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標簽 > 快充芯片
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深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制,通過集成多維度安全防護,防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?,在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
在輕載和空載狀態(tài)下,當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時,系統(tǒng)進入打嗝模式工作,,停止開關(guān)動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典...
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766,推薦功率為65W,代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
當設(shè)備溫度超過設(shè)定閾值時,外置OTP功能會自動觸發(fā),降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備,以防止過熱,這對于保護設(shè)備內(nèi)部組件和延長設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測到溫度升高時...
20W快充方案JD6610C+PL2733C,JD6610B+MT6734A,JD6610A+FP6601AP5
JD6610C是一款專為簡化USB Power Delivery 3.1(SPR)協(xié)議設(shè)計的控制器。這款控制器集成了USB Type-C接口和USB P...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
功能覆蓋IP6802、IP6824!納祥科技無線快充芯片NX7008可兼容Qi2.0協(xié)議
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX7008無線快充芯片手機無線快充發(fā)射端控制芯片,是一種用于管理無線充電過程的核心組件,它不僅決定了充電的速...
寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標準,而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標準。電源的寬幅越大,輸出電壓隨負載電流變化...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上,升級增加U8609料號,同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能,有需求的小伙伴趕緊看過來!
2025-02-08 標簽:氮化鎵功率開關(guān)管快充芯片 441 0
在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中,一般要有兩個MOSFET,體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求,卻繞不過簡單和小巧。
2025-01-09 標簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 545 0
相比傳統(tǒng)影視行業(yè),手機攝影的發(fā)展史確實非常短,不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備,呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優(yōu)勢,在于...
YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因為不存在體二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時間,從而降低了死區(qū)...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
目前市場已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn),助力推動了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中,變壓器為最重要元件,而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
慧能泰半導(dǎo)體PD DRP 100W雙向快充芯片HUSB252簡述
不過在找不到插座的時候,筆記本,平板,游戲機,充電寶等能反向供電的設(shè)備也是可以選擇的,這得益于PD DRP芯片在其中的應(yīng)用,使其既可用作Power So...
外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點有哪些
深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733,是一款30W PD GAN帶OTP保護及主動降功率功能的PD快充芯片,與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...
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