)行精準(zhǔn)而穩(wěn)健的控制，以便管理流量、溫度和壓力等過(guò)程參數(shù)。精密模擬輸出模塊，即所謂可編程邏輯控制器（PLC）或分布式控制系統(tǒng)（DCS...

2021-02-02 標(biāo)簽：adi 寄存器導(dǎo)通電阻 6716 0

導(dǎo)通電阻帖子

關(guān)于CD4051與運(yùn)放結(jié)合使用的問(wèn)題的求助

標(biāo)簽：單片機(jī)導(dǎo)通電阻 32246 30

請(qǐng)問(wèn)MOS管是如何仿真在不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？

標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻頻率 2346 0

高精度運(yùn)放能在低功率如何實(shí)現(xiàn)快速多路復(fù)用

標(biāo)簽：運(yùn)放電路導(dǎo)通電阻 1769 1

導(dǎo)通電阻資料下載

CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較立即下載

類別：模擬數(shù)字 2012-06-20 標(biāo)簽：VDMOS 導(dǎo)通電阻 CoolMOS

消除模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2017-01-19 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻模擬開(kāi)關(guān)電路增益

MAX14634中文版資料立即下載

類別：IC中文資料 2012-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 MAX14634 雙向電池開(kāi)關(guān)

MAX14634,pdf數(shù)據(jù)資料立即下載

類別：IC datasheet pdf 2012-06-25 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 MAX14634 雙向電池開(kāi)關(guān)

MTM非晶硅反熔絲導(dǎo)通電阻立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2017-01-07 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 MTM 非晶硅反熔絲

5.5V、10A、導(dǎo)通電阻為 4mΩ 的負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22998數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-03-27 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)

具有熱保護(hù)的 2.7V-18V、79mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22810數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-03-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)

5.7V、6A、14mΩ 導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22976數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-03-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)

具有可調(diào)上升時(shí)間的5.5V、3.8A、18mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22995數(shù)據(jù)表立即下載

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具有穩(wěn)壓浪涌電流的4.5V、1.5A、7.5mΩ導(dǎo)通電阻快速導(dǎo)通負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22999數(shù)據(jù)表立即下載

類別：電子資料 2024-03-26 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)浪涌電流

導(dǎo)通電阻資訊

IGSS對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)漏電流的影響

dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。對(duì)系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，過(guò)高的dv/dt必然會(huì)帶來(lái)高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過(guò)該變化速率通過(guò)系統(tǒng)電路...

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并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過(guò)篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會(huì)增加成本和復(fù)雜性...

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導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI

2010-03-23 標(biāo)簽：電阻導(dǎo)通電阻導(dǎo)通 5537 0

什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）？

數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu)，溝...

2022-08-20 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5245 0

MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)

在高溫下，溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時(shí)，溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得...

2021-03-11 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻 p溝道 4554 0

英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實(shí)現(xiàn)最高效率

英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...

2021-03-01 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 逆變器 2839 0

艾為電子推出超低導(dǎo)通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)-AW35321QNR

AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于...

2023-10-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻模擬開(kāi)關(guān)QFN封裝 2717 0

揚(yáng)杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通特性

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性； 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性； 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT ...

2020-11-26 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻揚(yáng)杰科技 2680 0

開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)有什么影響

本次也采用同樣的方法展開(kāi)探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13，同樣按兩個(gè)步驟來(lái)推導(dǎo)。

2022-04-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻傳遞函數(shù) 2652 0

MAX14634超低導(dǎo)通電阻和緊湊型雙向電池開(kāi)關(guān)

MAX14634雙向電池開(kāi)關(guān)功能的反向阻斷能力，從系統(tǒng)中隔離電池，該設(shè)備是在一個(gè)超小型的12焊球(1.3毫米x1.7毫米，0.4mm間距)WLP封裝。

2012-06-25 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 MAX14634 雙向電池開(kāi)關(guān) 2169 0

導(dǎo)通電阻數(shù)據(jù)手冊(cè)

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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
MHL

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Bourns

Bourns

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體感控制

體感控制

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
模擬芯片

模擬芯片

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閃存技術(shù)

閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
美滿電子

美滿電子

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Zynq

Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus LogIC

Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

研華

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32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
Cortex-A

Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
超級(jí)本

超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
G3-PLC

G3-PLC

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