PPLN應(yīng)用于惡劣環(huán)境中的波長轉(zhuǎn)換

在我們上一篇文章中《應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應(yīng)用》，我們分享了昊量光電提供的英國CovesionMgO：PPLN波導(dǎo)組件...

2025-06-11 標(biāo)簽：干涉儀PPLN 174 0

優(yōu)可測白光干涉儀AM系列：量化管控納米級粗糙度，位移傳感器關(guān)鍵零件壽命提升50%

位移傳感器模組的編碼盤，其粗糙度及碼道的刻蝕深度和寬度，會對性能帶來關(guān)鍵性影響。優(yōu)可測白光干涉儀精確測量表面粗糙度以及刻蝕形貌尺寸，精度最高可達(dá)亞納米級...

2025-05-21 標(biāo)簽：傳感器編碼器干涉儀 378 0

應(yīng)用探究|PPLN波導(dǎo)賦能量子重力傳感：星載冷原子干涉儀應(yīng)用

基于MgO:PPLN波導(dǎo)的1560nm至780nm高效倍頻技術(shù)，冷原子干涉技術(shù)通過銣原子冷卻與物質(zhì)波干涉，實(shí)現(xiàn)了對于重力加速度的精密測量。憑借由昊量光電...

2025-05-21 標(biāo)簽：測量干涉儀PPLN 188 0

光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測量法

簡單介紹光纖端面3D干涉儀的單色光移相干涉測量法。 現(xiàn)在一般光纖端面3D干涉儀操作界面上，都有白光和單色光(比如紅光或其他顏色)的兩個(gè)選項(xiàng)。 ? 白光干...

2024-12-18 標(biāo)簽：3D測量干涉儀 898 0

基于干涉儀原理的光學(xué)相干層析成像技術(shù)

光學(xué)相干層析技術(shù)它利用弱相干光干涉儀的基本原理，檢測生物組織不同深度層面對入射弱相干光的背向反射或幾次散射信號，通過掃描，可得到生物組織二維或三維結(jié)構(gòu)圖像。

2024-01-22 標(biāo)簽：圖像處理發(fā)光二極管核磁共振 1208 0

光波干涉的原理是什么？光波干涉的應(yīng)用有哪些？

介紹了光波干涉的原理是什么，以及該原理可以應(yīng)用于什么領(lǐng)域。

2024-01-07 標(biāo)簽：光波干涉儀光學(xué)元件 3001 0

光學(xué)表面粗糙度，這些知識你都了解嗎？

微缺陷是可以在光學(xué)光滑表面上發(fā)現(xiàn)的凹坑和劃痕。它們通常使用光學(xué)輪廓儀、顯微鏡或顯微圖像比較儀進(jìn)行量化。ISO 10110-8表示，“微缺陷的數(shù)量N被認(rèn)為...

2023-09-19 標(biāo)簽：紅外光譜干涉儀激光系統(tǒng) 1.1萬 0

雷達(dá)干涉測量原理與應(yīng)用知識點(diǎn)

散射體在分辨單元內(nèi)的運(yùn)動到下一個(gè)會導(dǎo)致隨機(jī)不同的相干背向散射從一幅圖像到另一幅圖像的相位，即“時(shí)間”去相關(guān)。

2023-09-07 標(biāo)簽：激光器微波雷達(dá) 1799 0

什么是雙多基地雷達(dá)技術(shù)

雷達(dá)網(wǎng)中三部測距單基地雷達(dá)組網(wǎng)有時(shí)被稱為三邊測量雷達(dá)。三邊測量的概念也用在多基地雷達(dá)中，它借助到達(dá)時(shí)間差（TDOA）或差分多普勒技術(shù)來測量目標(biāo)位置。

2023-08-05 標(biāo)簽：接收機(jī)雷達(dá)干涉儀 2191 0

針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹...

2025-06-25 標(biāo)簽：晶圓干涉儀 80 0

光刻膠圖案化方法及光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠的圖案化和剝離是形成精確圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟，而光刻圖形的準(zhǔn)確測量則是確保工藝質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。本文將詳細(xì)介紹光刻膠...

2025-06-20 標(biāo)簽：干涉儀光刻膠 106 0

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成...

2025-06-17 標(biāo)簽：光刻NMF干涉儀 153 0

減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文...

2025-06-14 標(biāo)簽：干涉儀光刻膠 218 0

可再生光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工行業(yè)，光刻膠剝離液的使用量龐大。傳統(tǒng)剝離液存在環(huán)境污染、資源消耗等問題，可再生光刻膠剝離液憑借環(huán)保與可持續(xù)優(yōu)勢成為研究熱點(diǎn)。...

2025-06-05 標(biāo)簽：干涉儀光刻膠 145 0

Micro OLED 陽極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù)，在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中，陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準(zhǔn)測量...

2025-05-23 標(biāo)簽：光刻測量干涉儀 107 0

電壓放大器在線性相位調(diào)制雙零差干涉儀位移測量實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱：線性相位調(diào)制雙零差干涉儀位移測量相關(guān)實(shí)驗(yàn) 測試目的：測試雙零差干涉儀在測量鏡M2靜止時(shí)，進(jìn)行長時(shí)間的測量時(shí)，環(huán)境參數(shù)變化引起的兩路干涉信號相位...

2025-04-18 標(biāo)簽：電壓放大器干涉儀 193 0

優(yōu)可測白光干涉儀：助力手機(jī)玻璃蓋板品質(zhì)提升 | 行業(yè)應(yīng)用

手機(jī)蓋板材料從塑料、金屬到玻璃/陶瓷，再到納米紋理玻璃，不斷革新以滿足消費(fèi)者需求。其中，影響手機(jī)玻璃蓋板關(guān)鍵因素包括蝕刻深度、角度、粒子統(tǒng)計(jì)、粗糙度等。...

2024-11-19 標(biāo)簽：干涉儀表面粗糙度白光干涉儀 653 0

CIOE2024：光電科技的璀璨盛宴即將開啟

當(dāng)光影交織，科技與未來相遇，一場光電領(lǐng)域的國際盛會正悄然臨近。第25屆國際光電博覽會（CIOE2024）即將在金秋時(shí)節(jié)盛大開幕，這不僅是一場技術(shù)的展示，...

2024-09-05 標(biāo)簽：干涉儀博覽會光電儀器 832 0

金秋九月，芝加哥機(jī)床展&深圳光博會約定您

金秋九月，中圖儀器將在美國芝加哥和中國深圳參加兩場行業(yè)盛會，向全球用戶展示中國制造的先進(jìn)精密測量解決方案。2024美國芝加哥金屬加工及工業(yè)展覽會（IMT...

2024-08-30 標(biāo)簽：檢測干涉儀精密測量 638 0